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【公司研究】闻泰科技-从功率半导体行业变革看安世长期价值-20200222[33页].pdf

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【公司研究】闻泰科技-从功率半导体行业变革看安世长期价值-20200222[33页].pdf

1、请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 评级:买入评级:买入( (维持维持) ) 市场价格:市场价格: 分析师:易景明分析师:易景明 执业证书编号:执业证书编号:S0740518050003 电话: Email: 分析师:陈宁玉分析师:陈宁玉 执业证书编号:执业证书编号:S0740517020004 电话: Email: 研究助理研究助理:周铃雅:周铃雅 Email: 基本状况基本状况 总股本(百万股) 1124 流通股本(百万股) 637 市价(元) 139.2 市值(百万元) 1565 流通市值(百万元) 887 股

2、价与股价与行业行业- -市场走势对比市场走势对比 相关报告相关报告 业绩超预期大幅增长,5G 驱动产 业地位持续提升2020.1.19 5G 蓄势,海外起量,产业龙头迎 加速阶段2019.7.30 安世整合启新起点,双翼助力 WingTech 腾飞2019.4.2 公司盈利预测及估值公司盈利预测及估值 指标 2017A 2018A 2019E 2020E 2021E 营业收入(百万元) 16,916 17,335 36,996 71,037 107,114 增长率 yoy% 26.08% 2.48% 113.41% 92.01% 50.79% 净利润 329 61 1,361 1,815 2,

3、513 增长率 yoy% 586.49% -81.47% 2130.03% 33.41% 38.41% 每股收益(元) 0.29 0.05 1.31 1.74 2.41 每股现金流量 1.24 2.91 4.43 6.03 4.56 净资产收益率 9.31% 1.70% 27.48% 26.83% 27.08% P/E 475.02 2,564.20 106.46 79.79 57.65 PEG 6.20 11.24 1.15 1.04 0.25 P/B 3.15 3.20 4.76 6.50 8.92 备注: 投资要点投资要点 5G 启动万物互联,在新智能终端、产业启动万物互联,在新智能终端

4、、产业 Iot、车载电子、车载电子化化与能源与能源设施智能化带设施智能化带 动下,对功率半导体新需求迭出。过去三年动下,对功率半导体新需求迭出。过去三年功率器件市场功率器件市场总规模、出货量和总规模、出货量和 A SP 全面上行,总量供不应求已全面上行,总量供不应求已是是常态。常态。新场景下新场景下高电压高电压、高频率、低损耗、高频率、低损耗、 低成本和高可靠性低成本和高可靠性驱动驱动技术变革,技术变革,龙头厂商纷纷加大龙头厂商纷纷加大新器件新器件和和材料的探索材料的探索。安。安 世半导体技术积累深厚,资产实力强大,有望乘势世半导体技术积累深厚,资产实力强大,有望乘势发展发展为功率半导体领军者

5、。为功率半导体领军者。 功率半导体是分立器件最主要部分,是实现电能转换和电路控制的核心。功率半导体是分立器件最主要部分,是实现电能转换和电路控制的核心。分立 器件是 IC 未集成的元器件总称,电路因其实现了低成本和易设计,在半导体 中居于独特地位。过去几年分立器件快速增长,总规模、出货量和 ASP 出现 了历史少见的全面上行,显示出行业整体的供不应求已成为常态。功率半导体 就是其中比重最大和发展最快的部分, 对于各类设备的电能转换和电路控制地 位至关重要。消费电子、车载电子化、产业能源和通信等场景变迁,功率器件 在总规模持续向上的同时,应用领域也在向这几个场景发生迁移,其中最主要 品类功率管,

6、也正应对新需求演变出更多品类和技术路线,未来几年功率器件 市场将持续快速增长,竞争格局也在发生深刻变化。 多场景下的新需求变迁,带动新器件与新材料发展融合,龙头厂商加大创新把多场景下的新需求变迁,带动新器件与新材料发展融合,龙头厂商加大创新把 握机遇。握机遇。经过多年演变,MOSFETs 成为功率半导体主流器件形态,广泛应用 在较高电压和高频率场景,IGBTs 则在高压和频率较低的供能系统占据主导。 设计和工艺带动性能提升,两者在部分电压和频率区间出现交叠,超接面 SJ MOSFETs 与 IGBTs 在覆盖消费电子、供能控制、车载电子等关键领域展开了 竞争,在细分场景中各有优势。随着硅基器件

