1、 1 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。全球全球 L LEDED 龙头，加速扩张化合物半导龙头，加速扩张化合物半导体业务版图体业务版图 全球全球 L LEDED龙头，大力发展化合物半导体业务：龙头，大力发展化合物半导体业务：三安光电成立时以LED芯片业务为核心发展方向，20 余年来公司不断积累技术能力和研发实力，全产业链布局并持续扩张产能，在全球 LED 产业价值链优势地位稳固。为开拓新的市场，公司积极调整战略定位，打造一站式的半导体化合物平台型公司。2014 年，三安光电设立三安集成电路有限公司，正式切入电

2、力电子、射频和光通讯应用领域。集成电路板块业务发展快速，产品已经在 5G 网络、移动终端、新能源、光通信等诸多新兴应用中大批量交付和应用，在职员工数量从 2018 年的 800 人增长到目前的 5000 多人，公司营收2016 年仅1700 多万元，2021 年已实现营收22.31亿元，未来随着泉州三安砷化镓、滤波器以及先进封装产线、湖南碳化硅全产业链产线的相继投产，产能逐步释放，公司营收规模有望持续扩大，加速公司向化合物半导体高端领域转型。新能源领域需求旺盛，碳化硅行业处新能源领域需求旺盛，碳化硅行业处快速增长快速增长前夕前夕：碳化硅物理特性优良，耐高温、高压、高频，是高压平台下功率器件的首

3、要选择。在高续航和快充的市场需求下，新能源汽车由 400V 向 800V 架构升级趋势已成大局，以碳化硅为材料的功率器件优势明显，未来随着电池、器件成本的降低，经济型电动车也有望搭载高压方案。据 CASA 预测，到 2025 年新能源汽车中 SiC 功率半导体市场预计将以 38的年复合增长率增长。合理假设 2025 年碳化硅器件渗透率 30%，年均价格降幅10%，碳化硅功率器件仅在全球新能源车主驱领域市场空间预计可达181.97 亿元。国内光伏发电市场持续维持高景气度，据国家能源局数据，2021 年我国光伏发电量为 3259 亿千瓦时，同比增长 25.1%，占总发电量比重 3.9%，截至202

4、1 年我国光伏市场新增装机 54.88GW，累计装机量为 306GW，我国光伏累计装机量连续六年居全球首位。碳化硅功率器件可提高光伏逆变器发电效率，提高光伏逆变器使用寿命，可减小逆变器的体积和重量。新能源领域需求旺盛，打开碳化硅市场，行业处于快速增长前夕。公司客户推进顺利，加大投资大幅扩充产能公司客户推进顺利，加大投资大幅扩充产能：2021 年报披露，公司碳化硅二极管在 2021 年新开拓送样客户超过 500 家，出货客户超过 200 家，超过 60 种产品已进入量产阶段，光伏逆变器阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等国内前 20 大客户均已进入；碳化硅 MOSFET 工业级产品已送样客户验证

5、，车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试，车规级与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破，公Tabl e_Ti t l e 2022 年年 07 月月 27 日日 三安光电三安光电（600703.SH）Tabl e_BaseI nf o 公司深度分析公司深度分析 证券研究报告 半导体 投资评级投资评级 买入买入-A 维持维持评级评级 6 个月目标价：个月目标价：28.24 元元 股价（股价（2022-07-27）22.58 元元 Tabl e_Market I nf o 交易数据交易数据 总市值（百万元）总市值（百万元）101,143.50 流通市值（百万元）流通市值（百万元）92,090

6、.72 总股本（百万股）总股本（百万股）4,479.34 流通股本（百万股）流通股本（百万股）4,078.42 12 个月价格区间个月价格区间 16.87/44.92 元 Tabl e_C hart 股价表现股价表现 资料来源：Wind资讯 升幅升幅%1M 3M 12M 相对收益相对收益-0.9 24.31-37.59 绝对收益绝对收益-3.06 37.86-43.07 马良 分析师 SAC执 业 证 书 编 号：S01 Tabl e_R eport 相关报告相关报告 三安光电：MiniLED 景气度向上，集成电路板块进展加速/马良 2021-1

7、0-28 三安光电：非公开发行股票加码 Mini LED，第四期员工持股计划彰显信心/马良 2021-09-30 三安光电：LED 库存水位下降，三安集成进展加速/马良 2021-07-30 -56%-46%-36%-26%-16%-6%4%14%-112022-03三安光电 沪深300 2 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。司的砷化镓射频出货产品全面覆盖 2G-5G 手机 PA、WIFI 等应用领域，客户累计近 100 家，公司的滤波器 SAW 和 TC-SAW 产品已开拓客户 41

8、家，其中 17 家为国内手机和通信模块主要客户，已成功进入国内手机 ODM 企业及国内外智能手机的供应链。公司产能将大幅扩张，湖南三安，砷化镓射频产能将扩充到 3 万片/月，滤波器将扩充到 500KK/月产能，电力电子碳化硅配套产能扩充到 3 万片/月、硅基氮化镓产能扩充到 0.4 万片/月，光技术产能扩充到 2600 片/月，随着产能不断释放，经营业绩有望持续改善。投资建议：投资建议：我们预计公司 2022 年2024 年收入分别为 159.6 亿元、221.21 亿元、275.41 亿元，归母净利润分别为 21.27 亿元、34.2 亿元、42.8 亿元，维持“买入-A”投资评级。风险提示

9、：风险提示：市场开拓状况不及预期；公司产能扩张不及预期；公司产品进展不及预期。(百万元百万元)2020 2021 2022E 2023E 2024E 主营收入主营收入 8,453.9 12,572.1 15,960.1 22,121.2 27,541.1 净利润净利润 1,016.3 1,313.0 2,126.9 3,420.4 4,279.9 每股收益每股收益(元元)0.23 0.29 0.47 0.76 0.96 每股净资产每股净资产(元元)6.62 6.80 7.07 7.47 8.02 盈利和估值盈利和估值 2020 2021 2022E 2023E 2024E 市盈率市盈率(倍倍)

10、104.2 80.6 49.8 31.0 24.7 市净率市净率(倍倍)3.6 3.5 3.3 3.2 2.9 净利润率净利润率 12.0%10.4%13.3%15.5%15.5%净资产收益率净资产收益率 3.4%4.3%6.7%10.2%11.9%股息收益率股息收益率 0.6%0.4%0.9%1.5%1.7%ROIC 5.1%6.4%5.1%7.6%10.9%数据来源：Wind 资讯，安信证券研究中心预测 yWhY8VlX7UmMnNsN6McMbRtRnNnPoMkPoOtMkPsQwO7NqQwOMYnOoPwMmNzQ 3 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本

11、报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。内容目录内容目录 1.全球全球 LED 龙头企业，大力发展化合物半导体业务龙头企业，大力发展化合物半导体业务.5 1.1.深耕行业二十余年，产品矩阵丰富.5 1.2.全球 LED 龙头，加大布局化合物半导体.6 1.3.化合物半导体业务发展势头强劲，三安集成营收规模持续扩大.7 1.4.公司推进多轮员工持股，加大员工激励力度.8 1.5.公司技术人才丰富，管理层深耕产业多年.8 2.苹果、苹果、三星引领，三星引领，MiniLED 应用方兴未艾应用方兴未艾.9 2.1.Mini LED 具有高性价比，中大屏领域优势

12、明显.9 2.2.直显、背光两大场景驱动，Mini LED 市场迎来快速增长.10 2.3.公司 MiniLED 业务已与 S004、A006 等国际大客户进入深度合作。.11 3.新能源行业持续景气，碳化硅行业处快速增长前夕新能源行业持续景气，碳化硅行业处快速增长前夕.12 3.1.碳化硅物理特性优良，适合制备高温、高压、高频器件.12 3.2.碳化硅器件在新能源车型渗透率提升趋势明显.13 3.3.800V 电压平台推动碳化硅行业发展.15 3.4.光伏发电市场维持高景气，为碳化硅功率器件带来持续发展动力.16 3.5.碳化硅可有效提升光伏逆变器性能.17 3.6.公司碳化硅二极管送样客户

