1、本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 1 Table_Title 东微半导（688261.SH）深度报告 中高压功率器件创新者，专注汽车、工业蓝海市场 2022 年 03 月 29 日 Table_Summary 东微半导：国内高压 MOSFET 领军，四大品类齐发力：公司拥有高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET 和 TGBT 四大品类，MOSFET 产品达 1700 余种，IGBT 产品 154 款。且公司募投规划持续研发 SiC器件、新型硅基高压功率器件等。据 Omdia，2020 年公司占全球高压超级结市场的份额为

2、 3.8%，占中国高压超级结市场份额约为 8.6%，为国内龙头，且为华虹半导体高压 MOSFET 大客户。据业绩快报显示，2021 年公司实现营收 7.8亿元，同比增长 153.28%。且得益于毛利率提升，以及期间费用率持续改善，公司实现归母净利润 1.46 亿元，同比增长 429.12%。 受新能源汽车、充电桩、5G 基站等需求推动，中高压功率器件持续高景气： （1）受益新能源汽车大势所趋，车用功率半导体迎来黄金机遇期。2021 年全球新能源车销量达到 674 万辆，预计 2021-2025 年新能源乘用车 CAGR 高达 38.78%，且新能源汽车功率器件单车价值量显著提升。 （2）充电桩

3、渗透率提升，带来功率半导体广阔增量。英飞凌统计，100kW 的充电桩功率器件价值量可达 200-300 美元。 （3）5G 商用加速，拉动功率器件旺盛需求。据英飞凌数据，相比传统 MIMO 天线，Massive MIMO 天线中功率器件价值量从 25 美金提升到 100 美金。 技术领先、产能保障、客户优质，铸就公司护城河：我们看好公司长期发展，凭借技术国内领先、供应商产能保障、客户资源优质等竞争优势，公司将受益于国产替代红利期。 1）中高压功率器件技术水平领先。公司在高性能功率器件尤其在高压超结方面性能优势明显，其产品售价便凸显公司产品竞争力，2019 年中国 MOSFET 功率器件平均售价

4、为1.04 元/颗，全球价格为1.25元/颗，而公司平均售价达2.19 元/颗，其中超级结 MOSFET 售价更达 2.36 元/颗；2）与国内头部晶圆厂深度合作，产能可获充分保障。公司晶圆供应商包括华虹宏力、广州粤芯和 DB Hitek等，是国内较为领先在12英寸生产的功率器件厂商之一。随着华虹 12 英寸产线爬坡，公司有望获得较为充分的产能保障。3）客户资源优质。公司重点针对工业级市场，客户包括华为、比亚迪、英飞源等，终端企业正逐渐放开国产功率器件认证，公司将受益于行业快速发展红利。 投资建议：预计公司2021-2023 年归母净利分别为1.46/2.35/3.49亿元，EPS 为 2.1

5、7/3.49/5.17 元，对应 PE 分别为 86/53/36 倍。参考可比公司 22 年平均 PE 56 倍，考虑到东微半导在中高压功率器件领域的龙头地位，且进军IGBT 市场更是为公司打开充分想象空间，我们给予公司 22 年 PE 65 倍，对应目标价 226.48 元。首次覆盖，给予“推荐”评级。 风险提示：行业竞争加剧；下游需求不及预期；扩产不及预期。 Table_Profit 盈利预测与财务指标 项目/年度 2020A 2021E 2022E 2023E 营业收入（百万元） 309 782 1,201 1,665 增长率（%） 57.5 153.3 53.5 38.7 归属母公司股

6、东净利润（百万元） 28 146 235 348 增长率（%） 203.9 427.6 60.8 48.1 每股收益（元） 0.41 2.17 3.48 5.16 PE 453 86 53 36 PB 29.9 22.2 4.2 3.8 资料来源：Wind，民生证券研究院预测； （注：股价为 2022 年 3 月 29 日收盘价） Table_Invest 推荐 首次评级 当前价格： 192.44 元 目标价： 226.74 元 Table_Author 分析师： 方竞 执业证号： S04 电话： 邮箱： 研究助理： 童秋涛 执业证号： S0100

7、122010028 电话： 邮箱： Table_docReport 东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 2 目录 1 东微半导：中高压 MOSFET 巨头，进军 IGBT 市场 . 3 1.1 技术驱动型功率半导体厂商，专注汽车工业级市场 . 3 1.2 下游新能源、通信大幅驱动营收高涨，产品持续优化助力毛利率提升 . 6 1.3 研发团队优质，技术水平领先 . 8 2 功率器件市场空间广阔，国产替代初见成效 . 11 2.1 MOSFET、IGBT：功率器件的两颗“明珠” . 11 2.