7、的发展趋近成本效益临界点,诸 多头部厂商围绕 SiC 和 GaN 等复合半导体材料进行探索,两者具备宽禁带、 低寄生电容、低功率损耗等特性,迅速在高压高频率等新场景下发展壮大。虽 然当前成本较高,但引入的系统效能提升十分可观。随着需求牵引力加大,新 材料器件将通过规模化实现低成本。龙头厂商纷纷投入新器件和材料,市场马 太效应正在强化。我们预计车载、消费和能源能方向在供需匹配磨合和技术探 索中将酝酿重大机遇。 全球领先的分立器件全球领先的分立器件 IDM 厂商厂商安世半导体,安世半导体,基于全面优势乘势布局,长期价基于全面优势乘势布局,长期价 值有望站上新台阶。值有望站上新台阶。作为国内唯一规模

8、化的分立器件 IDM 厂商,安世正着力 向全球魁首的目标布局。其在二极管晶体管、逻辑器件等领域已有扎实基础, MOSFETs 比重相对较低, 成长迅速空间庞大。 基于强大技术实力和资本地位, 公司延伸新器件和新材料布局,GaN 产品已有实质性突破,在新终端、车载 电子化和供能智能化打开的新增量带动下, 功率器件部分有望持续规模和份额 的快速增长,产品结构更多向高端器件转移。其产品也将和强调自主可控的国 内客户形成密切协同,长期看安世有望站上价值新台阶。 投资建议:投资建议:考察手机业务,预计 2019-2021 年利润为 13.61、18.15 和 25.13 亿元。预计安世半导体 2019

9、年净利润为 13.5 亿元、2020 年净利润为 16.5 亿 元、2021 年净利润为 20 亿元。预计 2020 年合并后净利润为 31.35 亿元,预 计 2021 年合并后净利润为 41.13 亿元。目前市值为 1565 亿元,对应 2020 年 PE 为 50 x。我们维持买入买入评级,建议长期战略性配置。 风险提示事件:风险提示事件:业务业务整合风险、整合风险、 5G 智能手机和物联终端上量不及预期风险、智能手机和物联终端上量不及预期风险、 半导体需求下滑的风险半导体需求下滑的风险、技术路线和竞争风险、技术路线和竞争风险、市场系统性市场系统性风险风险 证券研究报告证券研究报告/ /

10、公司公司深度报告深度报告 20202020 年年 2 2 月月 2222 日日 闻泰科技(600745) 从功率半导体行业变革看安世长期价值 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 2 - 公司深度报告公司深度报告 内容目录内容目录 功率半导体产业地位关键功率半导体产业地位关键 . - 4 - 分立器件在半导体中不可或缺 . - 4 - 全球分立器件景气向上,量价齐升 . - 6 - 功率半导体是最主要分立器件,变化最大 . - 8 - 5G 全面带动功率半导体新需求和新技术全面带动功率半导体新需求和新技术 . - 13 - MOSFETs 和 IGBTs 为最主

11、要功率器件,各有所长 . - 13 - GaN 和 SiC 等新材料应用渗透率将快速提升 . - 15 - 龙头厂商加大在新场景中的创新投入 . - 19 - 定位全球魁首,安世重大价值正在显现定位全球魁首,安世重大价值正在显现 . - 22 - 投资建议投资建议 . - 30 - 风险提示风险提示 . - 32 - 图表目录图表目录 图表图表1:半导体产业中,分立器件与:半导体产业中,分立器件与IC密切协同密切协同 . - 4 - 图表图表2:半导体各产品大致比重:半导体各产品大致比重 . - 5 - 图表图表3:分立器件中主要的产品线:分立器件中主要的产品线 . - 5 - 图表图表4:全