13、超 500 家，碳化硅 MOS 产品已送样.19 4.硅基氮化镓在电力电子领域应用场景多样硅基氮化镓在电力电子领域应用场景多样.19 5.射频板块，国内企业逐步发力射频板块，国内企业逐步发力.20 5.1.砷化镓，中低功率射频器件理想材料.20 5.2.碳化硅基氮化镓，5G、军工领域加大应用.21 5.3.射频滤波器，国产替代进行时.22 5.4.公司射频板块进展迅速，订单交付能力逐步增强.23 6.iPhone X 采用采用 VCSEL 技术，光电子器件在消费领域迎来增长技术，光电子器件在消费领域迎来增长.23 7.公司以公司以 LED 成功发展经验，发力化合物半导体业务版图成功发展经验，发

14、力化合物半导体业务版图.24 7.1.拟投资 160 亿，打造碳化硅 IDM 一体化平台.24 7.2.加大投资力度，大幅扩充各业务线产能.24 7.3.开展第四期员工持股计划，积极激励人才.25 7.4.定增扩建 Mini/Micro 显示产业化项目，巩固企业龙头地位.25 7.5.回购公司股份，彰显公司信心.25 8.盈利预测与投资建议盈利预测与投资建议.25 8.1.盈利预测.25 8.2.估值分析.25 9.风险提示风险提示.27 9.1.市场开拓状况不及预期.27 9.2.公司产能扩张不及预期.27 9.3.公司产品进展不及预期.27 图表目录图表目录 图 1：三安光电生产基地分布图

15、.5 图 2：三安光电发展历程.6 4 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。图 3：三安集成发展历程.7 图 4：公司股权结构（2022 年第一季度）.8 图 5：公司职工构成.8 图 6：公司职工学历情况.8 图 7：5.71 英寸手机面板价格（美元）.10 图 8：LED 和 MiniLED 发光度对比.10 图 9：2018 年-2024 年全球 Mini&Micro LED 市场规模及增长率预测.11 图 10：Si 和 SiC 的额定电压范围（二极管）.12 图 11：碳化硅功

16、率器件市场规模测算.13 图 12：碳化硅在电动汽车中的应用.14 图 13：Model3 逆变器 PCB 板.15 图 14：比亚迪采用 SiC MOSFET 模块.15 图 17：2015-2021 年国内光伏新增装机容量及增长率.16 图 18：2015-2021 年全国光伏发电累计装机容量及增速.16 图 19：中国光伏新增装机预测（GW）.17 图 20：全球光伏新增装机预测（GW）.17 图 21：SiC MOSFET 与 IGBT 开关特性比较图.17 图 22：逆变器内部电容器寿命和环境温度的关系.17 图 23：GaN 的应用场景.19 图 24：基站射频是 SiC 基 Ga

17、N 的重要应用领域.21 图 25：手机滤波器中国市场规模（亿美元）.22 图图 27：VCSEL 结构.23 图 27：天岳先进 PS-Band.26 图 28：台湾稳懋 PE.26 表 1：公司业务板块及产品.5 表 2：三安光电子公司基本情况.7 表 3：公司高管情况介绍.9 表 4：直显厂商发布更小间距的 LED 显示屏.11 表 5：半导体材料的指标参数对比.12 表 6：国内车企布局碳化硅器件进展.13 表 8：碳化硅在新能源车主驱领域市场空间估算.16 表 8：碳化硅光伏逆变器开发进展.18 表 10：光伏逆变器 SiC 市场空间测算.19 表 10：应用于 PD 快充的 GaN

18、 芯片.20 表 11：硅基氮化镓频射技术发展阶段.20 表 12：半导体性能对比.20 表 13：GaN、GaAs 和 LDMOS 性能比较.21 表 14：碳化硅基氮化镓频射技术发展阶段.22 表 15：主要投资项目情况.24 5 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。1.全全球球 LED 龙头龙头企业企业，大力大力发展发展化合物半导体化合物半导体业务业务 1.1.深耕行业二十余年，产品矩阵丰富深耕行业二十余年，产品矩阵丰富 三安光电股份有限公司于 2000 年 11 月成立，2008

19、 年 7 月在上海证券交易所挂牌上市。公司总部位于厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。公司专注于化合物半导体材料的研发与应用，以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业，产品应用广泛，包括照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。2018 年三安光电计划斥资 333 亿元建设福建泉州南安高新技术产业园区，投资-族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC 材料及器件、特种封装等产业。2022 年项目建成后，三安光电将实现在半导体化合物高端领

20、域的全产业链布局。图图 1：三安光电生产基地分布图：三安光电生产基地分布图 资料来源：三安光电公司官网，安信证券研究中心 表表 1：公司业务板块及产品：公司业务板块及产品 板块板块 材料材料 主要产品主要产品 产品系列产品系列 主要用途主要用途 光电光电 GaAs、GaN、蓝宝石 LED外延片 红色、黄色、橙色、黄绿色 LED产业链的上游产品，用于生产 LED芯片 紫色、蓝色、绿色 LED芯片 红色、黄色、橙色、黄绿色 提供给 LED封装厂商用于生产 LED终端产品，可广泛应用于照明、显示、背光、农业、医疗等众多领域。蓝色、绿色 LED车灯 前灯、后尾灯、室内灯、标 志灯 LED产业下游产品，

21、提供给汽车主机厂进行整车组装 射频前端射频前端 GaAs、GaN、LT/LN 射频芯片 HBT、pHEMT、HEMT 终端、基站、无线局域网络、卫星通讯、智能穿戴、无人驾驶、机器人等领域。滤波器芯片 SAW、TC-SAW 4G、5G 无线通信、自动驾驶、物联网、卫星等领域。电力电子电力电子 GaN、SiC 电力电子芯片 二极管、三极管、MOSFET 在消费电子、工业应用、电力传输以及航空航天等领域得到广泛应用，如：高铁、工业电机、充电桩、数据中心、太阳能逆变器 6 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请

22、参见报告尾页。等 光技术光技术 GaAs、InP 光通讯芯片 PD、VCSEL、DFB 光通讯类：主要适用于 5G网络、数据中心；消费类：主要用于 3D识别、汽车无人驾驶、激光美容器等领域。资料来源：三安光电2021年年报，安信证券研究中心 1.2.全球全球 LED 龙头，加大布局化合物龙头，加大布局化合物半导体半导体 三安光电成立时以 LED 芯片业务为核心发展方向，20 余年来公司不断积累技术能力和研发实力，针对上游积极布局原材料衬底形成部分自给能力，下游推进特殊应用进程，全产业链布局并持续扩张产能，全球 LED 产业价值链优势地位稳固。为开拓新的市场空间，三安光电瞄准化合物半导体材料高频

23、、高速、高功率条件下的优势，积极调整战略定位，转型打造一站式的半导体化合物平台型公司。2014 年，三安光电设立三安集成电路有限公司，正式切入电力电子、射频和光通讯应用领域。公司先后与 GCS、科锐等多家国际知名厂商设立合资企业，并不断兼并收购同行业优秀厂商，完善公司业务布局并提升技术水平，加速公司向化合物半导体高端领域转型。图图 2：三安光电发展历程三安光电发展历程 资料来源：三安光电公司官网，三安光电历年年报，安信证券研究中心 7 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。表表 2：三安光

24、电子公司基本情况三安光电子公司基本情况 子公司子公司 成立时间成立时间 主营业务主营业务 注册资本（万元）注册资本（万元）营业收入（万元）营业收入（万元）净利润（万元）净利润（万元）厦门三安光厦门三安光电科技电科技 2000.11 LED 外延芯片和特种封装业务 36，000 50，423.14-17.96 天津三安光电天津三安光电 2008.12 LED 外延芯片和特种封装业务 60，000 118，328.39 13，829.29 安徽三安安徽三安 2010.01 LED 外延芯片和特种封装业务 298，000 214，735.59 16，489.60 芜湖安瑞光电芜湖安瑞光电 2010.