8、2 行业格局一超多强，国产替代迎来加速期 . 14 2.3 新能源汽车快速发展，功率半导体器件迎来黄金机遇期 . 15 2.4 充电桩渗透率提升，带动功率器件需求扩大 . 16 2.5 5G 建设拉动功率器件需求，超级结优势明显 . 18 3 全方位蓄力，致力突破海外垄断格局 . 20 3.1 深入绑定优质代工厂，产能有望获得充分供应 . 20 3.2 下游客户优质，已为工业领域知名供应商 . 21 3.3 定制化需求料号丰富，高性能产品占比高 . 22 4 盈利预测与投资建议 . 24 4.1 业绩拆分与盈利预测 . 24 4.2 估值分析与投资建议 . 25 5 风险提示 . 27 插图目

9、录 . 29 表格目录 . 29 VVlWvZdWhUuUfWWZcVaQ8Q8OtRnNnPoMlOrRpMkPtQrR8OmMyRvPrRzRxNpOmO东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 3 1 东微半导：中高压 MOSFET 巨头，进军 IGBT 市场 1.1 技术驱动型功率半导体厂商，专注汽车工业级市场 公司成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体公司，产品主要应用于汽车及工业相关等中大功率应用领域，公司较早实现第三代产品布局，是国内在 12 英寸晶圆产线上较早实现功率器

10、件量产的功率器件设计公司之一。公司主要产品包括GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET，通过不断进行技术创新，进一步开发了超级硅 MOSFET、TGBT 等新产品。未来公司将持续开发更多新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。 图 1：产品与下游应用范围 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 高压超级结 MOSFET：产品具备动态损耗低、大限度抑制开关震荡等优势。2021H1 营收2.39 亿元，占比达 74.55%，为主营产品，料号近千种。公司的高压 MOSFET 产品全部采用超级结的技术原理，具有

11、开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。在节能减碳的大趋势下，电源系统正追求小型化，高效化，公司GreenMOS 系列高压超级结产品基于其高效率低阻抗的特点，特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源、5G 等应用领域。高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。 中低压屏蔽栅 MOSFET：工作电压覆盖 25V-150V，合计超过 500 种型号。2021H1 营收 0.8 亿元，占比 24.96%。公司中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS东微半导

12、(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 4 产品系列以及 FSMOS 产品系列。其中，SFGMOS 产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。FSMOS 产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通 VDMOS 与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内

13、领先水平。 超级硅 MOSFET：自主研发性能对标氮化镓功率器件的高性能产品。2021H1 营收占比0.41%。目前已有 18 种型号进入量产。公司的超级硅 MOSFET 采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势，特别适用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。 TGBT：自主研发 IGBT 器件结构，优化了导通损耗与开关损耗。2021H1 营收占比 0.07%。公司的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，是一种区别于国际主流 IGBT 的创新型器件结构，目前达到

14、可量产水平的产品规格共有 18 种。TGBT 在华虹 8 寸和 12 寸同步开发，于 8 寸已实现量产。公司 TGBT 主要应用在 UPS、工业电源、储能逆变器，电磁炉等。 表 1：截至 2021 年 H1 公司产品特性及应用领域 产品类别 产品品类 规格 技术特点 应用领域 M0SFET 高压超级结M0SFET 500V-950V; 1A-116A 低导通电阻、低栅极电荷、静态与动态损耗低 工业级:新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电器、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、光伏逆变器等 消费级:PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等 中低压屏蔽栅 M0

15、SFET 25V-150V; 7A-300A 特征导通电阻低，开关速度快，动态损耗低 工业级:电动工具、智能机器人、无人机、新能源汽车电机控制、逆变器、UPS 电源、动力电池保护板、高密度电源等 消费级:移动电源、适配器、数码类锂电池保护板、多口 USB 充电器、手机快速充电器、电子雾化器、PC 电源、TV 电源板等 超级硅M0SFET 600V-700V; 5A-30A 极快的开关速 度与极低的动 态损耗 工业级:新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源等 消费级:快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器、TV 电源板等 IGBT Tri-gate IGBT 650V-1350V;

