1、 证券研究报告 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明 公司深度报告公司深度报告 Table_IndustryName 半导体半导体 Table_ReportDate 2022 年年 05 月月 10 日日 Table_Title 【银河电子】公司深度报告【银河电子】公司深度报告_ _国产中小国产中小容量存储芯片龙头，利基型市场需求容量存储芯片龙头，利基型市场需求提升带动公司成长提升带动公司成长 东芯股份东芯股份(688110) 推荐推荐( (首次首次) ) 核心观点核心观点： Table_SummaryTable_Summary 布局布局 1xnm1xnm 和车规级产品等高价值增值

2、产品，公司长期成长确定。和车规级产品等高价值增值产品，公司长期成长确定。 公司是中小容量存储芯片领导企业，从短期来看，公司受益于存储芯片市场扩容带来的业绩增长， 供需不平衡问题仍会使产业链周期向上，长期来看，随着车规级存储芯片放量、利基存储市场需求持续增长、公司产品技术研发持续投入，公司将持续受益于内外部成长带来的确定性业绩。 存储市场空间持续扩容，新应用场景带来新成长方向存储市场空间持续扩容，新应用场景带来新成长方向 从国内市场空间来看，2020 年中国存储芯片市场规模约为183.62 亿美元，预计 2024 年，市场规模将达到 552.68 亿美元，近 4年复合增长率达到 29.98%，同

3、时随着 CPU 更新换代带来的 PC 和服务器出货增长、汽车智能化、IoT 设备出货量增加带来的需求增长，市场空间持续扩容，其中计算和通讯在 DRAM 需求占比达到 45.9%和36.5%，在 NAND Flash 中占比达到 54.8%和 34.1%，为需求量最大的市场。从竞争角度来看，大容量 NAND 目前基本被海外市场占据，SLC NAND 市场中， 华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额， 随着国产化需求的不断提高，国内企业将迎来良好的发展契机。 聚焦中小利基市场，研发加码产品力突破聚焦中小利基市场，研发加码产品力突破 公司深耕存储芯片领域，凭借国产自主知识产权、完善的研发体系和芯片涉

4、及能力，专注构建在 NAND、NOR、DRAM 和 MCP 领域护城河，丰富公司产品线。从产品能力上看，公司在 NAND、NOR 在制程和产品性能测试上已基本具备与海外厂商竞争的能力，DRAM 仍存在部分差距。 公司供应链体系稳定， 上下游保持紧密合作。 公司在 SLC NAND Flash 及 NOR Flash 两大产品线领域，与中芯国际、紫光宏茂和中芯长电紧密合作，形成稳定的国内供应链体系，多家同时主控芯片厂商与东芯建立了生态合作协议，通过存储产品在平台厂商验证的方式，不仅提升了公司存储产品在产业内的认可度同时也可根据厂商要求不断改进最新产品和缩短客户导入周期。 盈利预测盈利预测 我们预

5、计 2022-2024 年营收分别为 14.72 亿元、19.50 亿元、25.41 亿元，同比增长 29.74%、32.49%、30.33%，对应当年 EPS 为0.91、 1.18、 1.51， 对应 2022-2024 年 PE 为 35.76X、 27.70X、 21.72X，我们认为，随着长期存储芯片市场扩容和公司车规级产品的爆发，公司未来成长性可期，首次覆盖给与“推荐推荐”评级。 风险提示风险提示 半导体行业供需结构发生改变；疫情因素带来的不确定性影响；公司新产品研发不及预期；新技术变革带来的不确定性。 Table_Authors 分析师分析师 高峰 ： ：

6、gaofeng_ 分析师登记编码：S01 联系人联系人 王子路 ： ：wangzilu_ 市场数据市场数据 2022-05-09 A 股收盘价(元) 32.86 股票代码 688110 A 股一年内最高价(元) 51.00 A 股一年内最低价(元) 26.18 上证指数 3,004.14 市盈率 3.70 总股本（万股） 44,225 实际流通 A 股（万股） 8,479 流通 A 股市值(亿元) 28 Table_Chart Table_QuotePic 图：公司图：公司相对沪深相对沪深 300300 表现图表现图 Table_Chart 资料来

7、源：Wind，中国银河证券研究院 -78%-68%-58%-48%-38%-28%-18%-8%2%21/12/1022/1/922/2/822/3/1022/4/922/5/9东芯股份沪深300 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 证券研究报告 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明 主要财务指标主要财务指标 2021 2022E 2023E 2024E 营业收入(百万元) 1134.28 1471.60 1949.69 2541.08 收入增长率% 44.62% 29.74% 32.49% 30.33% 归母净利润（百万元） 261.80 404.