12、球集成电路市场销售规模及增速:全球集成电路市场销售规模及增速 . - 6 - 图表图表5:分立器件销售规模和出货量波动向上:分立器件销售规模和出货量波动向上 . - 7 - 图表图表6:分立器件的应用领域发生重大变化(亿美元):分立器件的应用领域发生重大变化(亿美元) . - 8 - 图表图表9:分立器件中功率半导体逐渐成为主导性产品:分立器件中功率半导体逐渐成为主导性产品 . - 9 - 图表图表10:对于功率半导体的新需求发生大变迁:对于功率半导体的新需求发生大变迁 . - 10 - 图表图表7:2018年和年和2023年分立器件子类中,功率半导体都是最主要的部分年分立器件子类中,功率半导

13、体都是最主要的部分 . - 11 - 图表图表8:2018年和年和2024年的功率半导体按器件类型占比年的功率半导体按器件类型占比 . - 11 - 图表图表11:三类功率器件的特性对比:三类功率器件的特性对比 . - 13 - 图表图表12:三类功率器件形态份额占比及预测:三类功率器件形态份额占比及预测. - 14 - 图表图表13:不同功率器件的主导领域及演变:不同功率器件的主导领域及演变 . - 14 - 图表图表14:GaN材料在多个维度性能优于传统材料材料在多个维度性能优于传统材料 . - 16 - 图表图表15:GaN和和SiC主要特性比照主要特性比照. - 17 - 图表图表16

14、:GaN功率设备按不同应用领域分类功率设备按不同应用领域分类 . - 17 - 图表图表17:GaN市场的长期演进市场的长期演进 . - 18 - 图表图表18:2023年宽禁带材料在不同场景中的定位年宽禁带材料在不同场景中的定位. - 19 - 图表图表19:功率电子器件主要玩家在产品形态上将发生重大改变:功率电子器件主要玩家在产品形态上将发生重大改变 . - 20 - 图表图表20:未来:未来MOSFET和宽禁带设备的市场演变趋势和宽禁带设备的市场演变趋势. - 20 - 图表图表21:闻泰科技对安世集团拥有近:闻泰科技对安世集团拥有近80%控股权控股权 . - 22 - qRoRnNrN

15、sPqOpNmNtMwPpQ7NdNaQmOpPnPqQfQqQoMkPsQnQ9PpPwOvPsOpOuOqNrP 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 3 - 公司深度报告公司深度报告 图表图表22:安世主要业务线和产品的市场信息:安世主要业务线和产品的市场信息. - 23 - 图表图表23:全球前:全球前10大分立器件供应商大分立器件供应商 . - 24 - 图表图表24:安世的全球布局:安世的全球布局 . - 24 - 图表图表25:安世集团产品主要覆盖客户安世集团产品主要覆盖客户. - 25 - 图表图表26:各产品品类的行业发展预期:各产品品类的行业

16、发展预期. - 26 - 图表图表27:5G新业务拐点,驱动功率半导体景气向上新业务拐点,驱动功率半导体景气向上 . - 27 - 图表图表28:对安世长期市场份额和规模空间的预测:对安世长期市场份额和规模空间的预测 . - 27 - 图表图表29:全面布局新技术路线,保障安世长期竞争力:全面布局新技术路线,保障安世长期竞争力 . - 28 - 图表图表30:安世与闻泰形成产业协同,联动创新:安世与闻泰形成产业协同,联动创新 . - 29 - 图表图表31:可比公司估值(亿元):可比公司估值(亿元) . - 30 - 图表图表32:主要财务数据和盈利预测:主要财务数据和盈利预测 . - 31

17、- 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 4 - 公司深度报告公司深度报告 功率半导体产业地位关键功率半导体产业地位关键 分立器件分立器件在在半导体中半导体中不可或缺不可或缺 分立器件是半导体器件中非集成电路的产品总括分立器件是半导体器件中非集成电路的产品总括。分立器件品类多 样应用广泛,早在 60 多年前就晶体管替代了电子真空管,在电路中用 于开关和放大,其后晶体管技术被大量融入集成电路中,IC 取代了很大 一部分晶体管市场。然而在很多应用场景下,以晶体管为主的分立器件 还是顽强地保留了下来,因其具有诸多优良特性,如:使用灵活性,可 在不同的电路设计中应用,制

