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长光华芯-首次覆盖:稀缺的半导体激光芯片平台型企业纵横向一体化布局-220518(34页)(34页).pdf

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1、公司深度研究 | 长光华芯 1 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 稀缺的半导体激光芯片平台型企业,纵横向一体化布局 长光华芯(688048.SH)首次覆盖 公司深度研究公司深度研究 | 长光华芯长光华芯 公司评级 增持 股票代码 688048 前次评级 评级变动 首次 当前价格 80.74 近一年股价走势近一年股价走势 分析师分析师 雒雅梅雒雅梅 S0800518080002 相关研究相关研究 -27%-15%-3%9%21%33%45%-092022-01长光华芯半导体沪深300 核心结论核心结论 稀缺的半导体激光芯片平台稀缺的半导体激光芯片平台型型企业企业。公司成

2、立于2012年,产品包括高功率单管系列、 高功率巴条系列、 高效率VCSEL系列, 21年收入占比为84%、13%、2%。依托半导体激光芯片优势,公司纵向延伸器件、模块、直接半导体激光器,横向拓展VCSEL、光通信芯片。公司是全球第二、国内唯一拥有6时量产线厂商。受益核心技术及国产替代趋势,公司业绩快速增长, 21年实现营收4.3亿元, 同比74%; 归母净利润1.15亿元, 同比340%。 纵向纵向延伸延伸:芯片器件模块直接半导体激光器:芯片器件模块直接半导体激光器。据我们测算,21-25年国内高功率激光芯片市场规模为15/17/19/21/23亿元, 21年公司份额仅13%,未来有望占据超

3、50%份额,主要基于:1)技术优势:公司高功率激光芯片技术能力国内领先,产品性能对标甚至超海外厂商;2)国产替代: 中美贸易摩擦加速高功率激光芯片及光纤激光器国产化进程。 依托高功率激光芯片优势,公司纵向延伸至器件、模块及直接半导体激光器。据我们测算, 21-25年国内模块市场规模为90/98/109/120/135亿元, 21年公司份额仅1.6%。公司具备从芯片到模块自主可控能力,具备核心优势。 横向横向扩展扩展:EELVCSEL光通信芯片光通信芯片。VCSEL主要用于消费电子,如手机、AR、安全支付等。据Yole数据,VCSEL市场规模将由20年的11亿美元增长至25年的27亿美元。此外,

4、激光雷达为新应用场景,据我们测算, 22年车规激光雷达发射芯片市场为0.2亿美元, 预计25/30年分别达2.0/7.8亿美元。全球VCSEL市场被海外厂商垄断,合计份额超94%。公司是国内VCSEL领先厂商,IDM模式自主可控。此外,公司还布局InP光通信芯片, 目前已具备量产能力, 有望打破高速率光通信芯片卡脖子技术。 盈利预测与估值盈利预测与估值。预计22-24年净利润2.0/3.1/4.1亿元,未来三年业绩增速较快,给予23年40 xPE,目标价91.2元,首次覆盖,给予“增持”评级。 风险提示:市场竞争加剧风险;产品价格下降风险;技术迭代风险。 核心数据核心数据 2020 2021

5、2022E 2023E 2024E 营业收入(百万元) 247 429 727 1,047 1,401 增长率 78.5% 73.6% 69.5% 43.9% 33.8% 归母净利润 (百万元) 26 115 200 309 410 增长率 120.3% 340.5% 73.5% 54.3% 32.9% 每股收益(EPS) 0.19 0.85 1.48 2.28 3.02 市盈率(P/E) 418.2 94.9 54.7 35.5 26.7 市净率(P/B) 16.2 12.9 3.2 3.0 2.7 数据来源:公司财务报表,西部证券研发中心 证券研究报告证券研究报告 2022 年 05 月

6、18 日 公司深度研究 | 长光华芯 2 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 索引 内容目录 投资要点 . 5 关键假设 . 5 区别于市场的观点 . 5 股价上涨催化剂 . 5 估值与目标价 . 5 长光华芯核心指标概览. 6 一、长光华芯:稀缺的半导体激光芯片平台型企业,纵横向一体化布局 . 7 1.1 公司概况:稀缺的半导体激光芯片平台型企业 . 7 1.2 主营业务:国内高功率激光芯片龙头,纵横向一体化布局 . 8 1.3 股权结构:无实际控制人,核心骨干共同管理 . 10 1.4 历史复盘:技术突破叠加国产替代,业绩加速增长