25、06 汽车灯业务 66，000 148，861.06-2，469.12 福建晶安光电福建晶安光电 2011.10 衬底制成 50，000 90，618.84 2，198.23 厦门三安光电厦门三安光电 2014.04 LED 外延芯片和特种封装业务 300，000 413，341.58 25，581.11 厦门三安集成厦门三安集成 2014.05 射频前端、电力电子、光技术业务 150，000 223，143.31 38，482.43 泉州三安半泉州三安半导体导体 2017.12 射频前端、电力电子、光技术、滤波器业务；LED 外延芯片和特种封装业务 500，000 194，591.54 37

26、，376.32 湖北三安湖北三安 2019.04 LED 外延芯片和特种封装业务 300，000 17，524.19-2，718.37 湖南湖南三安三安 2020.06 射频前端、电力电子、光技术业务 200，000 6，327.88-13.97 资料来源：三安光电2021年年报，安信证券研究中心 1.3.化合物半导体业务发展势头强劲，三安集成营收规模持续扩大化合物半导体业务发展势头强劲，三安集成营收规模持续扩大 三安集成营收规模持续扩大，发展快速三安集成营收规模持续扩大，发展快速。三安集成作为三安光电的全资子公司，是三安光电转型化合物半导体平台的核心，自成立以来，公司发展快速，公司年报披露，

27、三安集成在职员工数量从 2018 年的 800 人增长到 2021 年的 3000 多人，公司营收 2016 年仅 1700 多万元，2021 年已实现 22.31 亿元，占三安光电化合物半导体营业收入的 23.09%，发展势头强劲。图图 3：三安集成发展历程三安集成发展历程 资料来源：三安光电各年年报，三安集成公司官网，安信证券研究中心 集成电路板块集成电路板块业务路线清晰，业务路线清晰，有望持续放量有望持续放量。公司集成电路板块以氮化镓、砷化镓、碳化硅器件为主，打造滤波器、射频前端、电力电子、光通讯技术四大技术平台。2015 年，三安集成投资 30 亿元建设砷化镓和氮化镓外延片两条产线，次

28、年即通过部分客户验证，开始少量出货；2017 年公司布局滤波器业务，明确公司业务主线；2018 年起，公司研发不断取得实质性进展，产品性能优异，产能逐步释放，并陆续进入多家客户供应链，2021 年报披露，8 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。三安集成的产品已经在 5G 网络、移动终端、新能源、光通信等诸多新兴应用中大批量交付和应用。未来随着泉州三安砷化镓、滤波器以及先进封装产线、湖南碳化硅全产业链产线的相继投产，产能逐步释放，公司营收规模有望持续扩大。1.4.公司推进多轮员工持股，公司

29、推进多轮员工持股，加大员工激励力度加大员工激励力度 三安光电已累计推行四期员工持股计划，根据公司公告，2021 年年末第四期员工持股计划已完成，公司投入 15.939 亿元，通过二级市场累计买入 4604.06 万股股票，第四期员工持股计划在公司股份总数的占比达到了 1.03%。此轮参加员工持股计划的员工总数约为 3，228 人，包括公司董事、监事和高级管理人员、公司及下属子公司的员工。公司实际控制人为林秀成，直接和间接持股比例达到 32.54%。图图 4：公司股权结构（公司股权结构（2022 年第一季度）年第一季度）资料来源：Wind，安信证券研究中心 1.5.公司技术人才丰富，管理层深耕产

30、业多年公司技术人才丰富，管理层深耕产业多年 公司技术人才丰富，为公司的研发实力提升提供了坚实保障。根据 2021 年年报披露，公司技术员工 5,087 名，占公司在职员工的 27%。公司高管均为本科以上学历，深耕产业多年，拥有深厚的管理经验。图图 5：公司职工构成公司职工构成 图图 6：公司职工学历情况公司职工学历情况 资料来源：三安光电2021年年报，安信证券研究中心 资料来源：三安光电2021年年报，安信证券研究中心 ,，百分比，值，百分比 值，百分比,，百分比 1,339,7%生产人员 销售人员 财务人员 技术人员 行政管理人员 113,1%790,8%8,996,91%博士 硕士 本科

31、 9 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。表表 3：公司高管情况介绍：公司高管情况介绍 姓名姓名 职务职务 学历学历 履历履历 林志强林志强 董事长 本科 先后任职过福建省安溪县第十二届人大代表，厦门市思明区第十四届、第十六届人大代表。曾任职于湖南三安矿业有限责任公司董事长，福建三安集团有限公司董事、副总经理，厦门市国光工贸有限公司董事长，福建省漳州市国光工贸有限公司执行董事，本公司第七届、第八届、第九届董事会副董事长。林科闯林科闯 总经理 MBA 曾任职于福建三安集团有限公司副总经理，

32、本公司第五届、第六届、第七届、第八届、第九届董事会董事兼总经理。韦大曼韦大曼 常务副总经理 硕士 曾任职于厦门科技太阳能事业部总经理、日芯光伏科技有限公司执行董事，厦门市三安集成电路有限公司监事。李雪炭李雪炭 董事会秘书 本科 曾任职于天颐科技股份有限公司财务部、证券部和证券事务代表。林海林海 副总经理 硕士 曾任职国贸集团特区保税品公司业务主办;厦门鑫鼎盛证券咨询服务有限公司研究员;厦门宝龙工业股份有限公司采购科长;厦门三安电子有限公司市场营销部经理;总经理助理;厦门市三安光电科技有限公司副总经理;本公司副总经理兼营运中心总经理。林志东林志东 副总经理 硕士 曾任职于厦门科技太阳能事业部总经

33、理、日芯光伏科技有限公司执行董事，厦门市三安集成电路有限公司监事。张家宏张家宏 副总经理 博士 曾任职于台湾晶元光电协理。徐宸科徐宸科 副总经理 博士 曾任职于台湾晶元光电磊晶部门高级工程师、课长、制程工程部副理、制程工程部经理、制程工程部处长、制程群协理、安徽三安副总经理。蔡文必蔡文必 副总经理 硕士 曾任职于厦门市三安光电科技有限公司芯片部经理、总经理助理、总经理，天津三安光电有限公司总经理兼 GaAs 研发中心总经理，本公司总经理助理兼计划中心总经理。黄智俊黄智俊 财务总监 本科 曾任职于三明钢铁厂，福建三安钢铁有限公司财务总监，本公司董事。张中英张中英 副总经理 博士 曾任职于华上光电

34、任研发专案经理，力旭光电生产技术部协理，晶元光电外延中心主任兼副厂长，博灏投资顾问公司III-V 族半导体市场研究员。资料来源：公司2021年年报，Wind，安信证券研究中心 2.苹果、三星引领，苹果、三星引领，MiniLED 应用方兴未艾应用方兴未艾 2.1.Mini LED 具有高性价比，中大屏领域优势具有高性价比，中大屏领域优势明显明显 TFT-LCD 显示是显示是目前目前最成熟，且应用最广泛的显示技术。最成熟，且应用最广泛的显示技术。LCD 是一种由薄膜晶体管（TFT）驱动的有源矩阵液晶平板显示器，它主要原理是以电流刺激液晶分子构成画面，结合背光源和滤光片来显示颜色，经过二十多年发展，

35、目前主流显示屏包括 TV、显示器、平板、手机等均主要采用 TFT-LCD 技术生产。小尺寸小尺寸 OLED 面板成本已接近同尺寸面板成本已接近同尺寸 LCD，在，在手机屏幕中获得广泛应用。手机屏幕中获得广泛应用。OLED 指有机发光二极管，具备自发光、响应快的特点，与 LCD 相比 OLED 节省了背光源、液晶和彩色滤光片等结构，可实现超薄屏和柔性屏。OLED 显示根据驱动方式的不同，分为无源驱动 OLED（PMOLED）和有源驱动 OLED（AMOLED）两类，其中 AMOLED 具有反应速度快、对比度更高、视角较广的特点，应用领域更为广阔。根据 PIDA 数据，早在 2020 年一季度，5