8、63 522.46 666.38 利润增速 1240.27% 54.56% 29.12% 27.55% 毛利率 42.12% 39.19% 39.67% 39.80% 摊薄 EPS(元) 0.77 0.91 1.18 1.51 PE 42.49 35.76 27.70 21.72 PB 5.23 3.43 3.05 2.67 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 MB8VnVhYiXkWgWvWlX9PaO8OmOpPtRmOlOqQmRlOmNoM9PrRwPvPnOnMMYtOqR 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 证券研究报告 请务必阅读正文最后的中国

9、银河证券股份公司免责声明 目目 录录 一、国产利基存储芯片企业，业绩长期稳健增长一、国产利基存储芯片企业，业绩长期稳健增长 . 1 （一）国产中小存储芯片龙头企业，股权结构稳定 . 1 二、存储市场空间广阔，国产替代迎发展机遇二、存储市场空间广阔，国产替代迎发展机遇. 5 （一）存储芯片为 IC 领域增长最快赛道 . 5 （二）多细分领域对存储需求增加，存储市场仍在扩容 . 7 三、多因素同频共振，公司迎发展新机遇三、多因素同频共振，公司迎发展新机遇. 11 （一）主流存储芯片持续研发，差异化竞争聚焦小客群市场 . 11 （二）完善供应链和销售体系，提升整体运行效率 . 13 （三）工艺流程研

10、发持续加码，实现产品性能突破 . 14 四、盈利预测与投资建议：四、盈利预测与投资建议： . 17 （一）盈利预测 . 17 （二）估值分析与投资建议 . 18 五、风险提示五、风险提示 . 18 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 1 一、一、国产利基存储芯片企业，业绩长期稳健增长国产利基存储芯片企业，业绩长期稳健增长 （一）国产中小存储芯片龙头企业，股权结构稳定 东芯半导体股份有限公司成立于 2014 年 11 月 26 日，由闻起投资和 CD 香港共同出资建立，总部位于上海，同时在深圳拥有一家分公司，同时

11、在南京、香港、韩国均设有子公司，是目前国内少数拥有自主知识产权专注中小存储芯片领域的研发设计厂商，也是国内少数拥有NAND Flash、NOR Flash、DRAM 产品等存储芯片解决方案的厂商。从产品下游布局来看，公司存储芯片产片在工业控制、通讯网络、消费电子、移动设备和物联网领域均有布局。 图图 1：公司产品应用领域公司产品应用领域 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 从公司发展历程来看，公司于 2015 年初在中芯国际的工艺平台开始 SLC NANS 产品研发，同年成功研发拥有自主知识产权的 1Gb SPI NAND Flash 芯片，此后持续在产品制成、容量上进行技术研发迭代，

12、于2016年获上海市高新技术企业认定， 2019年公司完成股份制改革， 2021 年末公司成功登陆科创板。 图图 2：公司发展历程公司发展历程 资料来源：中国银河证券研究院 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 2 根据公开资料显示，东方恒信为公司控股股东，持有公司 43.18%，蒋学明通过为公司实际控制人，持有 49.96%表决权。公司于 2015 年通过受让股份并增资的方式成为 Fidelix 控股股东， 吸收后双方业务开展边界清晰， Fidelix 主要负责 DRAM 和 MCP 产品研发和销售工作，也可研