7、 . 11 1.5 核心技术:外延生产、腔面钝化、镀膜、封装 . 13 1.6 财务分析:盈利能力持续提升,期间费用率大幅降低 . 13 1.7 募投项目:一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸 . 14 二、纵向延伸:芯片器件模块直接半导体激光器 . 15 2.1 “一支点”:国内高功率半导体激光芯片龙头,技术性能比肩国际巨头 . 15 2.2 纵向延伸:延伸至激光器件、模块及直接半导体激光器 . 22 三、横向扩展:EELVCSEL光通信芯片 . 24 3.1 VCSEL:国内 VCSEL 领先厂商,激光雷达+3D 传感市场星辰大海 . 24 3.1.1 激光雷达:2022 年行业实现从 0

8、到 1,享整车智能化浪潮 . 25 3.1.2 3D 传感:国内手机厂商尚未规模应用,长期看 AR 发展 . 26 3.1.3 竞争优势:国内 VCSEL 领先厂商,IDM 模式自主可控. 27 3.2 光通信芯片:5G 催生数据量激增,高速光通信芯片需求旺盛 . 28 四、盈利预测与估值 . 30 4.1 盈利预测 . 30 4.2 估值 . 31 4.3 投资建议 . 31 五、风险提示 . 32 图表目录 图 1:长光华芯核心指标概览图 . 6 图 2:公司历史发展历程 . 7 图 3:高功率半导体激光器单管及巴条芯片示意图 . 7 mNtMnMnOxPqNsQnOwPnPqR7N8Q6

9、MnPnNnPtRiNrRsPkPqRzQ8OoOyRNZsPyRxNoPmN 公司深度研究 | 长光华芯 3 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 图 4:公司各项业务收入增长情况(亿元) . 8 图 5:公司各项业务收入与占比情况 . 8 图 6:公司股权结构 . 10 图 7:公司营业收入及增速情况(亿元) . 12 图 8:公司归母净利润及增速情况(亿元) . 12 图 9:器件工艺线系统联合调试快速反馈、优化 . 13 图 10:公司核心底层技术 . 13 图 11:公司盈利能力情况 . 14 图 12:公司各项业务毛利率情况

10、 . 14 图 13:公司期间费用率持续降低 . 14 图 14:公司资产负债率较低 . 14 图 15:高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目建设规划 . 15 图 16:VCSEL 及光通讯激光芯片产业化项目建设规划 . 15 图 17:半导体激光芯片分为 EEL 及 VCSEL 芯片 . 16 图 18:半导体激光器属于半导体之分立器件之光电子器件行业 . 16 图 19:激光器产业链 . 17 图 20:固体激光器的原理 . 17 图 21:2021 年全球激光器市场规模约为 184.8 亿美元 . 17 图 22:2019 年全球激光器应用市场分布 . 17 图 23:2019-20

11、20 年中国光纤激光器市场分布情况 . 21 图 24:2013-20 年小功率(100W)光纤激光器进出口情况(台) . 21 图 25:2013-20 年中功率(1.5KW)光纤激光器进出口情况(台) . 21 图 26:2013-20 年中功率(1.5KW)光纤激光器进出口情况(台) . 21 图 27:2019-20 年中国光纤激光器出货量(台) . 21 图 28:全球泵浦源(光纤耦合模块)市场空间(亿美元) . 22 图 29:中国泵浦源(光纤耦合模块)市场空间(亿元) . 22 图 30:各类型激光雷达发射芯片占比情况 . 25 图 31:不同类型发光芯片的优劣势 . 25 图

12、32:不同应用领域对于 VCSEL 功率要求 . 25 图 33:VCSLE 结构示意图 . 25 图 34:3D 视觉主要实现方式包括双目视觉、3D 结构光和 3D TOF . 27 图 35:3D 视觉主要实现方式包括双目视觉、3D 结构光和 3D TOF . 27 图 36:2019-25 年 3D 传感器市场规模(百万美元) . 27 图 37:2019-25 年 VCSEL 芯片市场规模(百万美元) . 27 图 38:2019 年全球 VCSEL 市场竞争格局 . 28 图 39:光通信产业链 . 28 图 40:全球数据量增长趋势(ZB) . 28 图 41:全球高速率模块光芯片