36、.71 英寸的 OLED 面板就已经控制在 15-18 美元左右，与同尺寸 LCD 面板成本基本相同，因此 OLED 屏在在手机领域中逐步提高渗透率。10 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。图图 7：5.71 英寸手机面板价格（美元）英寸手机面板价格（美元）资料来源：wind,安信证券研究中心 Mini LED 背光技术是背光技术是 LCD 背光显示的升级，背光显示的升级，在中大屏尺寸优势明显。在中大屏尺寸优势明显。在技术原理上，Mini LED 背光与传统 LED 背光没有本质区别，

37、只是背光 LED 灯珠尺寸缩小、动态分区增多，因此实现难度和成本远低于 Micro LED。根据 LEDinside 估算，相同对比度条件下，采用 Mini LED 背光的液晶面板价格仅约为 OLED 面板的 70-80%，而液晶画面显示效果却能大幅提升，且保留了 LCD 技术高亮度、长寿命的优点。图图 8：LED 和和 MiniLED 发光度对比发光度对比 资料来源：ZEALER，安信证券研究中心 2.2.直显直显、背光、背光两大场景两大场景驱动，驱动，Mini LED 市场市场迎来快速增长迎来快速增长 国际巨头引领，多品牌加快布局国际巨头引领，多品牌加快布局 Mini/Micro LED。

38、苹果 2021 年 4 月推出 Mini LED 背光的 iPad Pro，系苹果首款搭载 Mini LED 的产品；三星 2018 年首次推出 Micro LED 的商用显示屏，并于 2020 年 12 月推出新款 Micro LED 电视；创维 2021 年 9 月推出了新一代大尺寸高端 Mini LED 电视 Q72，集成了 20,736 颗 Mini LED 灯珠；华为 2021 年 7 月发布首款 Mini LED 智慧屏产品“华为智慧屏 V 75 Super”，带有 46,080 颗 Super MiniLED；飞利浦、TCL、联想、小米、康佳、海信、LG 均推出了 Mini LE

39、D 背光系列的电视、电脑等产品。根据 LED inside 预测，Mini/Micro LED 将成为未来五年 LED 应用市场增长的主要驱动因素。根据 LED inside 统计，2020 年 Mini/Micro LED 显示技术相关项目总规划投资约 252 亿元，较 2019 年实现数倍增长。根据 Trend Force 预测，Mini LED 背光成本将有望以每年 15%-20%幅度下降，有望进一步推动 Mini/Micro LED 产业化进程0246810122019/6/12019/10/12020/2/12020/6/12020/10/12021/2/12021/6/1价格:手机

40、面板:5.71寸:1520*720:a-Si IPS/FFS（美元）11 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。加速。直显、背光两大场景驱动，直显、背光两大场景驱动，Mini LED 市场规模有望迎来快速成长。市场规模有望迎来快速成长。Micro LED（微型发光二极管）是将传统的 LED 阵列微小化，形成高密度集成的 LED 阵列，像素点尺寸在 50um 以下。Mini LED 芯片尺寸约在 50um-200um 之间，从终端应用场景来分，Mini LED 的应用领域可以分为直接显示和背

41、光两大场景，受益于两大场景的双重驱动，Mini LED 市场规模有望迎来快速成长。图图 9：2018 年年-2024 年年全球全球 Mini&Micro LED 市场市场规模及增长率预测规模及增长率预测 资料来源：Arizton，安信证券研究中心 表表 4：直显厂商发布更小间距的：直显厂商发布更小间距的 LED 显示屏显示屏 厂商厂商 产品产品 利亚德利亚德 1）2020 年 7 月 15 日利亚德召开 Micro LED显示产品上市发布会，其中面向全球首发的（P0.4）40 英寸 2k 产品，是目前全球范围内可量产的 Micro LED标准化商用显示产品 2）ISLE 2021 展示多款显示

42、产品及解决方案，包括 TX 系列及 MG 系列产品 洲明科技洲明科技 ISLE 2021 UMini P0.5、P0.7、P0.9 等多款引领行业技术潮流的显示产品及裸眼 3D创意视显、5G+8K 创新应用等多领域解决方案重磅亮相。强力巨彩强力巨彩 1）2021 年 2 月，强力巨彩设立Mini&Micro LED显示研究院。2）ISLE 2021 发布 Q Plus 系列点间距包含 P0.8-P4 艾比森艾比森 1）InfoComm China 2020 期间，艾比森 HC1.2 Pro 4K 超大显示屏全球首次亮相。其采用全球领先的 IMD四合一 Mini LED技术。2）ISLE 202

43、1 发布战略级 Micro LED产品 奥拓电子奥拓电子 ISLE 2021发布Mini LED显示产品CVES1.2，采用的是4合1封装技术，像素间距1.25mm，像素密度达 640000 点/，希达电子希达电子 ISLE 2021 发布 P0.4 微小间距倒装 COB 2K 拼接显示屏 LG ISLE 2021 发布 Micro LED新品“LG MAGNIT”。该产品像素间距 0.93mm 雷曼光电雷曼光电 ISLE 2021 P0.9 8K MicroLED 超高清显示屏 资料来源：ISLE 2021，安信证券研究中心 2.3.公司公司 MiniLED 业务已业务已与与 S004、A0

44、06 等国际大客户进入深度合作。等国际大客户进入深度合作。公司在 MiniLED 市场开拓已取得初步成效，2021 年报披露，公司已与 S004、A006 等国际大客户进入深度合作，部分产品已推向市场。国内客户中，公司与 TCL、H002、华星等客户的电视、笔记本 Mini LED 背光解决方案均将进入小批量产，其他客户的产品解决方案也在紧密接洽。产能产品方面，公司全资子公司泉州三安以垂直结构和倒装制成产品为主，湖北三安主要从事 mini/micro LED 业务。随着公司 MiniLED 等高端产品占比的逐步提高，未来营业收入规模有望持续提高，盈利能力向上改善。144.50%145.00%1

45、45.50%146.00%146.50%147.00%147.50%148.00%00400050006000700020021E2022E2023E2024E全球Mini&Micro LED市场规模（百万美元）增长率 12 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。3.新能源行业持续景气，碳化硅行业处新能源行业持续景气，碳化硅行业处快速增长快速增长前夕前夕 3.1.碳化硅物理特性优良，适合制备高温、高压、高频器件碳化硅物理特性优良，适合制备高温、高

46、压、高频器件 碳化硅物理特性优良，耐高温、高压、高频，是高压平台下功率器件的首要选择。碳化硅物理特性优良，耐高温、高压、高频，是高压平台下功率器件的首要选择。碳化硅属于第三代半导体材料，适合制备耐高频、高压的功率器件，保证了其可击穿更高的电场强度，其应用在电力电子、通信射频等领域，应用非常广泛。表表 5：半导体材料的指标参数对比半导体材料的指标参数对比 Properties Si 4H-SiC GaAs GaN Energy gap（eV）1.12 3.26 1.43 3.5 Electron Mobility （cm2/Vs）1400 900 8500 1250 Hole Mobility

47、（cm2/Vs）600 100 400 200 Breakdown Field(V/cm)106 0.3 3 0.4 3 Thermal Conductivity(W/cmOC)1.5 4.9 0.5 1.3 Saturation Drift Velocity(cm/s)107 1 2.7 2 2.7 Relative Dielectric Constamt 11.8 9.7 12.8 9.5 资料来源：ROHM（罗姆）SiC 功率器件模块应用笔记，安信证券研究中心 图图 10：Si 和和 SiC 的额定电压范围（二极管）的额定电压范围（二极管）资料来源：ROHM（罗姆）SiC 功率器件模块应