18、造工艺成本低,成品率高,部分特殊器件 的功能还具有不可替代性。 因此分立器件与 IC 形成良好协同, 长期以来 作为半导体产品的重要基石。 图表图表1:半导体产业中,分立器件与半导体产业中,分立器件与IC密切协同密切协同 来源:韦尔股份招股说明书,中泰证券研究所 分立器件分立器件品品类繁多,具有广泛的应用范围和不可替代性。类繁多,具有广泛的应用范围和不可替代性。总体上, 半导体分立器件是与 IC 相对应的一种宽泛界定,凡未集成进 IC 的电子 器件均算入此类。尽管集成电路迅速发展占据了大多数应用场景,很多 器件功能已集成进 IC,但在通用性、灵活性、低成本和特殊功能的综合 考量中,许多功能智能

19、,分立器件仍起着不可替代的关键作用。例如, 有效静电放电(ESD)保护是不能完全集成到 CMOS 数字逻辑芯片之 中的, 而瞬态电压抑制器 (TVS) 等分立器件可以起到很好的保护作用。 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 5 - 公司深度报告公司深度报告 图表图表2:半导体各产品大致比重半导体各产品大致比重 来源:WSTS,中泰证券研究所 集成电路和分立器件在半导体份额中大致呈现八二开的格局。根据 IC Insight在2018年的数据, 半导体产品的七种大类里, IC占其中四种, 包括集成电路微处理器、集成电路逻辑、集成电路存储器和集成电路模 拟电路, 其

20、在半导体整体产值中的占比分别为 19%、 28%、 22%和 13%, 集成电路整体占比达到了 82%,是半导体产业的支柱。 分立器件原本占据两成左右份额,随着光电器件和传感器从分立器 件中剥离, 其产品范畴更加聚焦。 广义上所有 IC 之外的产品类型都属于 分立器件,但在过去 20 多年里,随着应用场景不断丰富和新品类迭出 升级,WSTS 不断调整着对分立器件的定义,逐步将光电子和传感器两 部分作为独立子产品从分立器件中划分出来。当今依据 WSTS,分立器 件的定义是主要包括以下几个子类:二极管、小信号和开关晶体管、功 率管、整流器、晶闸管和其他分立器件。 图表图表3:分立器件中主要的产品线

21、分立器件中主要的产品线 来源:WSTS,中泰证券研究所 6% 9% 3% 19% 28% 22% 13% 分立器件 光电子 传感器 集成电路微处理器 集成电路逻辑 集成电路储存器 集成电路模拟电路 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 6 - 公司深度报告公司深度报告 其中功率半导体又称电力电子器件,是实现电能转换与电路控制的 核心元件。 可在较高功率条件下实现导通和阻断特性, 可组合实现整流、 逆变、变频、变压、增幅、功率控制、开关等多种功能。广泛应用于消 费电子、网络通信、工控、轨道交通、电力与新能源等众多领域,对设 备运转与性能、可靠性、功耗、成本等基础指

22、标影响显著。 全球分立器件景气向上,量价齐升全球分立器件景气向上,量价齐升 全球集成电路市场近年规模加速向上,旺盛的供需景气同样全球集成电路市场近年规模加速向上,旺盛的供需景气同样扩散扩散到到 分立器件。分立器件。从从 2017 到 2018 年,在新品型产品迭出,和新需求预期带动 库存和影响下,半导体市场规模站上了新台阶,两年的销售额增分别增 长了 22.3%和 13.2%,这是经济从 2008 年衰退中复苏之后,首次连续 两年呈现出两位数的增长, 起主要源自于存储 IC 的强劲增长, 分立器件 销售增略速低于 IC 的增速。 图表图表4:全全球集成电路市场销售规模及增速球集成电路市场销售规

23、模及增速 来源:WSTS,中泰证券研究所 分立器件分立器件和行业需求总量强相关和行业需求总量强相关,规模规模波动波动直接反应了直接反应了经济经济波动波动。 从历史数据来看, 分立器件是对预期体现最直接的领域, 在2008 和2009 年经济衰退阶段,整机厂商因为担忧宏观环境而减少了采购并将库存降 到历史平均以下,导致分立器件市场经历剧烈波动,超过了半导体市场 整体的波动幅度。 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 7 - 公司深度报告公司深度报告 图表图表5:分立器件销售规模和出货量波动向上分立器件销售规模和出货量波动向上 来源:WSTS,IC Insighs,