13、(25G 以上)市场空间及预测(亿美元) . 29 公司深度研究 | 长光华芯 4 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 表 1:高功率单管系列产品 . 8 表 2:高功率巴条系列产品 . 9 表 3:公司 VCSEL 系列产品 . 10 表 4:公司核心管理层简介 . 11 表 5:公司营业收入按客户拆分情况 . 12 表 6:公司募投项目情况 . 15 表 7:公司募投项目建设进度 . 15 表 8:根据不同的光子类型,其下游激光器类型众多 . 16 表 9:全球及中国高功率半导体激光芯片市场空间测算 . 18 表 10:公司高功率

14、单管芯片性能指标与国内外厂商对比情况 . 19 表 11:公司高功率单管芯片波长范围与国内外厂商对比情况 . 19 表 12:公司高功率巴条芯片性能指标与国内外厂商对比情况 . 19 表 13:公司高功率巴条芯片波长范围与国内外厂商对比情况 . 20 表 14:公司光纤耦合模块与可比公司对比情况 . 22 表 15:公司阵列模块的性能指标与可比公司对比情况 . 23 表 16:VCSEL 与其他半导体光源相比是通信、传感光源的最优选择 . 24 表 17:激光雷达发射芯片市场空间测算 . 26 表 18:不同类型激光器芯片及接收器芯片的产品特性及应用场景 . 29 表 19:公司光通信芯片系列

15、产品 . 30 表 20:公司营业收入拆分 . 30 表 21:可比公司估值情况(Wind 一致预测) . 31 公司深度研究 | 长光华芯 5 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 投资要点投资要点 关键假设关键假设 1)高功率单管系列)高功率单管系列:高功率系列产品包括单管芯片、单管器件、光纤耦合模块、直接半导体激光器。随着公司二季度一期产能投产,半导激光芯片产能将增长 5-10 倍,各项业务有望快速增长。 假设2022-24年单管芯片收入分别为3.9、 5.6、 7.1亿元, 毛利率为68%、68%、 70%; 光纤耦合模块收入分

16、别为 2.2、 3.0、 3.9 亿元, 毛利率为 17%、 17.5%、 18%;单管器件收入分别为 315、449、640 万元,毛利率为 52%、52%、52%;直接半导体激光器收入分别为 761、1131、1470 万元,毛利率为 20%、20%、20%。 2)高功率巴条系列)高功率巴条系列:高功率巴条系列产品包括巴条芯片、巴条器件及阵列模块。假设2022-24 年巴条芯片收入分别为 2453、3029、3741 万元,毛利率为 93%、93%、93%;巴条器件收入分别为 4268、5271、6509 万元,毛利率为 77%、77%、77%;阵列模块收入分别为 413、452、493

17、万元,毛利率为 53%、53%、53%。 3)VCSEL 芯片系列芯片系列:随着激光雷达、3D 传感等新兴市场需求放量,公司 VCSEL 有望加速增长。假设 2022-24 年 VCSEL 芯片系列收入增速分别为 250%、150%、100%,毛利率分别为 60%、60%、60%。 区别于市场的观点区别于市场的观点 市场认为市场认为:高功率半导体激光芯片市场空间不大,公司成长空间有限; 我们认为我们认为:根据我们测算,21 年国内高功率半导体激光芯片市场空间为 15 亿元,公司份额仅为 13%。我们认为公司在国内高功率半导体激光芯片市场有望占据超过 50%以上份额, 主要基于公司产品核心竞争力

18、, 产品性能远超国内厂商, 比肩甚至超过海外头部厂商。此外,除了在高功率半导体激光芯片领域具备较大的份额提升空间,公司还纵向延伸了器件、模块及直接半导体激光器,横向拓展了 VCSE 系列 L、InP 光通信芯片系列产品,是高功率半导体激光芯片平台型公司,成长空间广阔。 股价上涨催化剂股价上涨催化剂 1、二季度一期产能开始投产,半导体激光芯片产能增长 5-10 倍,2022 年业绩有望逐季加速; 2、下半年激光雷达行业有望迎来规模量产上车,公司车规级激光雷达发射芯片有望在下半年开始批量交付。 估值与目标价估值与目标价 我们选取炬光科技、三安光电、纳芯微为可比公司,根据 Wind 一致预测,202

19、2-24 年行业平均 PE 为 61/40/29 倍。公司半导体激光芯片具备稀缺性,考虑到公司刚上市,随着募投项目投产,未来三年净利润增速较高。结合可比公司估值情况,我们给与公司一定的估值溢价,给予 2023 年 40 xPE,目标价 91.2 元,首次覆盖,给予“增持”评级。 公司深度研究 | 长光华芯 6 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 长光华芯长光华芯核心指标概览核心指标概览 图 1:长光华芯核心指标概览图 资料来源:公司官网,西部证券研发中心 公司深度研究 | 长光华芯 7 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西