48、用笔记，安信证券研究中心 碳化硅碳化硅适合制备高压器件。适合制备高压器件。SiC 的绝缘击穿场强是 Si 的 10 倍，较大的绝缘击穿场强使碳化硅能够以更高的掺杂浓度并且膜厚更薄的漂移层制作出 600V数千 V 的高压功率器件。高压功率器件的电阻成分主要由该漂移层的电阻所组成，使用 SiC 材料可以实现单位面积导通电阻非常低的高压器件。理论上当耐压相等时，SiC 在单位面积下的漂移层电阻可以降低到 Si 的 1/300，因此 SiC 材料能够使具有快速器件结构特征的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和 MOSFET）实现高压化。碳化硅碳化硅可以在高温场景下应用。可以在高温场景下应用。SiC 的带

49、隙宽度大约为 Si 的 3 倍，可以在较宽范围内实现必 13 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。要的 P 型、N 型控制，超越 Si 器件的物理极限，可在高温条件下稳定工作。目前受封装的耐热可靠性的制约，通常可耐温至 150175，随着封装技术的发展，将来可达到 200以上的保证温度。碳化硅功率器件在风力发电、传统工业等领域已实现成熟应用。碳化硅功率器件在风力发电、传统工业等领域已实现成熟应用。伴随着新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等产业的快速发展，功率器件的使用需求大幅增加。

50、IC Insights 2019 年光电子、传感器、分立器件市场分析与预测报告显示，2018 年全球功率器件的销售额增长率为 14%，达 163 亿美元。未来随着碳化硅和硅基氮化镓功率器件的不断加速发展，全球功率器件的销售额预计将持续保持增长。预计 2018 至 2023 年期间，全球功率器件的销售额复合年增长率达到 3.3%，2023 年全球功率器件收入将达到 192 亿美元。IHSMarkit 数据显示，2018 年碳化硅功率器件市场规模约为 3.9 亿美元，受新能源汽车庞大需求的驱动，以及电力设备等领域的带动，预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元，碳化硅带来

51、的市场需求也将大幅增长。图图 11：碳化硅功率器件市场规模测算碳化硅功率器件市场规模测算 资料来源：IHS Markit，安信证券研究中心 3.2.碳化硅器件在新能源车型渗透率提升趋势明显碳化硅器件在新能源车型渗透率提升趋势明显 高压车型不断推出，碳化硅应用逐步高压车型不断推出，碳化硅应用逐步增加增加。目前市面新能源汽车主流电压平台介于 400V-500V 之间，理想 ONE、小鹏汽车和蔚来汽车的换电方案都在尝试解决里程焦虑和充电速度慢的问题，未来 800V快充趋势明显。800V方案中快充功率可以达到 400-500kW，如小鹏 G9 充电十分钟续航可达 400 公里。表表 6：国内车企布局碳

52、化硅器件进展：国内车企布局碳化硅器件进展 序号序号 公司名称公司名称 碳化硅器件布局情况碳化硅器件布局情况 1 蔚来 计划 2022 一季度开始交付的蔚来首款轿车 ET7，该车将是全球首批应用碳化硅功率模块的电动车之一。在新技术的帮助下，ET7 的续航里程能够超过 1000 公里。2 江淮汽车 2021 年 4 月江淮汽车与博世动力总成系统中国区在上海签订了SiC逆变器方面的战略协议 3 比亚迪 比亚迪扩建模块生产线，对外招标采购“SiC分选机”和“SiC测试机”；公司计划到 2023年，在旗下所有电动车中用 SiC功率半导体全面替代 IGBT。2020 年 12 月，比亚迪半导体公布目前在规

53、划自建 SiC 产线，预计 2021 年建成自有 SiC产线。4 一汽集团 一汽集团合资企业苏州亿马半导体的碳化硅模块项目正式投产，一期投资 2 亿元。14 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。5 吉利汽车 2021 年 8 月，吉利汽车宣布采用罗姆SiC器件。吉利将利用罗姆的先进 SiC功率解决方案，开发高效电控系统和车载充电系统，以延长电动汽车的续航里程，降低电池成本并缩短充电时间。5月透过旗下威睿电动汽车与SiC功率厂商芯聚能合资成立广东芯粤能半导体，布局车规级功率半导体，与芯聚能

54、产业链上下形成联动。6 鸿海 鸿海以 25.2 亿台币（约合 5.87 亿人民币）收购旺宏位于竹科的6 英寸晶圆厂。鸿海方面透露，买这个厂将用来开发与生产第三代半导体，特别是电动车使用的 SiC功率器件。资料来源：公司官网，公司公告，安信证券研究中心 搭载高压架构的车型逐渐趋向经济型下沉，推动碳化硅市场渗透率提升。搭载高压架构的车型逐渐趋向经济型下沉，推动碳化硅市场渗透率提升。碳化硅在高压方面有先天性能优势，续航能力方面，续航要求越高，碳化硅越有优势。就乘用车而言，300km以上续航，碳化硅具备优势，电池需求越大，碳化硅优势越明显。目前在高续航和快充的市场需求下，新能源汽车由 400V 向 8

55、00V 架构升级趋势已成大局，未来随着电池、器件成本的降低，经济型电动车也有望搭载高压方案。随着碳化硅尺寸的增大、产业链的完善，碳化硅衬底成本下降，碳化硅器件有望逐渐扩展至中低端车市场，SiC 市场空间预计将被进一步打开。据 CASA 预测，到 2025 年新能源汽车中 SiC 功率半导体市场预计将以 38的年复合增长率增长。图图 12：碳化硅在电动汽车中的应用碳化硅在电动汽车中的应用 资料来源：电力电子网，安信证券研究中心 新能源汽车的电驱系统、新能源汽车的电驱系统、OBC、DC/DC 等目前主要采用等目前主要采用 Si 基基 IGBT器件，碳化硅器件有望器件，碳化硅器件有望替代。替代。根据

56、英飞凌官网报告，对于主逆变器来说，采用 SiC 模块替代 IGBT 模块，其系统效率可以提高 5%左右。在电池容量相同的情况下，其续航里程可提高 5%；在续航里程相同的情况下，电池容量可以减少 5%，可为新能源汽车的使用节约大量成本。此外，IGBT 是双极型器件，在关断时存在拖尾电流；而 MOSFET 是单极器件，不存在拖尾电流，该特性使得SiC MOSFET 的开关损耗大幅降低，提高能源转换效率。随着越来越多的车厂提高车的电池电压，在未来的高压场景下，碳化硅的性能优势会更加明显。电驱系统电驱系统：特斯拉是第一家在主逆变器中集成全碳化硅功率器件的汽车厂商，其 Model3 车型率先采用了 24

57、 个碳化硅 MOSFET，采用标准 6-switches 逆变器拓扑，每个 switch 由 4个单管模块组成，共 24 个单管模块，可实现模块封装良率的提升、半导体器件成本的下降。2020 年比亚迪汉 EV 车型电机控制器使用其自主研发制造的 SiC MOSFET 控制模块，可以在更高的电压平台下工作，减少设备电阻损失。比亚迪汉在电力电子系统更小的体积（同功 15 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。率情况下，体积不及硅基 IGBT 的 50%）下达到更高功率（363Kw），提升车型的

58、加速性能，实现 3.9s 内 0-100 公里的加速，延长汽车的续航里程（605 公里），这均与碳化硅耐高压、耐高温、导热率高的优良特性有关。图图 13：Model3 逆变器逆变器 PCB 板板 图图 14：比亚迪采用：比亚迪采用 SiC MOSFET 模块模块 资料来源：旺财电动车，安信证券研究中心 资料来源：Omdia，安信证券研究中心 车载充电系统（车载充电系统（OBC）：车载蓄电池充电机可将来自电池子系统的 DC 电源转换为主驱动电机的 AC 电源。SiC 器件使得 OBC 的能量损耗减少、热能管理改善。据 Wolfspeed 数据，OBC 采用碳化硅器件，与硅器件相比，其体积可减少