24、中泰证券研究所 从销售规模看从销售规模看分立器件整体波动向上。分立器件整体波动向上。分立器件在过去二十多年基 本以 5%的复合增速增长,而近十年的整体复合增速却逐渐出现下滑。 主要原因即分立器件的预期弹性最大,经济不确定性导致砍单的现象直 接而频繁。但在 2017 年分立器件的销售额增长了 11.5%,接近 246 亿 美元; 2018 年分立器件销售额达到 274 亿美元历史高点, 增长 11.3%; 2019 年预计仍将延续 4%左右的增长。在整个半导体产业因为新产品品 类升级和面向新需求备货的大周期起点,分立器件也有望延续这一向上 走势。根据 IC Insight 预测,2013 到 2

25、023 年分立器件总规模复合增速 预计为 4.3%。 分立器件分立器件出货量出货量保持稳定增长。保持稳定增长。过去二十多年基本保持了 7%的复 合增速,同样在 2008 和 2009 年因为经济危机引发的衰退影响,分别出 现了 10%左右的下滑,其后复苏向上, 在 2017 年全球出货量达到 4210 亿颗的历史高点,预计 2019 年将达到 4400 亿颗的新高。IC Insight 预 测,从 2013 到 2023,分立器件出货量复合增速预计为 3.8%。 5G 和车载电子化,新能源设施和车载电子化,新能源设施等新需求引入变化,分立器件等新需求引入变化,分立器件规模规模 和出货量都将在和

26、出货量都将在 2020 年迎来快速向上的拐点。年迎来快速向上的拐点。 因为 2017 年以来需求强 劲导致货源持续短缺,同时使得所有分立器件的 ASP 出现了明显上涨: 2017 年分立器件的 ASP 为 0.06 美分,在 2018 年上升 11.9%到 0.07 美分。预计随着产能的补充,ASP 的增速会逐步趋缓,基于前面对整体 规模和出货量 CAGR 的预测,从 2013 到 2023 年,分立器件 ASP 的复 合增速约为 0.48%。 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 0.0 50.0 100.0 150.0 200.0 250.0 300.0 350.

27、0 200019F2020F2021F2022F2023F 规模(亿美元) 出货量(亿颗) 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 8 - 公司深度报告公司深度报告 图表图表6:分立器件的应用领域发生重大变化分立器件的应用领域发生重大变化(亿美元)(亿美元) 来源:WSTS,IC Insights,中泰证券研究所 过去几年, 汽车电子市场和计算机市场发生了较大变化, 2018 年汽 车市场份额 19%份额超过了计算机市场的 12%。 一方面因为计算机需求 已经饱和,新增趋于疲弱;另方面过去几年经理了汽车消费成长,汽车 电

28、子化程度快速提升,在通信互联、电子娱乐、安全性和辅助驾驶方面 需求层出不穷,混动和电力车的渗透率加大,将对能源转换效率有更强 的需求,在未来车载电子化程度还会进一步加深。未来几年汽车领域分 立器件有望以 5%的速度快速增长。 通信和电子消费品份额保持坚挺,两者跟随市场总规模向上,预计 未来仍将占据 45%的份额。除了新一代通信网络,需求的增长更多来自 于手机和新形态智能终端的需求,对便携化性能要求提升,要求在 RF/ 微波功率转换,晶体管在小型化功率控制,电能管理和充电方面的用量 快速提升。 未来垂直行业应用是更强劲的增长点,工厂自动化和商业场景中的 海量物联将占据 25%的主导份额。工业系统