20、部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 一、一、长光华芯:稀缺的半导体激光芯片平台型企业长光华芯:稀缺的半导体激光芯片平台型企业,纵横,纵横向一体化布局向一体化布局 1.1 公司概况:公司概况:稀缺的半导体激光芯片平台型企业稀缺的半导体激光芯片平台型企业 国内稀缺的半导体激光芯片平台型公司国内稀缺的半导体激光芯片平台型公司。长光华芯成立于 2012 年,成立以来聚焦半导体激光行业,主要产品包括高功率单管系列、高功率巴条系列、高效率 VCSEL 系列及光通信芯片系列等。1)纵向延伸:公司形成了半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器四大类产品,产品广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及

21、超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、国家战略高技术、科学研究等领域;2)横向拓展: 依托高功率半导体激光芯片 (边发射 EEL) 优势, 公司向面发射 VCSEL 芯片扩展,从 GaAs 材料体系扩展至 InP 材料体系,横向拓展了高效率 VCSEL 激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台。芯片生产环节,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻) 、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等 IDM 全流程工艺平台,是全球第二、国内唯一拥有 6 时量产线的厂商。 图 2:公司历史发展历程 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 图 3:高功率半导体激光器单管及巴条芯片示

22、意图 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 公司深度研究 | 长光华芯 8 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 1.2 主营业务:国内高功率激光芯片龙头,纵横向一体化布局主营业务:国内高功率激光芯片龙头,纵横向一体化布局 公司聚焦半导体激光行业,核心产品为半导体激光芯片。依托高功率半导体激光芯片的设公司聚焦半导体激光行业,核心产品为半导体激光芯片。依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,公司往纵横向一体化布局计及量产能力,公司往纵横向一体化布局。1)纵向延伸:往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,下游分别对应光纤激光器、科研及特

23、殊应用领域,分别主要对应单管系列及巴条系列产品。 2021 年公司高功率单管、 巴条系列分别实现营业收入 3.61、 0.56 亿元,分别占营业收入比例为 84.1%、13.1%;2)横向拓展:往 VCSEL 芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。2021 年公司 VCSEL 系列产品实现小批量量产,实现营业收入 820万元。预计 2022 年实现批量量产,下游主要对应消费电子及车载激光雷达领域。 图 4:公司各项业务收入增长情况(亿元) 图 5:公司各项业务收入与占比情况 资料来源:公司公告,西部证券研发中心 资料来源:公司公告,西部证券研发中心 结合高结合高功率半导体激光芯片的优势, 公司

24、纵向延伸至激光器件、 模块及直接半导体激光器功率半导体激光芯片的优势, 公司纵向延伸至激光器件、 模块及直接半导体激光器。纵向延伸有利于更好贴近客户、满足客户需求及适应众多激光应用。1)高功率半导体激光芯片:包括单管芯片及巴条芯片。单管芯片只有一个发光单元,巴条芯片由多个发光单元并成直线排列的激光二极管芯片(巴条芯片经过钝化、镀膜后,可解理为单个发光单元的单管芯片) ;2)单管/巴条器件:由单颗激光芯片经过贴片、金线键合、老化测试等工序封装而成的单颗单管/巴条器件;3)模块:由多颗单管/巴条器件经过光学整形合束耦合而成;4)直接半导体激光器:经过合束模块、电模块安装,整机装配调试,系统老化测试

25、工序后而成。 表 1:高功率单管系列产品 类别 产品图形 产品介绍 高功率单管芯片 采用半导体工艺制造的单个发光单元的边发射激光芯片,由高功率巴条芯片经过钝化、镀 膜,进一步解理而成。 高功率单管器件-COS 系列 由高功率单管芯片经过贴片、金线键合、老化检测等工序封装而成的高功率半导体激光器件。 高功率单管器件-TO 系列 由高功率单管芯片采用 TO 封装形式而得的半导体激光器件。 光纤耦合模块-M 系列 由自主生产的高功率单管芯片经过光学整形合束耦合封装而成,顶盖采用平行缝焊工艺。 由自主生产的高功率单管芯片经过光学整形合束耦合封装而成,顶盖采用平行缝焊工艺。 激光锡焊、塑料焊接定制化模块