13、发 NAND Flas 和 NOR Flash，东芯半导体主要负责 SLC NAND Flash 和 NOR Flash 产品研发和升级。此后，公司于 2019 年股改后引入中电基金、海通创投为股东，2020 年进一步引入哈勃科技、国开科创等机构。 图图 3：公司股权结构公司股权结构 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 （二）主营业绩亮眼，成长较为确定 公司公司整体业绩整体业绩亮眼，亮眼， 整体盈利能力提升水平较高整体盈利能力提升水平较高。 受益于半导体行业 2021 年景气度较高，公司存储芯片产品市场呈现量价齐升的趋势， 行业整体的规模效应显现。 公司从 2017 年的 3.58亿收入增

14、长至 2021 年的 11.34 亿元，近 4 年复合增长为 33.41%。从利润端来看，公司 2021 年净利润实现 2.62 亿元，同比增长 1240.27%，归母净利润 2.55 亿元，同比增长 1354.24%。公司盈利能力凸显，经营成果实现质的飞跃。 图图 4：2017-2018 公司营收及增速公司营收及增速 图图 5：2017-2018 公司公司归母利润归母利润及增速及增速 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 NAND 产品贡献过半营收，为其核心拳头产品。产品贡献过半营收，为其核心拳头产品。从公司各项产品营收构成来看，NAND、0%20%

15、40%60%058201920202021营业收入（亿元）yoy-500%0%500%1000%1500%-2-0021归母净利润（亿元）yoy 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 3 NOR、DRAM 为其具备完整存储芯片解决方案的产品，同时工业产品线也可通过自产 DRAM和购入 SK 海力士的 NAND 组合构成 MCP 产品。 从公司各业务条线收入体量来看， NAND 逐步成为公司的核心产品，收入从 2020 年的 3.98 亿提升至 6.

16、60 亿，收入占比在 2021 年达到58.16%逐步成为公司的核心产品。 图图 6：公司公司各项产品营收各项产品营收规模规模 图图 7：公司各项产品营收占比：公司各项产品营收占比 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 供需周期叠加规模效应，毛利率和净利率均有大幅提升。供需周期叠加规模效应，毛利率和净利率均有大幅提升。从公司整体利润率水平来看，受近两年半导体周期带来的存储芯片量价齐升的因素叠加公司生产带来的规模效应，2021 年公司整体毛利率提升至 42.12%，相较 2020 年提升 20.12pct，毛利率增长较快，分拆到各产品线来看，公司 NAN

17、D 产品 2021 年毛利率 51.07%，同比提升 28.03pct，公司多产品毛利率均提升明细，主要受行业供需周期带来的毛利提升。公司的净利率也由 2020 年的 1.80%提升至 2021年的 25.05%，因此，公司无论在生产经营还是费用把控方面都有了明显提升。 图图 8：公司毛利率和净利率情况：公司毛利率和净利率情况 图图 9：各产品毛利率情况：各产品毛利率情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 供不应求叠加代工紧张，最近三年公司主力产品线呈现供不应求叠加代工紧张，最近三年公司主力产品线呈现 ASP 提升趋势提升趋势。公司 NAND 产品

18、划分主要系 1Gb 小容量和 2Gb 及以上大容量， 自 19 年末起， 公司大容量存储芯片出货量增长较快， 同时叠加 2020 年 NAND 市场需求回暖， NAND 产品单价逐步抬升， 同时 2021 上半年，晶圆产能紧张进一步推动产品单价持续增长，2021H1，NAND 产品平均单价为 7.63 元/颗，单价变动率为 63.73%。NOR、DRAM 价格相对保持稳定区间。 0.791.771.483.986.600.320.971.661.831.881.681.671.221.331.780.710.680.610.470.790.070.000.160.220.290.002.004

19、.006.008.0010.0012.00200202021NANDNORMCPDRAM技术服务22.02%34.72%28.91%50.78%58.16%9.03%19.05%32.37%23.28%16.53%47.00%32.74%23.72%16.94%15.72%19.96%13.41%11.85%5.98%6.97%1.91%0.02%3.04%2.81%2.54%0%20%40%60%80%100%200202021NANDNORMCPDRAM技术服务-40%-20%0%20%40%60%200202021销售毛利