29、中电子化程度一直在提高, 新加入的传感器采集和边缘的计算能力会在商业应用中普及,这是最主 要的分立器件规模驱动因素。 功率半导体是最主要分立器件功率半导体是最主要分立器件,变化最大,变化最大 功率器件成为分立器件中占比最大,变化最多的部分,其走势直接功率器件成为分立器件中占比最大,变化最多的部分,其走势直接 影响总规模趋势。影响总规模趋势。 2000 年以来, 功率半导体总规模历经了数次较大起伏, 0.00 50.00 100.00 150.00 200.00 250.00 300.00 350.00 2008201320182023F GovernmentCommunicationsIndu

30、stryComputerAutomotiveConsumer 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 9 - 公司深度报告公司深度报告 但总体上呈现出波动向上的走势。 2000 年互联网泡沫后, 对电子产品需 求低迷,功率半导体规模一度降至 70 亿美元以下,此后逐步恢复,超 过前期并站上 90 多亿美元;受 2008 年金融危机影响,下游厂商调整库 存水平,2009 年总规模回落到 80 亿美元附近,其后在新需求带动下一 路向上,进入 120 到 130 亿美元的区间。 图表图表7:分立器件中功率半导体逐渐成为主导性产品分立器件中功率半导体逐渐成为主导性产品 来

31、源:WSTS,IC Insights,中泰证券研究所 从 2015 年起,功率半导体放量尤为明显,总规模快速提升到接近 170 亿美元, 其中各类新场景对新形态功率器件需求激增, 5G 带来新智 能终端、 垂直行业 Iot、 车载电子化和电能设备都在强力带动总规模向上。 近二十年来,功率半导体在分立器件中的占比也持续提升。从 2000 年 的 44%左右,到现在超过 60%。我们预计未来 5 年,功率半导体占比将 有望达到甚至超过 70%。 对功率半导体的需求发生系统性变化,是导致器件量价其实的主要对功率半导体的需求发生系统性变化,是导致器件量价其实的主要 牵引力。牵引力。随着制造工艺成熟,新

32、电路设计和新材料的应用,更大面积晶 圆和更小尺寸的封装使得分立器件成本不断降低,效率不断提高。从大 时间段上看,ASP 总体应该是下降的,但近年开始上升。 综合 WSTS,IC Insights 和 IHS 的统计数据,我们预计从 2013 到 2019 年,功率半导体的出货量从 570 亿颗上升至 770 亿颗,复合增速 约 5.14%,鉴于产能扩充有阶段性过程,预计直到 2025 年将在此基础 上略升,总出货量约为 1050 亿颗。比照总规模,我们预计功率半导体 0.00% 10.00% 20.00% 30.00% 40.00% 50.00% 60.00% 70.00% 0 50 100

33、150 200 250 300 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 20132014 2015 2016 2017 2018 功率半导体(亿美元) 其他器件(亿美元) 功率半导体比重 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 10 - 公司深度报告公司深度报告 ASP 从 2013 年的 0.203 美元升至 2019 年的 0.22 美元,增幅为 8%, 在历史上处于少见的向上阶段。后续直到 2025 年,因为新需求迭出, 而供应能力受限,我们认为 ASP 上升趋势仍将延

34、续,到 2025 年 ASP 有望超过 0.23 美元。 图表图表8:对于功率半导体的新需求发生大变迁对于功率半导体的新需求发生大变迁 来源:Power Sources Manufacturers Association,中泰证券研究所 量价齐升除了有总量上的供需不匹配之外,更重要的原因是新需求 出现了系统性迁移。所有用电驱动和控制的整机设备,都需要用到功率 半导体器件或模组,诸如电路保护、信号控制、功率管理、大电流开关 和 RF 放大方面,这些对于设备整体性能、成本、产品迭代升级等商务 表现举足轻重。 我们注意到从 2003 到 2008 年, 整机厂商对于功率半导体的多维度 需求出现系统性

35、迁移:在器件定制化设计推向市场的周期、器件成本和 功率损耗这三个方面,均有了 30%左右的下降;同时在功率密度、开关 频率和可靠性 (失效时间的均值) 这三个方面, 分别出现了 200%、 250% 和 180%的提升,从长期看,这几个维度的需求变化仍将以这样的趋势 继续增强。 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 11 - 公司深度报告公司深度报告 图表图表9:2018年和年和2023年分立器件子类中,功率半导体都是最主要的部分年分立器件子类中,功率半导体都是最主要的部分 来源:IC Insights,中泰证券研究所 作为作为分立器件中最主要的产品类型分立器件