16、15A-120A 大电流密度，开关损耗低，可靠性高，具有自保护特点 工业级:新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能、UPS 电源等 消费级:电磁加热等 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 十余载耕耘，成为功率器件知名供应商。公司 2008 年以超结 MOSFET 切入，从 2014 年开始量产国产化超级结系列高压大功率 MOSFET，产品在 2015 年首次进入工业级应用，仅一年时间便进入如艾默生（电源行业“黄埔军校” ）等龙头工业级客户。2016 年，公司更是率先量产国内首款自主研发充电桩用功率半导体器件GreenMOS，进入国际大厂长期垄断的工业电源应用领域。同时，公

17、司发明的原创结构的 SFGMOS 实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。2018 年推出中低压屏蔽栅MOS，进入电动车应用。2019年推出超级硅系列，该产品针对快充等应用场景，具有更高功率密度+更快开关频率等特点，对比GaN 性能不差且成本相对更低。 此外，公司亦进一步研发 IGBT 产品，2017 年公司提出和主流方案不同的创新型产品结构， ，在华虹平台能够实现国际一流产品能力。2019 年创新型 IGBT 进入量产，性能达到国际一流水东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 5 平，并于 2

18、020 年开始小批量出货。 图 2：发展历程 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 公司获华为哈勃、元禾控股等多家知名机构青睐。东微半导股权较为分散，不存在控股股东，实际控制人为公司联合创始人王鹏飞和龚轶。截至 2022 年 2 月，王鹏飞直接持股 12.07%；龚轶直接控股 9.96%。公司自创立之初，便获知名半导体基金关注。原点创投为公司第一大 PE股东，其背后资金方元禾控股先后投资东微半导体 4 次关注超过 14 年。聚源聚芯产业基金目前占股 7.46%；由华为 100%控股的哈勃投资于 2020 年 7 月 7 日入股，目前占总股本 4.94%，截至目前公司为哈勃投资的唯一一家功率器件

19、设计公司。 同时，公司高度重视员工激励，于 2018 年、2019 年对部分核心员工实施了三次股权激励，部分核心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司股权。 图 3：公司股权结构 资料来源： wind，民生证券研究院 东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 6 1.2 下游新能源、通信大幅驱动营收高涨，产品持续优化助力毛利率提升 公司营收、净利高速增长，21 年净利润同比翻四倍。2021 年公司全年实现营收 7.82 亿元，同比增长 153.28%；归母净利润 1.46 亿元，同比增长 429.12%，远超营

20、收增幅。具体来看，2021 年业绩快速增长原因包括：下游新能源、通信等应用领域需求持续增长；且国内客户加大上游进口替代；东微半导抓住此次国产替代浪潮机遇，持续扩大产能并推出适合更多应用领域的新产品，成功实现优质客户的导入。同时，随着公司产品结构进一步优化，量价齐升助力营收净利快速增长。 图 4：2018 年-2021 年营业总收入及同比增速 图 5：2018 年-2021 年归母净利润及增速 资料来源：Wind，民生证券研究院（21 年数据来自于业绩快报） 资料来源：Wind，民生证券研究院 费用率维持稳定，毛利率创历史新高。公司毛利率自 2020 年的 17.85%提升至 2021 年前三季

21、度达 28.62%，毛利率提升主要原因包括：1）公司产品应用在 5G 基站电源、通信电源、新能源汽车直流充电桩、工业电源等领域的占比提升，而上述应用领域由于涉及长时间高电压、高电流的工作环境，且使用场景多为户外，对产品的耐用性和可靠性等要求较高，产品的销售单价和毛利率均相应较高。2）由于公司产量不断扩大，在原材料端有了更强的议价能力。同时，受益于营收起量后规模效应，公司费用率水平有所降低，2021 年前三季度净利率达 16.59%，创历史新高。 0%50%100%150%200%0.002.004.006.008.0010.002018年 2019年 2020年 2021年营业总收入（亿元）同