20、率销售净利率0%10%20%30%40%50%60%20021NANDNORDRAMMCP 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 4 图图 10：2018-2021H1 公司各类产品的公司各类产品的 ASP 情况情况 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 从研发人员来看，2021 年末公司共有研发人员 87 人，占公司员工总数 47.28%，平均研发人员薪酬为 53.66 万元，同比增长 17.8%。从研发投入来看，公司研发支出持续增长，2021 年公司研发支出 7841 万元，同比增长

21、 57.36%，主要系当期研发人员、研发设备采购带来的支出增长。公司短期收入增长较快，研发投入未来持续跟进，2021 年整体研发费用率保持 6.60%，未来仍有较大提升空间。 图图 11：2018-2021 年公司研发投入情况年公司研发投入情况 图图 12：公司研发人员占比：公司研发人员占比 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 0246801920202021H1NANDNORDRAMMCP-40%-20%0%20%40%60%80%00.20.40.60.820021研发费用同比增长研发费用率47%53%

22、研发人员其他 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 5 二、二、存储市场空间广阔，存储市场空间广阔，国产替代迎发展机遇国产替代迎发展机遇 （一）存储芯片为 IC 领域增长最快赛道 根据断电后信息是否保留，存储芯片分为易失性根据断电后信息是否保留，存储芯片分为易失性（VM）存储芯片与非易失性存储芯片与非易失性（NVM）存存储芯片。储芯片。电路断电后，易失性存储器芯片无法保留数据，这类产品包括 DRAM 和 SRAM，其中 DRAM 为半导体存储主流方案，SRAM 产品主要用于 CPU 的主缓存以及辅助缓存。非易失性

23、存储芯片产品在断电后存储芯片仍保留数据，代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。 图图 13：半导体存储芯片分类半导体存储芯片分类 资料来源：中国银河证券研究院 内存 DRAM 和闪存 NAND Flash、NOR Flash 为应用最广泛芯片。DRAM 相比 SRAM 优势表现在每一 bit 数据仅需一个电容和晶体管处理，而 SRAM 上一个比特通常需要六个晶体管，因此 DRAM 具有密度高、单位体积容量高、单位成本低的特点。同为闪存的 NAND Flash和 NOR Flash 主要在于应用领域的不同，NAND 主要应用于智能手机、SSD、SD 卡等大容量产品，而 NOR

24、 主要应用于功能机、MP3、USBkey、DVD 等低端产品。此外，在汽车电子、智能机手机中 TDDI、AMOLED 中也会用到 NOR 存储。 表表 1：各类型存储芯片性能对比各类型存储芯片性能对比 DRAM DRAM NAND FlashNAND Flash NOR NOR FlashFlash 当前市场份额 53% 42% 2% 当前制程 18/17nm 16/15nm 55/28nm 成本 高 低 中 挥发性 易失性 非易失性 非易失性 随机读取 极快 低速 高速 擦处与写入速度 极快 高速（4ms） 低速（5s） 尺寸 - 小，NOR 的 1/8 大 寿命 接近无限 百万次 十万次

25、工号 - 中 高速 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 6 容量 低 Mb/Gb 高 Gb/Tb 中 Mb/Gb 资料来源：前瞻产业研究院，中国银河证券研究院 根据功能不同，IC 产品主要分为四类，存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片以及微处理器。2021 年在全球整个集成电路市场中，存储芯片市场规模仍然最大，占整个集成电路行业市场规模比重达到 35.05%，而逻辑芯片、微处理器以及模拟芯片的市场规模占比分别为 32.49%、16.82%和 15.64%。存储芯片主要产品中，DRAM 和 NAND Flash 占比接近

26、九成，从 2020 年存储芯片市场来看，DRAM 是存储芯片领域最大细分市场，占市场规模比为 58%，NAND Flash约占 40%左右，NOR Flash 占据不足 2%的市场份额。 图图 14：2021 全球集成电路产品细分市场占比全球集成电路产品细分市场占比 图图 15：全球存储芯片产品细分市场占比全球存储芯片产品细分市场占比 资料来源：华经产业研究，中国银河证券研究院 资料来源：华经产业研究，中国银河证券研究院 新型领域逐步崛起，存储芯片市场规模持续扩容。新型领域逐步崛起，存储芯片市场规模持续扩容。随着汽车电子、智能制造、数字经济等新领域发展，存储芯片的需求也在稳步增长，2020 年