59、60%，BOM 成本将降低 15%，在 400V系统相同充电速度下，SiC 充电量翻倍。目前，全球已有超过 20 家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件 电源转换系统（车载电源转换系统（车载 DC/DC）：车载 DC/DC 变换器可将动力电池输出的高压直流电转换为低压直流电。采用碳化硅器件，设备温度积累减少，加之材料本身高导热率、耐高温的特点，散热设备可以简化，从而减小变压器体积。非车载充电桩非车载充电桩：非车载直流快速充电机可将输入的外部 AC 电源转换为电动车需要的 DC 电源。SiC 的高开关速度保证了快速充电器的充电速度。3.3.800V 电压平台推动碳化硅行业发展电压平台推动碳

60、化硅行业发展 目前大多数新能源汽车的电压平台为 400V，为提高电动汽车的充电速度、减轻器件重量，新能源汽车 800V 电压平台正在推进。据 ST 测试数据，在 800V 平台下 SiC 器件损耗显著低于 IGBT，在常用的 25%的负载下其损耗低于 IGBT 80%。当新能源汽车的电压平台提升至 800V 后，OBC、DC/DC 及 PDU 等电源产品都需要升级，碳化硅器件在新能源汽车市场渗透率也将进一步提高。新能源汽车碳化硅功率器件市场规模推算：新能源汽车碳化硅功率器件市场规模推算：根据中国汽车工业协会数据，我国新能源汽车销量由 2015 年的 33.1 万辆增至 2019 年的 120.

61、6 万辆，复合增长率达 38%，2021 年国内新能源汽车产销分别完成 354.5 万辆和 352.1 万辆。IDC 预测中国新能源车销量至 2025年的年均复合增长率（CAGR）将达到 36.1%。目前比亚迪、吉利极氪、小鹏汽车、广汽埃安、理想汽车、北汽极狐、岚图等车企相继投资 800V 电压架构产品，合理假设 2025 年碳化硅器件渗透率 30%，年均价格降幅 10%，2025 年预计全球碳化硅功率器件仅在新能源车 16 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。主驱市场空间达 181.9

62、7 亿元。表表 7：碳化硅在新能源碳化硅在新能源车主驱车主驱领域市场空间估算领域市场空间估算 新能源车市场估算新能源车市场估算 2021 2022E 2023E 2024E 2025E 中国新能源车销量（万辆）中国新能源车销量（万辆）352 550 749 1019 1387 全球新能源车销量（万辆）全球新能源车销量（万辆）650 943 1283 1747 2377 SiC 渗透率渗透率 0.08 0.12 0.15 0.2 0.3 SiC 成本（元成本（元/辆）辆）3500 3500 3150 2835 2551.5 中国市场空间中国市场空间(亿元亿元)9.86 23.10 35.37 5

63、7.76 106.13 全球市场空间（亿元）全球市场空间（亿元）18.20 39.61 60.64 99.04 181.97 资料来源：IDC，安信证券研究中心 3.4.光伏发电市场维持高景气，为碳化硅功率器件带来持续发展动力光伏发电市场维持高景气，为碳化硅功率器件带来持续发展动力 我国光伏发电市场持续维持高景气度，光伏平价上网进一步释放逆变器需求。我国光伏发电市场持续维持高景气度，光伏平价上网进一步释放逆变器需求。据国家能源局数据，2021 年我国光伏发电量为 3259 亿千瓦时，同比增长 25.1%，占总发电量比重 3.9%，截至 2021 年我国光伏市场新增装机 54.88GW，累计装机

64、量为 306GW，我国光伏累计装机量连续六年居全球首位。受益于原材料成本的下降以及光伏发电技术的快速迭代，全球光伏发电成本持续下降，各国陆续进入光伏平价时代，助推光伏逆变器市场增长。根据 BNEF 统计，自 2007 年开始的十年时间内，光伏发电组件、光伏发电系统成本分别下降 88.3%和 91.6%，度电成本累计下降约 90%，CPIA 数据显示，在全投资模式下，2019 年地面光伏电站在 1800/1500/1200/1000 小时等效利用小时数的 LCOE 分别为 0.28、0.34、0.42、0.51元/kWh，其中 1800h 的 LCOE 已经低于煤电上网价格，光伏发电成本的大幅下

65、降使得光伏发电的市场渗透率提高。图图 15：2015-2021 年国内光伏新增装机容量及增长率年国内光伏新增装机容量及增长率 图图 16：2015-2021 年全国光伏发电累计装机容量及增速年全国光伏发电累计装机容量及增速 资料来源：国家能源局，安信证券研究中心 资料来源：国家能源局，安信证券研究中心 光伏市场装机量光伏市场装机量：根据 CPIA 预计，2025 年我国光伏新增装机量为 90-110GW，乐观情况下年复合增长率达 18%；全球光伏新增装机量有望达到 330GW，年复合增长率达 20%。-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0

66、%140.0%004000500060002015 2016 2017 2018 2019 2020 2021新增装机容量（万千瓦）增速（%）0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%80.00%90.00%05003003502015 2016 2017 2018 2019 2020 2021累计装机容量（GW）增速（%）17 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。图图 17：中国光伏新增装机

67、预测（：中国光伏新增装机预测（GW）图图 18：全球光伏新增装机预测（：全球光伏新增装机预测（GW）资料来源：CPIA，安信证券研究中心 资料来源：CPIA，安信证券研究中心 3.5.碳化硅可有效提升光伏逆变器性能碳化硅可有效提升光伏逆变器性能 碳化硅二极管恢复损耗小且碳化硅二极管恢复损耗小且不易受到电流、温度影响，可提高光伏逆变器发电效率不易受到电流、温度影响，可提高光伏逆变器发电效率。Si 基快恢复二极管是双极型器件，存在电导调制效应，反向恢复时间较长。SiC 肖特基二极管的反向电流尖峰较小，反向恢复时间较短，反向恢复损耗也要小得多，且 SiC 肖特基二极管的反向恢复特性几乎不随温度、正向

68、电流变化，而 Si 基 PN 结快恢复二极管的反向恢复电流尖峰和反向恢复时间均随温度、正向电流的升高而恶化。相比于硅基相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无 Si 器件的电流拖器件的电流拖尾显现、高开关频率等优点，还有利于提高光伏逆变器使用寿命。尾显现、高开关频率等优点，还有利于提高光伏逆变器使用寿命。SiC 的高击穿电压意味着它可以用来制造比硅基材料电压高得多的 MOSFET，同时保留了低压硅器件的快速开关速度优势。器件封装内部产生的温度循环和应力交变是影响逆变器寿命的主要因素，器件环境温度每升高 10，寿命减少一半

69、。碳化硅的高效率，意味着可以降低损耗、减少温度循环，从而提升器件寿命。图图 19：SiC MOSFET 与与 IGBT 开关特性比较图开关特性比较图 图图 20：逆变器内部电容器寿命和环境温度的关系逆变器内部电容器寿命和环境温度的关系 资料来源：世强硬创电商，安信证券研究中心 资料来源：古瑞瓦特官网，安信证券研究中心 18 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。碳化硅材料热导率以及禁带宽度高于硅材料，采用碳化硅器件可减小逆变器的体积和重量。碳化硅材料热导率以及禁带宽度高于硅材料，采用碳化硅

70、器件可减小逆变器的体积和重量。开关频率越高，无源元件的体积越小，碳化硅的高频特性大大减小逆变器体积和重量。碳化硅的导热系数较高，硅在 175左右就无法正常运行，在 200 摄氏度时会变成导体，而 SiC直到 1000左右才发生这种情况。根据 Carbontech 数据，由于 SiC 散热快，缩小了系统的冷却结构，采用碳化硅器件可使逆变器的体积和重量减少 40%60左右。表表 8：碳化硅碳化硅光伏逆变器开发进展光伏逆变器开发进展 序号序号 公司名称公司名称 碳化硅光伏逆变器开发情况碳化硅光伏逆变器开发情况 1 英飞凌 英飞凌开发出了适用于光伏发电用逆变器的耐压为 1200V 的 SiC型 JFE