22、比(%)-100%0%100%200%300%400%500%0.000.501.001.502.002018年 2019年 2020年 2021年归属母公司股东的净利润（亿元）同比(%)东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 7 图 6：毛利率和净利率 图 7：费用率变化情况 资料来源：Wind，民生证券研究院 资料来源：Wind，民生证券研究院 下游结构不断优化，市场定位助力长足发展。公司产品下游主要针对工业级应用设备级消费类客户，其中工业类占 50%以上。具体来看，2021 年 H1 各类工业及通信电源营收占比

23、较2020 年 13.28%提高至 19.10%。消费电子设备营收占比有所下滑。2020 年以来工业应用营收增速开始高于消费类。原因主要系公司经营定位重点针对汽车等工业级市场，缺芯背景下公司更是重点支持汽车、工业级大客户。当下，在功率半导体景气度分化的节点，我们认为公司与工业级客户的合作关系，可保证公司订单、利润率更为稳定；且长期来看，工业和汽车客户会给供应商提供技术上的反哺，有助引导公司的技术研发。 图 8：公司营收构成分应用领域情况 资料来源：Wind，民生证券研究院 扎根高功率 MOSFET，积极拓展 IGBT 等产品线。高压超级结 MOSFET 作为公司主营产品，2021 年 H1 营

24、收占比达 74.55%，中低压屏蔽栅 MOSFET 营收占比 24.96%，超级硅MOSFET 和 TGBT 分别于 2019 年和 2021 年开始小批量生产并实现销售，20192021H1 超级硅 MOSFET 营收 8.32/40.36/135.31 万元，TGBT 在 2021H1 营收 22.95 万元。公司产品持续升级，拓展 IGBT 有助公司整体利润率水平拔升，同时进一步拓宽了营收空间。 0%10%20%30%40%销售毛利率(%)销售净利率(%)-5%0%5%10%15%20021H1销售费用率管理费用率研发费用率财务费用率0%20%40%60%80%10

25、0%20021H1各类工业及通信电源新能源汽车充电桩大功率照明电源逆变器电池保护消费电子设备显示器电源其他主营业务东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 8 而从产品形态来看，公司的产品可以分为功率器件成品及晶圆两类。功率器件成品即将晶圆进行封装后的 MOSFET 成品形态产品；晶圆即公司完成技术研发和产品设计流程后，与晶圆制造商进一步进行工艺开发、验证与质量测试流程后的晶圆形态产品。公司销售的产品以功率器件成品为主，20182021H1 功率器件成品营收占比均超过 80%，晶圆产品营收占比低于

26、20%。 图 9：2020 年营收构成分产品情况 图 10：2021 年 H1 营收构成分产品情况 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 1.3 研发团队优质，技术水平领先 研发人员占比高，自主研发专利成果显著。截至 2021 年 H1，公司总员工 68 人，人均创收领先行业。公司研发人员 31 人，占比达 45.59%，已获授权的专利 53 项，包括境内专利 38 项，其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项，以及境外专利 15 项。公司重视研发投入，2021年 H1 公司研发费用达 1650.12 万元，超 2020 年全年研发费用（1599.36

27、 万元） ，占上半年营收 5.14%。 CTO 曾任复旦教授，研发人员经验丰富。公司直接持股人及有关核心技术人员拥有深厚的工作资历和丰富的项目经验。CTO 王鹏飞博士作为公司联合创始人之一，曾于 2013 年研制出全球首个半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating Gate Transistor） ，文章发表在顶级学术期刊 Science 上，是我国微电子领域研究首次登上 Science。研发总监刘磊、资深研发工程师刘伟和资深研发工程师毛振东分别于 2009 年、2009 年及 2015 年加入东微半导体；四名核心技术人员均取得了知名院校相关专业的博士、硕士或本科学位，并在微电子行业有

28、着丰富的研发经验；主导多项核心技术的研发、完成绝大部分公司专利的申请。且为团队激励员工，公司于上市前实施了股权激励方案，7080%员工持有公司股份，与公司利益相绑定。 80.66%19.21%0.13%高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFET74.32%25.19%0.41%0.07%（TGBT)高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFETTGBT东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 9 表 2：公司实际控制人及技术人员情况 姓名 任职 经历 龚轶 董事长兼总经理 硕士毕