26、,集成红光指示、温度探测、功率回返检测、光纤接口抗回返光等功能,光纤芯径及长度可根据客户需求定制。 0.721.032.183.610.190.340.260.560.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.020021高功率单管系列高功率巴条系列VCSEL芯片系列其他78.3%74.1%88.3%84.1%20.7%24.5%10.5%13.1%0.0%0.0%1.2%1.9%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20021高功率单管系列高功率巴条系列VCSEL芯片系列其他 公司深度研究 | 长光华芯

27、 9 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 光纤耦合模块-F 系列 由自主生产的高功率单管芯片经过光学整形合束耦合封装而成,自来水质通水冷却。 百瓦级直接半导体激光器-DDLM 系列 半导体激光直接输出使用,采用自研专业一体化激光模块,高效 ETC 风冷制冷,多波段可调,电光转换效率高,设计紧凑,可选配焊点温度闭环实时监测控制系统。 数百瓦直接半导体激光器-DDLM 系列 可兼容选用 100-500W 功率级单模块半导体激光器,可实现 QCW 超调控制,水冷制冷,采用红光指示、紧凑设计。 中功率直接半导体激光器-DDLF 系列 采用光纤

28、合束输出技术,功率及激光亮度进一步提高,高电光转换效率,水冷制冷,红光指示,紧凑设计。 高功率直接半导体激光器-DDLF 系列 功率进一步提高,可达 8000W,采用红光指示,水冷制冷。 高亮度直接半导体激光器-DDLV 系列 该产品具有具有非常优异的光束质量, 具有独特的金属抗高反性能, 输出波长的金属吸收特性更好,可用于高功率焊接及切割。 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 表 2:高功率巴条系列产品 类别 产品图形 产品介绍 高功率巴条芯片 本芯片是采用半导体工艺制造的由多个发光单元并成直线排列的边发射激光芯片。 高功率巴条器件 对高功率巴条芯片进行贴片封装,将金线键合构成电路,通过

29、老化检测后形成高功率半导体激光器件。 阵列模块-MCP-V、 VQ 系列 本产品为高功率微通道封装半导体激光器,以水冷的方式散热。通过将激光巴条芯片封装为阵列,进一步提高激光输出的效率和功率,可作为固体激光器的泵浦源。 阵列模块-QCP-V 系列 本产品为高功率高温硬焊料封装半导体激光器,同样是激光巴条芯片集成阵列所产生。常用于固体激光器泵浦源。相较 MCP 系列产品,其采用了金属外壳封装,体积更加轻巧。 阵列模块-QCP-M 系列 本产品为高功率高温硬焊料封装半导体激光器,同样是激光巴条芯片集成阵列所产生。常用于固体激光器泵浦源。 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 从从 GaAs 材料

30、体系扩展至材料体系扩展至 InP 材料体系,构建了边发射和面发射两种结构的技术工艺水材料体系,构建了边发射和面发射两种结构的技术工艺水平,由此横向扩展了高效率平,由此横向扩展了高效率 VCSEL 芯片和光通信芯片产芯片和光通信芯片产品品。1)VCSEL 芯片芯片:包含接近传感、结构光及飞行时间 ToF 等类型,基本实现了对主流市场 VCSEL 芯片需求覆盖,同时开发了下一代基于 D-ToF 技术的 VCSEL 芯片,下游应用涵盖消费电子、3D 传感、激光雷达等领域; 2) 光通信芯片) 光通信芯片 (InP) : 光通信芯片实现电信号和光信号之间的相互转换,是光电技术产品的核心,广泛应用于 5

31、G 前传、光接入网络、城域网和数据中心等场景,处于光通信领域金字塔。截止目前,公司已建立包括外延生长、光栅制作、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线,具备制造能力,主要产品包括 DFB、EML 系列激光器芯片和 PD 系列接收器芯片。 公司深度研究 | 长光华芯 10 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 表 3:公司 VCSEL 系列产品 类别 产品图形 产品介绍 关键指标 产品特性 应用领域 VCSEL 芯片芯片-PS 系列系列 小功率 VCSEL 芯片, 可用于接近时传感器领域,替代传统 LED