27、全球存储芯片市场规模 1227 亿美元，同比增长 11.14%，预计未来 3 年后市场空间将达到 2196 亿元，年复合增长率达到 20%。从国内市场来看，2020 年中国存储芯片市场规模约为 183.62 亿美元，预计 2024 年，市场规模将达到552.68 亿美元，近 4 年复合增长率达到 29.98%，增长速度快于海外市场。 图图 16：全球存储芯片市场规模：全球存储芯片市场规模 图图 17：中国存储芯片市场规模：中国存储芯片市场规模 资料来源：IC insights，中国银河证券研究院 资料来源：头豹研究院，中国银河证券研究院 从竞争格局来看， 存储芯片市场集中度高， 海外厂从竞争格

28、局来看， 存储芯片市场集中度高， 海外厂暂时呈现暂时呈现垄断局面。垄断局面。 韩国三星在 DRAM和 NAND 领域具备领先优势， 海力士和美光的市场份额同样比较高， DRAM 行业 CR3 占比接近 95%，国产存储芯片厂市占率还处于较低水平，NAND Flash 领域三星（33.10%） ，铠侠（21.40%） ，西部数据（14.30%） ，海力士（11.30%） ，行业 CR3 接近 68.8%。 16%32%35%17%模拟芯片逻辑芯片存储器微处理器53%44%2%1%DRAMNAND FlashNOR Flash其他-50%0%50%100%050100150200全球存储芯片市场规

29、模(十亿美元)YOY0%10%20%30%40%50%60%00500600中国存储芯片市场规模（亿美元）YOY 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 7 图图 18：DRAM 市场竞争格局市场竞争格局 图图 19：NAND Flash 是市场竞争格局是市场竞争格局 资料来源：TrendForce，中国银河证券研究院 资料来源：TrendForce，中国银河证券研究院 （二）多细分领域对存储需求增加，存储市场仍在扩容 对于周期成长性赛道来说，需求增加对市场扩容起到决定性作用。对于周期成长性赛

30、道来说，需求增加对市场扩容起到决定性作用。 随着近年来随着近年来 CPU 更新换代带来的更新换代带来的 PC 和服务器出货增长、汽车智能化、和服务器出货增长、汽车智能化、IoT 设备出货量设备出货量增加带来的需求增长， 存储芯片市场有望再次迎来扩容。增加带来的需求增长， 存储芯片市场有望再次迎来扩容。 根据 Omida 数据显示， 全球市场中，计算（PC服务器） 、通讯、消费和工业领域是对存储芯片需求量最大的市场，其中计算和通讯在 DRAM 需求占比达到 45.9%和 36.5%，在 NAND Flash 中占比达到 54.8%和 34.1%，为需求量最大的市场。 随着服务器芯片更新换代、 5

31、G 联网设备的推进以及智能汽车领域的稳步放量，未来存储芯片市场有望继续保持高增长。 图图 20：2020 年年 DRAM 下游应用下游应用 图图 21：2020 年年 NAND Flash 各行业销售占比各行业销售占比 资料来源：Omdia，券研究院 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 NAND Flash 产品具有存储容量大、写入擦除速度快的特点，使用场景多为大容量数据存储，例如智能手机、平板、SDD、服务器等领域。NAND Flash 闪存从产品设计上可以分为以下几类，分别为平面的 SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND、QLC NAND 和立体的 3D NAND，其中