29、业于英国纽卡斯尔大学，曾担任美国超微半导体公司工程部工程师;德国 英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家;并于 2008 年，与王鹏飞共同创办 东微有限。 王鹏飞 董事、首席技术官 博士毕业于德国慕尼黑工业大学，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师;德国奇梦达公司(QimondaAG)技术创新和集成部门研发工程师;复旦大学微电子学院教授。 刘磊 研发总监 硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾担任华润上华半导体科技技术转移部工艺整合工程师。 刘伟 监 事 会 主 席 兼 资深研发工程师 本科毕业于南京邮电大学微电子学专业，曾担任东莞奇力新电子有限公司研发部工程师;苏州可胜科技有限公司研发

30、部助理工程师。 毛振东 资深研发工程师 硕士毕业于中国科学院大学集成电路设计学院，曾担任华晶电子集团有限公司扩散部工程师;华润上华科技有限公司技术开发部工程师;苏州硅能半导体科技股份有限公司研发部工程师。 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 纵向迭代MOSFET、横向拓展IGBT产品线，积极布局第三代半导体功率器件。截至2021年H1，公司已进入风险试产阶段的研发项目有第三代超级结器件、超低FOM及高性能的150V SGT功率器件、12英寸大晶圆60V-100V SGT、12 英寸先进工艺GreenMOS 超级结 MOSFET（部分电压规格） ；目前处于立项阶段的研发项目有超级硅功率器件、8

31、 英寸线 700V 及以上GreenMOS 高压的超级结芯片、900V 以下三栅 IGBT、900V 及以上三栅 IGBT。2021 年 7 月立项了第三代半导体 SiC 功率器件自主研发项目，主要针对以碳化硅为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发、IC 设计。公司在主要产品方面均已具备了国内领先的核心技术，并在核心技术的基础上实现了高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET 产品的量产与销售。技术创新能力是半导体企业的核心竞争力，公司将持续专注于研发高效率、高可靠性产品，致力于实现国产功率器件的自主可控。 表 3：2021H1 研发费用对应的具体研发项目情况（单位：万元） 项目名称

32、整体预算 开始时间 已完成/预计完成时间 费用 第三代超级结器件研发 1402 2020 年 1 月 1 日 2021 年 12 月 1 日 329.77 超低 FOM 及高性能的 150VSGT 功率器件研发 582 2020 年 1 月 1 日 2021 年 12 月 1 日 237.9 12 英寸大晶圆 60V-100VSGT 研发 457 2020 年 1 月 1 日 2021 年 12 月 1 日 219.34 超级硅功率器件研发 1349 2021 年 1 月 1 日 2023 年 12 月 1 日 107.12 8 英寸线 700V 及以上 GreenM0S 高压的超级结芯片研发

33、 2351 2021 年 1 月 1 日 2023 年 12 月 1 日 231.02 12 英寸先进工艺 GreenM0S 超级结 M0SFET 研发 2451 2021 年 1 月 1 日 2023 年 12 月 1 日 266.66 900V 及以上三栅 IGBT（Tri-gateIGBT）研发 1406 2021 年 1 月 1 日 2023 年 12 月 1 日 130.71 900V 以下三栅 IGBT（Tri-gateIGBT）研发 1667 2021 年 1 月 1 日 2023 年 12 月 1 日 127.6 合计 1650.12 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 募投

34、项目重点支持规模扩张，同时推动产品技术迭代。首次公开发行股票合计拟募集 9.39亿元，最终实际募集资金净额为 20.07 亿元，除科技与发展储备资金外其他项目建设周期为 3年。公司超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金拟投入募集资金金额分别为 2.04、1.08、1.70、4.57 亿元，所占比例分别为 21.75%、11.47%、18.09%、48.68%。科技与发展储备资金占比东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 10 较高原因系公司

35、资金需求主要通过自身经营积累满足，随着公司业务规模扩张，产品种类不断丰富，公司预计将出现一定流动资金缺口；此外，伴随业务发展，公司亦考虑通过投资并购方式整合行业优质标的，谋求产业资源的有效协同。 表 4：拟投入募集资金方向及金额（单位：万元） 序号 投资方向 金额（万元） 比例 1 超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目 20414.58 21.75% 2 新结构功率器件研发及产业化项目 10770.32 11.47% 3 研发工程中心建设项目 16984.20 18.09% 4 科技与发展储备资金 45700.00 48.68% 合计 93869.10 100.00% 资料来源：招股说明