32、光源 功率 5-100mW; 波长 850、940nm;电光转换效率:45% 高效率、长寿命、高可靠性、可定制 短距离传感、3D 传感、生物医学 VCSEL 芯片芯片-ToF 系列系列 TOF VCSEL 激光器,通过飞行时间传感技术(D-TOF、i-TOF)还原光源照射物的 3D 形状。 功率:1.5-2W;波长 808、850、940nm;电光转换效率:42% 高效率、长寿命、高可靠性、可定制 人脸识别、辅助摄像、激光雷达、AR/VR VCSEL 芯片芯片-SL 系列系列 结构光(SL)VCSEL 激光器,通过分析照射物的反射光斑形变,计算物体距离、形状等信息。 功率:1.5-2.0W;波

33、长:850、940nm;电光转换效率:42% 高效率、长寿命、高可靠性、可定制 人脸识别、VR/AR 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 1.3 股权结构股权结构:无实际控制人,核心骨干共同管理无实际控制人,核心骨干共同管理 无实际控制人,核心骨干共同管理无实际控制人,核心骨干共同管理。公司股权较为分散,无实际控制人,前 7 大股东分别为华丰投资、苏州英镭、长光集团、国投创投、伊犁苏新、璞玉投资、哈勃投资。其中,苏州英镭为公司核心骨干持股平台,王俊、廖新胜、闵大勇、潘华东分别持有苏州英镭50.4%、25.8%、13.38%、10.42%;长光集团为长春光机所全资实业单位资产管理公司,哈勃投

34、资为华为投资控股有限公司的全资子公司。 核心骨干均具备丰富的产业背景核心骨干均具备丰富的产业背景。公司核心技术人员为王俊、闵大勇、廖新胜、潘华东。闵大勇先生于 2017 年 8 月加入长光华芯,目前担任公司董事长,此前曾任华工科技董事长,在激光器领域从业超 20 年。王俊先生于 2017 年 8 月加入长光华芯,历任首席技术官、董事、常务副总经理。除此之外,王俊先生于 2017 年 4 月至今,担任四川大学特聘教授。 王俊先生此前曾任美国 nLight、 国内华工科技技术总监。截至 2021 年 6 月 30 日,公司研发人员为 106 人,占员工总数比重为 30.46%。 图 6:公司股权结

35、构 资料来源:Wind,西部证券研发中心(注:截至 2022 年 5 月 16 日) 公司深度研究 | 长光华芯 11 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 表 4:公司核心管理层简介 核心人员 职务 简介 闵大勇闵大勇 董事长 闵大勇,男,1971 年 5 月生,中国国籍,无境外永久居留权,2000 年 7 月毕业于华中科技大学自动控制理论与应用专业,硕士学历,高级工程师。1993 年 8 月至 1997 年 7 月,就职于武汉船舶职业技术学院,担任教研室主任职务;2000 年 6 月至 2017年 7 月,就职于武汉华工激光工程有限

36、责任公司,历任事业部负责人、副总经理、总经理、董事长职务;2008 年 7 月至 2017年 7 月,就职于华工科技产业股份有限公司,历任副总经理、常务副总经理、总经理及董事职务;2015 年 1 月至 2017 年 8 月,就职于锐科激光,担任监事职务;2009 年 9 月至 2017 年 7 月,就职于华日精密,担任董事长职务;2020 年 6 月至今,就职于华日精密,担任董事职务;2017 年 8 月至今,就职于长光华芯,担任董事长、总经理职务。 王俊王俊 董事 王俊,男,1965 年 10 月生,中国国籍,无境外永久居留权,1997 年 7 月毕业于加拿大 McMaster 大学工程物

37、理方向,博士学历,二级教授。1988 年 9 月至 1989 年 7 月,任深圳德达磁技术有限公司工程师;1992 年 7 月至 1994 年 8 月,任加拿大国家研究院研究助理;1997 年 3 月至 2000 年 5 月,就职于 SL-Industries,Inc.,担任外延技部经理;2000 年 5 月至 2002 年 2 月,就职 Spectra-Physics,Inc.,担任外延科学家;2002 年 2 月至 2003 年月,就职于 Lasertel Inc.,担任晶体生长部经理;2003 年 7 月至 2010 年 7 月,就职于 nLIGHT,Inc.,担任技术总监;2010 年

38、 7 月至 2014 年 11 月,就职于 Mighty Lift, Inc.,担任技术副总;2014 年 11 月至 2017 年 6 月,就职于华工科技产业股份有限公司,担任技术总监;2017 年 8 月至今,就职于长光华芯,历任首席技术官、董事、常务副总经理。除此之外,王俊先生于 2017 年 4 月至今,担任四川大学特聘教授。 廖新胜廖新胜 董事 廖新胜,男,1973 年 11 月生,中国国籍,无境外永久居留权,2003 年 3 月毕业于中科院长光所凝聚态物理专业,博士学历,研究员。2003 年 6 月至 2004 年 2 月,就职于深圳联芯激光光电科技有限公司,担任副总经理职务;20