71、T“CoolSiC产品群”。采用 SiC型JFET 可以实现装臵的小型轻量化，同时提高工作频率，也能降低开关损耗。2 富士电机 富士电机积极推进 SiC MOSFET 的实用化，用于 2014年 8 月开始量产输出功率 1000kW 的百万瓦级光伏电站使用的光伏逆变器。3 田渊电机 该公司采用 SiC二极管的逆变器通过减少开关损耗和导通损耗，大幅降低了转换损失。虽然仍需组合采用 IGBT，但今后通过完全采用 SiC，估计损耗还将减少60%左右，并且成本反而可能下降。4 三菱电机 在可再生能源技术及产品展“PVJapan2014”上，三菱电机展示了“全 SiC-IPM”电源调整器产品，只使用一个

72、逆变器，可支持 4.4kW 的输出功率，将直流电力转换成交流电力的转换效率为 98.0%。5 西门子 西门子旗下子公司Kaco new energy于2020年12月推出了两款用于大型光伏项目的组串型逆变器，blueplanet 155 TL3 和 165 TL3，额定输出功率分别为 155kW 和165kW，均采用了碳化硅晶体管设计。与传统逆变器相比，采用碳化硅晶体管的逆变器具有更高的功率密度、更少的冷却需求和更低的整体系统成本。6 德国 Fraunhofer ISE 德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)研发了一款 250kW 的碳化硅逆变器，可用于连接中压系统的公

73、用事业规模的光伏项目，其运行转换效率为 98.4%，可以节省高达 40%的体积。7 安森美半导体 2020 年，安森美半导体推出了一款适用于太阳能逆变器应用的全 SiC功率模块，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其 M70A 三相光伏组串逆变器，产品能实现高达 98.8的峰值能量转换能效。8 阳光电源 2014 年，阳光电源 SG60KTL-M、SG60KTL 组串逆变器采用了 SiC MOS 器件；2017 年，阳光电源将 SiC模块规模化应用于 SG80KTL-M组串逆变器。资料来源：公司官网，公司公告，安信证券研究中心 光伏逆变器光伏逆变器 SiC 市场空间推算

74、市场空间推算：根据 CPIA 预测，2021 年-2025 年，我国光伏装机容量持续上涨。根据产业调研，IGBT 单位成本大约为 2000-2500 万元/GW，SiC 方案成本是 IGBT方案的 3.5 倍即 7000-8750 万元/GW，假设碳化硅成本每年降低 10%。据产业调研，预计2023 年下半年是导入碳化硅的小高潮，2025 年碳化硅在光伏逆变器领域的渗透率有望达30%-50%，取中值按 40%测算。粗略估计，2025 年全球光伏逆变器 SiC 市场规模达到 69.96亿元。19 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项

75、声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。表表 9：光伏逆变器：光伏逆变器 SiC 市场空间测算市场空间测算 2021 2022E 2023E 2024E 2025E 光伏新增装机量（光伏新增装机量（GW）170 225 270 300 330 SiC 在光伏市场中的渗透率在光伏市场中的渗透率 0.02 0.1 0.2 0.3 0.4 SiC 单位成本（亿元单位成本（亿元/GW）0.8 0.72 0.65 0.59 0.53 对应的对应的 SiC市场空间（亿元）市场空间（亿元）2.72 16.2 35.1 53.1 69.96 资料来源：CPIA，安信证券研究中心 3.6.公司碳化硅二极管送

76、样客户超公司碳化硅二极管送样客户超 500 家，碳化硅家，碳化硅 MOS 产品已送样产品已送样 公司产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET，2021 年报披露，公司碳化硅二极管在 2021 年新开拓送样客户超过 500 家，出货客户超过 200 家，超过 60 种产品已进入量产阶段，在 PFC 电源的标杆客户有维谛、比特、长城等；光伏逆变器阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等国内前 20 大客户均已进入；在车载充电机领域有威迈斯、弗迪动力（比亚迪）等客户；在家电领域格力、长虹等；在充电桩及 UPS 英飞源、科华、英威腾、嘉盛等，各细分应用市场标杆客户实现稳定供货。碳化硅 MOSFET

77、工业级产品已送样客户验证，车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试；碳化硅 MOSFET 车规级与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破。4.硅基氮化镓在电力电子领域应用场景多样硅基氮化镓在电力电子领域应用场景多样 硅基氮化镓相比传统的硅，可以有效提高能量转化效率硅基氮化镓相比传统的硅，可以有效提高能量转化效率。硅基氮化镓的低电阻和低电容特性，能在更小的器件空间内提供更快的开关速度处理更大的电场，硅基氮化镓比普通的硅基半导体器件能在更高的温度下工作。硅基氮化镓的产品，也越来越多地出现在发电装臵采用的逆变器中以及其他工业电源转换的方案中。硅基氮化镓有高频、耐压的特性，目前主要应用于快充市场硅基

78、氮化镓有高频、耐压的特性，目前主要应用于快充市场。硅基氮化镓已在快充消费电子功率器件领域得到快速应用，并且会逐渐拓展到新能源汽车等多领域。根据 Yole 预测，功率氮化镓在消费、汽车、通信等多种应用驱动下，市场规模在 2026 年有望达到 11 亿美元，2020-2026 年间复合增速可达 70%。图图 21：GaN 的应用场景的应用场景 资料来源：前瞻产业研究院，安信证券研究中心 68%20%10%2%光电领域 射频 电力电子 其他 20 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。表表 10

79、：应用于：应用于 PD 快充的快充的 GaN 芯片芯片 公司公司 击穿电压击穿电压 导通导通电阻电阻 英诺赛科英诺赛科 650V 130m/200 m 东科半导体东科半导体 650V 200 m Navitas 650V 70 m300 m Transphorm 650V 35 m480 m GaN systems 650V 10 m450 m 资料来源：CASA Research，安信证券研究中心 表表 11：硅基氮化镓频射技术发展阶段：硅基氮化镓频射技术发展阶段 时间时间 目标目标 2020-2022 面向 sub-6GHz、26GHz 和 39GHz 频段的 5G 通信应用的 Si-on

80、-GaN 的射频功率放大器，技术成熟和进行量产；面向车载雷达、物联网等 5G 通信系统应用和后 5G 通信系统应用的 E、W 频段的 Si-on-GaN 的功率放大器进行研发；8 英寸 Si-on-GaN 的射频技术开始量产 2023-2025 面向车载雷达、物联网等 5G 通信系统应用和后 5G 通信系统应用的 E、W 频段的 Si-on-GaN 的功率放大器，进行量产；面向后 5G 通信系统应用的 F、G 频段的 Si-on-GaN 的功率放大器进行研发 2026-2030 面向后 5G 通信系统应用的 F、G 频段的 Si-on-GaN 功率放大器进行量产；面向 6G 通信系统应用的 R

81、 频段和 Si-on-GaN 的功率放大器进行研发 资料来源：CASA Research，安信证券研究中心 公司目前在硅基氮化镓领域拥有完整的代工能力。21 年报披露，2018 年公司完成了客户送样，阶段性通过测试以及小批量供货，2019 年重要客户已实现批量生产，产能逐步爬坡同时将自己的 150mn 硅基氮化镓代工服务推向市场，2021 年完成约 60 家客户工程送样及系统验证其中有 24 家进入量产阶段。5.射频板块，国内企业逐步发力射频板块，国内企业逐步发力 5.1.砷化镓，中低功率射频器件理想材料砷化镓，中低功率射频器件理想材料 砷化镓是当前射频领域中应用最广泛的材料，适合中低功率器件