36、书，民生证券研究院 东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 11 2 功率器件市场空间广阔，国产替代初见成效 2.1 MOSFET、IGBT：功率器件的两颗“明珠” 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。对国内市场而言，功率二

37、极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间广阔。 表 5：功率器件各代产品特点及系统应用特性 基材 代表产品 技术特点 系统应用特性 硅基半导体 功率二极管 不可控型 结构简单，但只能整流使用，不可控制导通、关断 晶闸管 半控型器件 开关使用，不易驱动，损耗大，难以实现高频化变流 功率三极管 全控型器件 开关使用或功率放大使用，不易于驱动控制，频率较低 平面型功率 MOSFET 易于驱动，工作频率高，但芯片面积相对较大，损耗较高 沟槽型功

38、率 MOSFET 易于驱动，工作频率高，热稳定性好，损耗低，但耐压低 IGBT 开关速度高，易于驱动，频率高，损耗很低，具有耐脉冲电流冲击的能力 超结功率 MOSFET 易于驱动、频率超高、损耗极低，最新一代功率器件 屏蔽栅功率 MOSFET（SGT） 打破了硅限，大幅降低了器件的导通电阻和开关损耗 宽禁带材料半导体 SiC、GaN 半导体功率器件 / 特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 MOSFET 和 IGBT 属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动等优势，是最主流的功率器件之一。MOSFET 和 IGBT 属于电压控制型开关器件，相比

39、于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。 MOSFET 全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由栅极、源极和漏极三个引脚构成，当栅极与源极通以较低的电压时，源极与漏极间会形成可导电的沟道，使得源极与漏极间的高电压可以导通，其原理是利用掺杂后的半导体特性实现控制电压对另一个电压的导通控制。随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET 而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几

40、个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从 10 微米缩减至 0.15-0.35 微米，东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 12 提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar） 、沟槽（Trench） 、超级结（Super Junction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC） 、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。 表 6： MO

41、SFET 功率器件的技术的整体演进情况 方式名称 演进特点 代表案例 影响 工艺进步 线宽的缩小，但不追求90nm 以下的先进工艺 线宽制程从 10 微米缩减至 0.15-0.35 微米 提升了功率器件的密度、品质因数(FOM）以及开关效率 器件结构改进 采用新型器件结构设计改善器件特性 经历平面（Planar）、沟槽(Trench）到超级结（SuperJunction）等结构的演进 进一步提高了器件的功率密度和工作频率 使用宽禁带材料 半导体材料的改变 SiC/GaN 功率器件 进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，改进了高温特性 资料来源：招股说明书，民生证券研究院 IGBT 全称是绝缘

42、栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和 MOSFET 组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有 MOSFET 高输入阻抗和双极型三极管（BJT） 的低导通压降两方面的优点，与功率 MOSFET 相比，更侧重于大电流、低频应用领域。 MOSFET 和 IGBT 由于可以用较小的电压控制较强电压，因此被广泛运用于汽车电子、光伏、航空、电力等多个领域。一般来说 MOSFET 可以控制的最大电压在 20V 到 1000V 左右，而 IGBT 可以控制 1000V 以上的超高电压。MOSFET 一般又可以分为中低电压产品和高电压产品，中低电压产品一般以分立器件的形式出售，而高电压一般以模块的形

43、式出售。 图 11： MOSFET 和 IGBT 的主要产品电压范围 资料来源：英飞凌官网，民生证券研究院 全球功率半导体市场空间广阔，产业政策加持下，国内年化增速略高于全球增速。根据Omdia 数据，2019 年全球功率半导体行业规模达到 464 亿美元，较 2018 年下降 3.5%，预计至 2024 年市场规模将增长至 522 亿美元，2019-2024 的 CAGR 为 2.4%。 ，中国也是全球最大东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 13 的功率半导体消费国，2019 年市场规模达到 177 亿美元，增