32、平面四类每个单元存储信息依次递增，电压变化随存储信息增多成指数级增长，但寿命也随之减少。SLC 产品凭借高可靠性的擦除、高带宽、寿命长等优势在 IoT 领域广泛应用，同时，SLC NAND 也是向大容量 NAND 拓展的必经之路。 3.00%1.00%2.00%44.00%27.00%23.00%南亚科技华邦其他三星海力士美光33.50%18.90%14.30%13.50%9.70%9.50%0.60%三星铠侠（东芝）WDC（闪迪）美光SK 海力士英特尔其他52.40%2.70%34.00%6.70%2.60%1.60%数据处理有线通信无线通信消费类汽车电子工业54.80%6.10%2.60%

33、35.20%1.20%0.100%计算消费工业通讯汽车军工航空 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 8 图图 22：NAND Flash 产品分类情况产品分类情况 资料来源：中国银河证券研究院 从市场规模来看，2019 年 NAND Flash 整体正常空间在 600 亿左右，但 SLC 市场空间仅为 16.71 亿美元，占总市场规模 2%左右，根据公司招股书显示，预计到 2024 年，全球 SLC NAND 市场规模将达到 23.24 亿元，未来 4 年复合增长在 6%左右。从竞争角度来看，大容量NAND 目

34、前基本被海外市场占据，三星、海力士、美光、西部数据合计占据 90%以上市场规模，SLC NAND 市场中，华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额，随着国产化需求的不断提高，国内企业将迎来良好的发展契机。 图图 23： 2016-2020 全球全球 NAND Flash 规模 （规模 （亿美元）亿美元） 图图 24：全球全球 SLC NAND 市场规模（亿美元）市场规模（亿美元） 资料来源：China Flash Market，中国银河证券研究院 资料来源：Gartner，中国银河证券研究院 从需求来看，从需求来看，5G 和和物联网物联网设备设备、汽车智能化汽车智能化将是未来将是未来 SLC N

35、AND 需求增长的推动力需求增长的推动力。5G 渗透率持续提升后，全球物联网连接数将快速增长，根据 IOT Analytics 数据显示，2020 年全球物联网连接数将达到 117 亿，预计到 2025 年，物联网连接数将达到 309 亿，符合增长率达到 27.48%，物联网设备连接数持续增长将带动相关市场规模提升，物联网应用领域的落地将加速相关芯片放量。在 ADAS 将成为汽车未来趋势之一，智能汽车相关领域的芯片需求也在提升，NAND 相比 NOR 从单位成本更具优势，根据 Gartner 数据显示，2019 年全球 ADAS中的 NAND Flash 存储消费 2.2 亿 GB，预计 20

36、24 年，全球 ADAS 领域的 NAND Flash 存储消费将达 41.5 亿 GB，2019-2024 年复合增速达 79.8%。 0050060070020052025 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 9 图图 25：全球物联网设备连接数：全球物联网设备连接数 图图 26：全球：全球 ADAS 中中 NAND 存储需求情况存储需求情况 资料来源：IOT Analytics，中国银河证券研究院 资料来源：Gartner，中国银河证券研究

37、院 NOR Flash 是一种通用性的存储芯片，具有芯片内执行、读取速度快、没有坏块、稳定性高等特点，通常用于智能手机、消费电子、工控等领域代码存储需求。相比 NAND，NOR 芯片能够直接运行其内在代码，无需系统 RAM 就可直接运行，但是缺点在整体容量较小，一般为 1Mb-2Gb 左右。 图图 27：NAND 和和 NOR 产品性能对比情况产品性能对比情况 资料来源：Toshiba，中国银河证券研究院 从市场空间来看，自 2015 年后，随着 TWS 耳机、智能连接设备、车载等领域的扩容，市场规模稳步增长，2020 年市场空间达到 25 亿美元。从竞争格局来看，随着 18 年后美光和赛普拉

38、斯退出 NOR 产品市场，当前，旺宏、华邦、兆易创新市场占有率排名前三，市场份额分别为 26.2%、24.5%、18.8%。 图图 28：2006-2022E 全球全球 NOR Flash 市场规模市场规模 图图 29：NOR Flash 市场格局市场格局 资料来源：CINNO，中国银河证券研究院 资料来源：CINNO，中国银河证券研究院 0%10%20%30%0100200300全球物联网设备连接数量（亿个）yoy00182019 2020E 2021E 2022E 2023E 2024E020406080200620072008200920013