39、04 年 3 月至 2011 年 12 月,就职于恩耐激光技术(上海)有限公司,担任副总经理职务;2011 年 12 月至 2012 年 3 月,就职于中国科学院苏州生物医学工程技术研究所,担任研究员;2012 年 3 月至今,就职于长光华芯,并历任总经理、董事、副总经理等职务;现担任长光华芯董事、副总经理职务。 孙守孙守红红 董事 孙守红,男,1978 年 12 月生,中国国籍,无境外永久居留权,2015 年 7 月毕业于中科院长光所大珩学院机械电子工程专业,博士学历,研究员。2001 年 7 月至今,就职于中科院长光所,历任职员、副主任、主任、所长特别助理、所长助理、所务委员职务;现担任长

40、光华芯董事职务。 许立群许立群 董事 许立群,男,1963 年 12 月生,中国国籍,无境外永久居留权,1987 年 6 月毕业于华中科技大学电子与信息工程系微波毫米波专业,硕士学历。1987 年 6 月至 1997 年 12 月,就职于华中科技大学(华中工学院)电子信息与通信学院电信系,担任教师职务;1998 年 4 月至 2015 年 12 月,就职于武汉实达科技有限公司,担任总经理;2016 年 1 月至今,就职于武汉达润投资管理有限公司,担任副总经理;现担任长光华芯董事职务。 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 1.4 历史复盘:技术历史复盘:技术突破突破叠加国产替代,业绩加速增长

41、叠加国产替代,业绩加速增长 技术突破叠加国产替代,技术突破叠加国产替代,公司公司业绩加速增长业绩加速增长,2018-21 年收入年收入 CAGR 达达 67.1%。2018 年中美贸易摩擦,西方禁止向国内出口单管 15W 以上、巴条 100W 以上高功率半导体激光芯片,拉开了高功率半导体激光芯片国产化序幕。2019 年,长光华芯成为国内第一家量产单管 15W 高功率半导体激光芯片公司。 此后, 公司技术不断突破、 产品性能持续提升,2020 年实现单管 18W、25W 高功率激光芯片量产;2021 年实现 30W 高功率半导体单管芯片量产,产品性能在国内处于绝对领先,对标甚至超过国外产品。随着

42、高功率半导体激光芯片技术不断突破、产品良率持续提升,公司在下游客户份额将快速提升,业绩也将加速增长。 随着今年二季度一期产能投产, 公司半导体激光芯片产能将提升 5-10 倍。 同时,公司也是国内唯一一家、全球唯二的 6 寸高功率半导体激光芯片生产线,公司业绩将持续快速增长。 公司深度研究 | 长光华芯 12 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 图 7:公司营业收入及增速情况(亿元) 图 8:公司归母净利润及增速情况(亿元) 资料来源:公司公告,西部证券研发中心 资料来源:公司公告,西部证券研发中心 表 5:公司营业收入按客户拆分情况

43、 年度 序号 客户名称 销售内容 金额(万元) 占当年营收比重 2018 1 飞博激光 光纤耦合模块 3276.66 35.45% 2 锐科激光 高功率单管芯片、光纤耦合模块 3250.76 35.17% 3 客户 B 高功率单管芯片、高功率巴条系列、光纤耦合模块 629.92 6.81% 4 客户 A2 高功率巴条器件 584.24 6.32% 5 飞顿国际 阵列模块 240.61 2.60% 合计合计 7982.19 86.36% 2019 1 飞博激光 光纤耦合模块 5217.79 37.67% 2 客户 A1 高功率巴条器件 2622.24 18.93% 3 锐科激光 高功率单管芯片、

44、光纤耦合模块 2002.22 14.46% 4 光惠激光 光纤耦合模块 873.24 6.30% 5 大族激光 光纤耦合模块 606.32 4.38% 合计合计 11321.81 81.74% 2020 1 飞博激光 光纤耦合模块 6448.44 26.09% 2 创鑫激光 高功率单管芯片、光纤耦合模块 4034.37 16.32% 3 大族激光 光纤耦合模块 3893.68 15.75% 4 光惠激光 光纤耦合模块 3237.51 13.20% 5 客户 A2 高功率巴条器件 1888.86 7.64% 合计合计 19502.86 78.90% 2021H1 1 创鑫激光 高功率单管芯片 5