44、速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024 年市场规模有望达到 206 亿美元，2019-2024 年的 CAGR 达 3.1%。 图 12：2018-2024 全球功率半导体市场规模及预期 图 13：2018-2024 中国功率半导体市场规模及预期 资料来源：招股说明书，Omdia，民生证券研究院 资料来源：招股说明书，Omdia，民生证券研究院 MOSFET 与 IGBT 模块，有望成为增长最强劲产品。研究机构 IC Insights 指出,在各类半导体功率元件中，未来最看好的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模组；预计到 2024 年

45、，未来全球MOSFET 器件市场将继续保持平稳回增，市场规模达 77 亿美元；根据中国产业信息网数据，到 2020 年全球 IGBT 单管市场空间达到 60 亿美元左右，市场空间广阔。根据 Omdia 数据，2019 年全球功率分立器件市场规模约为 160 亿美元。MOSFET 器件是功率分立器件领域中占比最大的产品，全球市场份额达到 52.51%；IGBT 为第三大产品，2019 年全球市场份额达到9.99%。中国市场中，MOSFET、IGBT 占 2019 年中国功率分立器件市场份额分别为 53.98%与 9.77%。 全球和中国 IGBT 单管市场规模保持平稳增长态势。根据 Omdia

46、数据，20172019 年全球和中国 IGBT 单管市场规模 CAGR 分别为 11.7%和 19.2%，预计 20202024 年全球和中国IGBT 单管市场规模 CAGR 分别为 3.54%和 1.68%，全球市场规模增速高于中国市场。预计2024 年全球和中国 IGBT 单管市场规模分别可达 16.82/6.06 亿美元。 图 14：2018-2024 年全球 MOSFET 器件市场规模及增长预期 图 15：2018-2024 年中国 MOSFET 器件市场规模及增长预期 资料来源：招股说明书，Omdia，民生证券研究院 资料来源：招股说明书，Omdia，民生证券研究院 -20%0%20

47、%0200400600全球功率半导体(亿美元)增长率-20%0%20%0220中国功率半导体(亿美元)增长率-20%0%20%60708090全球MOSFET(亿美元)增长率-20%-10%0%10%20%253035中国MOSFET(亿美元)增长率东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 14 2.2 行业格局一超多强，国产替代迎来加速期 海外龙头主导 MOSFET 器件竞争格局，国内公司正持续发力。对比 2019 及 2020 MOSFET 功率半导体全球份额前十，中国本土企业占比有所提升，国

48、产替代带效果显著。2020年全球 MOSFET 分立器件市场规模为 81 亿美元，英飞凌销售排名第一，市占率达 24.4%，CR10 达 77.9%。中国本土企业中，华润微电子、安世半导体（闻泰） 、士兰微进入前十，分别占比 3.9%、3.8%和 2.2%，合计占比 9.9%。华润微份额较 2019 年提升 0.9%，士兰微则从十名开外挺进前十。 图 16：2020 全球 MOSFET 分立器件份额排名 图 17：2019 全球 MOSFET 分立器件份额排名 资料来源：英飞凌，民生证券研究院 资料来源：英飞凌，民生证券研究院 受益下游新能源市场高景气度，IGBT国产替代空间广阔。全球IGBT

49、器件市场中，2020年英飞凌和富士电机分别以 29.3%和 15.6%的市占率排名第一和第二，CR10 达 85.7%，市场集中度较高。中国本土企业士兰微以 2.6%的市占率排名第十，相比于 2019 年 2.2%，份额提升0.4%。国内 IGBT 产业起步较晚，未来进口替代空间广阔，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT 是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT 产业将迎来黄金发展期。 图 18：2020 全球 IGBT 分立器件份额排名 图 19：2019 全球 IGBT 分立器件份额排名 资料来源：英飞凌，民生

50、证券研究院 资料来源：英飞凌，民生证券研究院 国内企业有望通过“细分产品+性价比”优势，形成自身竞争力。虽然国际大厂目前占据东微半导(688261)/电力设备及新能源 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 15 主要市场，但其高端产品价格高昂，无法满足国内迅速增长的市场需求，导致国内市场供求失衡。近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业对国际先进技术的持续引进以及自主创新获快速发展，东微半导等部分企业掌握了 MOSFET、IGBT 等细分品类的核心技术，凭借产品高性价比、高速率、高性能不断提高市场占有率，在与国外厂