39、200020E2021E2022E25.40%22.50%15.60%10.90%25.60%华邦旺宏兆易创新赛普拉斯其他 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 10 从未来发展趋势上看，接口优化在逐步提升，终端产品响应速度将实现接近零延迟，要求NOR Flash 不断提升数据提取速度，当前市场领先 NOR 产品均搭载了双倍传输速率的 SPI 接口，数据读取频率可达到 200MHz，数据读取速度可达到 400Mbit/s，同时行业多数产品表现出功率指标下降趋势，低功耗已

40、成为存储产品竞争能力的一种体现。 从 DRAM 产品来看，主要分为包括 DDR 产品和低功耗的 LPDDR 产品。由于 DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，DRAM 存储应用下游主要是 PC、IM、服务器和消费电子领域。DRAM 具备比较大的市场空间，2020 年市场空间达到 603 亿美元，占芯片市场总规模达到 58%，而在东芯股份涉足的利基 DRAM 市场中，2019 年总体市场规模达到 55 亿美元，占 DRAM 市场约 10%左右。 图图 30：DRAM 产品持续迭代产品持续迭代 图图 31：全球全球 DRAM 市场规模市场规模 资料来源：IC Capital，

41、中国银河证券研究院 资料来源：IC Insights，中国银河证券研究院 0%20%40%60%80%100%120%140%160%180%200%02004006008000市场规模（亿美元）YOY 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 11 三、三、多因素同频共振，公司多因素同频共振，公司迎迎发展新机遇发展新机遇 （一）主流存储芯片持续研发，差异化竞争聚焦小客群市场 公司产品线丰富，差异化聚焦中小利基存储市场。公司深耕存储芯片领域，凭借国产自主知识产权、完善的研发体系和芯片涉及能力，专

42、注构建在 NAND、NOR、DRAM 和 MCP 领域护城河，丰富公司产品线。具体来看，公司所受出售产品主要为 SLC NAND、消费级 NOR 产品与或 NOR 于 DRAM 合凤在同意封装存储芯片，公司产品下游主要应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等领域。 ，同时由于在工业和消费领域，对存储芯片可靠性要求高，工业级产品导入期比较长。 图图 32：公司主要产品类型公司主要产品类型 资料来源：公司官网，中国银河证券研究院 研发加码，逐步累积核心技术。研发加码，逐步累积核心技术。凭借多年在产业内积累，公司掌握了与主营业务相关的多项核心技术，目前已取得 82 项发明专利，拥有集成电路布

43、图设计登记证书 34 项以及 13 项软件著作权。同时公司在 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，其中 NAND 核心技术涉及 6 项，NOR 涉及 2 项，DRAM 涉及 1 项。 表表 2：公司自主研发的核心技术公司自主研发的核心技术 序号序号 涉及产品涉及产品 核心技术名称核心技术名称 技术来源技术来源 用途用途 所处阶段所处阶段 1 Flash 局部自电位升压操作方法 自主研发 能有效降低在编写操作时的干扰，提高产品可靠性 已量产使用 2 步进式、多次式编写/擦除操作方法 自主研发 可有效控制阈值电压分布，提高产品可靠性 已量产使用 3

44、内置 8 比特 ECC 技术 自主研发 通过先进的 ECC 技术，提高产品可靠性 已量产使用 4 针对提高测试效率的芯片设计方法 自主研发 通过复用引脚和并行测试等方法实现同时测试超1,000 颗裸片 已量产使用 5 内置高速 SPI 接口技术 自主研发 通过闪存工艺，实现 SPI 接口的集成 已量产使用 6 缩减布局区域的闪存装置 自主研发 通过共用有源区的方法，缩减芯片面积 已量产使用 7 NOR Flash 提高擦除可靠性技术 自主研发 通过优化擦除操作算法，提高产品可靠性 已量产使用 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股