45、084.26 26.66% 2 客户 A2 高功率巴条器件 3463.27 18.16% 3 飞博激光 光纤耦合模块 3218.79 16.88% 4 锐科激光 高功率单管芯片 2742.78 14.38% 5 华日精密 光纤耦合模块 1181.58 6.19% 合计合计 15690.68 82.26% 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0200212022Q1营业收入(亿元)同比(右轴)-1000%-800%-600%-400%-200%0%2

46、00%400%(1.5)(1.0)(0.5)0.00.51.01.5200212022Q1归母净利润(亿元)同比(右轴) 公司深度研究 | 长光华芯 13 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 1.5 核心技术:核心技术:外延外延生产生产、腔面钝化、镀膜、腔面钝化、镀膜、封装、封装 芯片生产:芯片生产: 外延外延生长生长:MOCVD 材料组分及良率的调控是核心关键工艺,长光华芯已掌握; 腔面钝化腔面钝化: 腔面钝化保护是公司最核心技术。 要使得在很小的发光面积上承受 20-30W的激光输出,意味着腔面上功率密度很高

47、,为使其不受损伤,必须在切割晶圆时对其表面残余的分子键剥除。再对其表面材质进行钝化,防止长期暴露在空气中工作时产生氧化而增大失效概率; 镀膜镀膜:对镀膜参数摸索、镀膜系数调控及镀膜组分控制是公司关键技术。激光器有一个前腔镜,透波率很大程度影响激光器内部功率密度和输出密度。而输出镜的膜系透光率会很大程度影响输出功率。 器件封装:器件封装:具备核心工艺技术,涉及、热沉和热管理,需对芯片进行倒装焊技术,将芯片含在热沉材料(氧化铝陶瓷、碳化硅、金刚石等) 。芯片及热沉材料在高温下,会产生机械形变(应力差) ,应力变化会影响芯片出光后的光线变化和激光器寿命,公司已掌握无应力封装技术。 光纤耦合模块:光纤

48、耦合模块:核心在于工艺和良率控制,关键在于设备及人才。公司目前自研光纤耦合模块设备,自研设备性能对标进口机台。 图 9:器件工艺线系统联合调试快速反馈、优化 图 10:公司核心底层技术 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 资料来源:招股说明书,西部证券研发中心 1.6 财务分析:财务分析:盈利能力持续提升,期间费用率大幅降低盈利能力持续提升,期间费用率大幅降低 良率爬坡叠加产线升级,公司盈利能力持续提升良率爬坡叠加产线升级,公司盈利能力持续提升。公司整体毛利率由 2020 年的 31.35%大幅提升至 2021 年的 52.82%,主要原因:1)随着良率不断提升、成本摊销下降,高功率单管芯

49、片毛利率由 2020 年的 60.46%大幅提升至 2021 年上半年的 67.58%; 2) 毛利率较高的单管芯片产品 2021 年收入翻倍增长,收入占比上升使得高功率单管系列毛利率上升; 3) 毛利率较高的高功率巴条系列收入占比上升。 2022 年一季度, 公司毛利率为 50.19%,较 2021 年下降了 2.63 个 pct,主要原因:1)公司在 2022 年一季度正式启动厂房搬迁工作,半导体芯片制造工厂搬迁工程浩大;2)新厂房中的新设备一季度开始摊销,但新厂房良率和产能仍在爬坡过程。随着 6 寸产线良率持续爬坡,一期半导体激光芯片产能将增长 5-10 倍,2022 年毛利率有望逐季提

50、升。 公司深度研究 | 长光华芯 14 | 请务必仔细阅读报告尾部的重要声明 西部证券西部证券 2022 年年 05 月月 18 日日 图 11:公司盈利能力情况 图 12:公司各项业务毛利率情况 资料来源:公司公告,西部证券研发中心 资料来源:公司公告,西部证券研发中心 期间费用率持续降低期间费用率持续降低: 2021 年公司销售、 研发、 管理、 财务费用率分别为 5.13%、 20.03%、5.58%、0.67%,分别同比-1.74、-4.38、-0.09、+0.81 个 pct。未来公司将持续加大研发投入。随着公司销售规模的扩大及管理需求进一步提高的要求,销售费用及管理费用也将相应逐步

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