36、中最主要的产品类型,功率管功率管将直接受益于行业景气将直接受益于行业景气 和新场景需求和新场景需求。2018 年功率管在整个分立器件中的份额约为 60%,对 应规模约 165 亿美元,根据占据整个分立器件的 61%,预计 2023 年达 到 192 亿美元,总份额占比略升至 61%,年复合增速约为 3.3%左右, 高于同期其他几部分的增长。 功率管的份额提升和主导地位源自于各垂直场景对能量转换效率、 开关速率和高可靠性提出了全新需求,从而催生出一系列新材料和新技 术。根据 yole 对功率半导体按器件类型的分类,传统硅 MOSFETs 仍然 是功率器件中的主力,未来几年的份额维持在 40%左右

37、;出现明显增长 的一块是 IGBT 模组,从 20%左右到接近 25%;SiC MOSFETs 器件和 模组,GaN HEMT 相较于之前的基数也都出现了明显增长。从 Yole 提 供的产品类型变化上,也直观地反应出技术演进和应用迁移对功率器件 形态变化的影响。 图表图表10:2018年和年和2024年的功率半导体按器件类型占比年的功率半导体按器件类型占比 13% 9% 60% 14% 3% 1% DiodesSmall-Signal Transistors Power TransistorsRectifiers ThyristorsOther Discretes 12% 9% 61% 14%

38、 3% 1% DiodesSmall-Signal Transistors Power TransistorsRectifiers ThyristorsOther Discretes 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 12 - 公司深度报告公司深度报告 来源:Yole,中泰证券研究所 功率器件面临的重大变革,为全行业特别是龙头厂商带来重大功率器件面临的重大变革,为全行业特别是龙头厂商带来重大 机遇。机遇。功率器件总规模受益于全行业供需不平衡,而新器件和新材 料又会是表现最突出的部分,也功率半导体中增长最明显的部分。 而只有龙头厂商才有能力在该领域进行长期大投

39、入,可以预见市场 的马太效应将增强,竞争格局将持续优化。功率半导体龙头厂商将 迎来重大机遇。 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 13 - 公司深度报告公司深度报告 5G 全面全面带动带动功率半导体功率半导体新需求新需求和和新新技术技术 MOSFETs 和和 IGBTs 为最主要功率器件,各有所长为最主要功率器件,各有所长 每种基本的每种基本的功率功率器件类型,都有各自的性能优劣,但总体上器件类型,都有各自的性能优劣,但总体上 MOSFETs 和和 IGBTs 已经成为主流。已经成为主流。理论上的理想开关,要同时成承受 高电压和形成高阻抗,在关闭状态下能对高电

40、压形成完全阻隔能力,在 开启状态下,能几乎无损耗地允许电流通过。在现实中,各种类型器件 在物理特性上各有侧重,无法完美地逼近理想状态,往往是在不同应用 场景下综合性能和成本来侧重使用一类器件。 图表图表11:三类功率器件的特性对比三类功率器件的特性对比 来源:ON Semiconductor,中泰证券研究所 开始功率晶体管替换掉三极真空管,从 60 到 70 年代基本都是将电 流控制的 BJTs 应用在小信号场景中;电压控制的功率 MOSFETs 在 70 年代出现,因为更低的成本和更快的开关速率而逐步取代了 BJTs 在小 信号领域的地位。IGBTs 在 80 年代被发明,能够很好地结合 BJTs 处理 高电流的能力和功率 MOSFETs 的易用性,相比起 MOSFETs,IGBTs 还能阻隔极高电压,同时以极低损耗来通过高电流;但是因为电流在 IGBTs 结构中的长尾效应,使得其开关速度慢于 MOSFETs,在高频率 场景中限制了 IGBTs 的使用。 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 14 - 公司深度报告公司深度报告 图表图表12:三类器件形态三类器件形态在功率半导体在功率半导体份额占比及预测份额占比及预测 来源:IC Insight,Yole,IHS,中泰证券研究所 从份额占比上, MOSFETs 和 IGBTs 已经完全

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