45、份公司免责声明。 12 8 数据自动刷新技术 自主研发 通过优化刷新操作算法，提高产品可靠性 已量产使用 9 DRAM DRAM 单元 2D/3D 制造方法 自主研发 通过优化 DRAM 单元布局，减少 DRAM 单元面积 已完成技术开发 资料来源：公司年报，中国银河证券研究院 从现有产品线来看，公司产品线布局不断丰富，不断完善多存储布局，NOR 产品线从32MB 到 512MB 均具备量产能力，从制程技术来看，公司具备 48nm 256Mb NOR Flash 量产能力， 未来公司将继续在车规级产品线继续布局；NAND 产品， 公司具备已经覆盖 1Gb-8Gb，下游场景已经满足消费级、工业级

46、在不同场景的需求，未来公司将继续向 1xnm NAND 制程发力；公司 DRAM 主要包含 DDR 和 LPDDR，LPDDR1/2 目前适合移动终端和可穿戴设备，制程为 38nm、25nm 2Gb DDR3，公司已具备量产能力。 图图 33：公司各类产品发展轨迹公司各类产品发展轨迹 资料来源：公司官网，中国银河证券研究院 从产品能力上看，公司在 NAND、NOR 在制程和产品性能测试上已基本具备与海外厂商竞争的能力，DRAM 仍暂时存在差距。 表表 3：公司产品技术能力和海外产品差距公司产品技术能力和海外产品差距 项目项目 公司公司技术水平技术水平 国际主流技术水平国际主流技术水平 国内其他

47、技术水平国内其他技术水平 SLC NAND Flash 产品类型 SLC NAND Flash SLC NAND Flash SLC NAND Flash 制程范围 24-38nm 16-24nm 38 nm 产品性能 1、工作温度：-40至 1052、存储容量：512Mb8Gb 1、工作温度：-40至 1052、存储容量：1Gb16Gb 1、工作温度：-40至 852、存储容量：1Gb4Gb NOR Flash 制程范围 48-90nm 45-55nm 50-65nm 产品性能 1、工作温度：-40至 852、存储容量：2Mb256Mb 1、工作温度：-40至 1252、存储容量：512Kb

48、1Gb 1、工作温度：-40至 852、存储容量：1Mb256Mb DRAM 产品类型 1 DDR3 DDR5 DDR3, DDR4 制程范围 25nm 17nm 25nm，20nm 产品性能 1、工作电压：1.35v/1.5v2、传输速率：1600Mbps 1、工作电压：1.2v2、传输速率：4800Mbps 1、工作电压：1.2v2、传输速率：3200Mbps 产品类型 2 LPDDR2 LPDDR5 LPDDR4 制程范围 38nm 17nm 20nm 产品性能 传输速率：1066Mbps 传输速率：4800Mbps 传输速率：3200Mbps 公司深度报告公司深度报告/东芯股份（东芯股

49、份（688110.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 13 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院整理 （二）完善供应链和销售体系，提升整体运行效率 公司供应链体系稳定，上下游保持紧密合作。公司供应链体系稳定，上下游保持紧密合作。公司在 SLC NAND Flash 及 NOR Flash 两大产品线领域，与中芯国际、紫光宏茂和中芯长电紧密合作，形成稳定的国内供应链体系，同时公司加强了晶圆采购统一管理战略， 提升了晶圆采购效率和议价能力， 由东芯公司统一向晶圆代工厂下单投片。在面向下游公司销售时，采用经销和直销相结合模式，公司和经销商之前采用买断式销售，直销模式下，终

50、端客户直接向公司下订单。 图图 34：公司供应链体系非常稳定公司供应链体系非常稳定 资料来源：公司官网，中国银河证券研究院 多平台认证加码， 公司具备向多下游客户服务体系。多平台认证加码， 公司具备向多下游客户服务体系。 多家主控芯片厂商与东芯建立了生态合作协议， 通过存储产品在平台厂商验证的方式， 不仅提升了公司存储产品在产业内的认可度同时也可根据厂商要求不断改进最新产品和缩短客户导入周期。 公司多款产品已获得高通、 博通、联发科和紫光展锐等多家主流厂商的验证认可，同时进入到多应用场景龙头企业供应链，包括三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户，公司存储芯片广泛应用于通