82、，是目前技术较为成熟、生产量最大的化合物半导体，被广泛应用在射频、无线通信以及特种应用上。稳懋 2020 年报披露，据 Strategy Analytics 的研究报告数据，2020 年砷化镓整体市场 91.61 亿美元，同比增长 6.4%，代工市场 10.57 亿美元，稳懋市占率 79.2%。随着国产射频厂商兴起，砷化镓代工厂占比逐步增大。由于代工厂具有较大成本优势，加上 IDM 公司对于产能扩充相较保守，因此 IDM 公司持续释放出更大比率的订单给代工厂，随着我国射频设计厂商持续发展，如海思、唯捷创新、飞骧科技等优秀企业逐渐发力，预计砷化镓市场中未来代工厂的比例会逐渐攀升。表表 12：半导

83、体性能对比：半导体性能对比 指标指标 Si GaAs SiC GaN 指标解读指标解读 禁带结构禁带结构 间接带隙 直接带隙 直接带隙 间接带隙 直接带隙的半导体对光的利用率更好，发光效率高 禁带宽度禁带宽度 （eV）1.1 1.4 3.3 3.4 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，决定着器件的耐压 最高工作温度及导通损耗 电子迁移率电子迁移率 （cm2/Vs）1350 8500 1000 2000 电子在电场作用下移动快慢程度，反应的是单位电场作用下的平均漂移 速度。迁移率大，电阻率小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大 介电常数介电常数 11.9 13.1 10.1 9

84、 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，外加电场与最终介质中电场比 21 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。值。介电常数小，单位面积的器件寄生电容小，因此对于同样的器件阻抗，介电常数小的材料可以使用的器件面积就大，这样就可以开发较高的 RF 功率水平 击穿场强击穿场强 （MV/cm）0.3 0.4 2.8 3.3 临界击穿电场决定器件的耐压能力，击穿场强越大，器件的阻断电压越大，适合高压电子器件，可应用于电气化铁路、电力系统等方面 饱和电子漂饱和电子漂移速率移速率（107cm/s）

85、1 1 2.2 2.7 载流子的漂移速度随着电场的增大而增大，但当电场增大到一定程度时 载流子的漂移速度达到极限值。电子饱和漂移速率越高，器件具有越低 的导通电阻，导通损耗低，高频性能好 资料来源：半导体行业观察，安信证券研究中心 5.2.碳化硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓，5G、军工领域加大应用、军工领域加大应用 碳化硅基氮化镓主要的应用市场是无线通信和特种领域。碳化硅基氮化镓主要的应用市场是无线通信和特种领域。碳化硅基氮化镓适合应用在大功率、高频率的微波器件上如军用雷达、智能武器和通信系统方面，同时随着发展已逐渐向 5G 移动通讯基站等领域拓展，将在低频段 3-6GHz 和毫米波频段发挥作用，

86、已成为基站功放器的重要新材料。据 Yole 预测碳化硅基氮化镓器件市场预计将在2026 年达到 22 亿美元以上，复合年增长率为 17%。表表 13：GaN、GaAs和和 LDMOS 性能比较性能比较 LDMOS GaAs GaN 适用频率适用频率 3.5GHz 以下 40GHz 40GHz 输出功率输出功率 1800W 50W 以下 1800W 功率密度功率密度 12W/mm-68W/mm 尺寸尺寸 1X 较小 1/41/6X 成本成本 低 中等 高 适用范围适用范围 3G/4G 基站 终端射频前端 5G 宏基站、小基站 资料来源：拓璞产业研究院，安信证券研究中心 图图 22：基站射频是基站

87、射频是 SiC 基基 GaN 的重要应用领域的重要应用领域 资料来源：Yole，安信证券研究中心 22 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。5G 建设推动碳化硅基氮化镓市场快速成长。建设推动碳化硅基氮化镓市场快速成长。GaN 具有小体积、大功率的特性，以及 碳化硅基氮化镓的禁带速度、SiC 的高导热率和低 RF loss，电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于硅和砷化镓，通常应用与雷达和功率较大的宏基站，目前已逐步应用在基站 PA 芯片上。受益于 5G 基站快速发展、GaN 射频器

88、件市场规模的快速增长。表表 14：碳化硅基氮化镓频射技术发展阶段：碳化硅基氮化镓频射技术发展阶段 时间时间 发展目标发展目标 2020-2022 面向雷达、电子战、卫星通信、航空航天通信、太空探测等应用领域的 SiC 基 GaN 大功率固态功率放大器，其工作频率逐步向 W 波段，甚至更高的频率发展，产品的输出功率将达到百瓦级，甚至达到千瓦级。面向 26GHz 和 39GHz 毫米波频段 的 5G 通信应用的 SiC 基 GaN 射频功率放大器，输出功率达到 10 W，技术达到成熟和量产，面向车载雷达、物联网等 5G 通信系统应用和后 5G 通信系统应用的 E、W 频段的 SiC 基 GaN 功

89、率放大器，进行研发。2023-2025 面向雷达、电子战、卫星通信、航空航天通信、太空探测等应用领域的 SiC 基 GaN 大功率固态功率放大器，其工作频率将达到 THz 频段，产品输出功率达到千瓦级；面向车载雷达、物联网等 5G 通信系统应用和后 5G 通信系统应用的 E、W 频段的 SiC 基 GaN 功率放大器，进行量产；面向后 5G 通信 系统应用的 F、G 频段的 SiC 基 GaN 的功率放大器，进行研发。2026-2030 面向雷达、电子战、卫星通信、航空航天通信、太空探测等应用领域的 SiC 基 GaN 的大功率固态功率放大器工作频率将突破 1THz，输出功率达到几千瓦，甚至达

90、到万瓦级；SiC 基 GaN 射频技术：面向后 5G 通信系统应用的 F、G 频段的 SiC基 GaN 功率放大器，进行量产；面向 6G 通信系统应用的 R 频段和 SiC 基 GaN 功率放大器进行研发。资料来源：CASA Research，安信证券研究中心 5.3.射频滤波器，国产替代进行时射频滤波器，国产替代进行时 射频滤波器行业产业链上游参与主体包括 EDA 软件、压电材料、封装材料供应商，中游是射频滤波器生产相关企业，设计厂商、制造厂商、封测厂商等，下游为通信终端设备集成商，主要涉及智能手机、物联网等领域。中国智能手机产品出货量趋向饱和，据 IDC 数据，2020 年智能手机出货 3

91、.3 亿部，5G 手机1.63 亿部，约占总量的 50%。随着 5G 实现规模商用，中国智能手机出货量有望重回增长轨道，进一步提升中国射频滤波器需求量。IDC 数据披露，中国射频滤波器市场有望在 2024年 56.7 亿美元，目前主要被美日企业占据，本土企业出货量不及需求量 5%。图图 23：手机滤波器中国市场规模（亿美元）手机滤波器中国市场规模（亿美元）资料来源：IDC，安信证券研究中心 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2000224SAW规模 BAW规模 23 公司深度分析/三安光电 本报告

92、版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。5.4.公司射频板块进展迅速，订单交付能力逐步增强公司射频板块进展迅速，订单交付能力逐步增强 射频领域，公司产品覆盖 2G-5G 手机 PA、WiFi 等应用领域，2021 年报披露，公司客户累计近 100 家，客户地区涵盖国内外，公司代工产品（PA 功放、LNA 低噪放等）已进入国内一线品牌供应链，性能及可靠性已获业界广泛认可，应用于手机终端客户包含三星、荣耀、传音、VIVO、MOTO 及通讯模块大厂移远、广和通。滤波器领域，目前公司涉及到的滤波器有 SAW、TC-SAW、双工器

93、、四工器。2021 年报披露，SAW 和 TC-SAW 产品已开拓客户 41 家，其中 17 家为国内手机和通信模块主要客户，已成功进入国内手机 ODM 企业及国内外智能手机的供应链。在物联网 LTE Cat1 数据模块市场，公司双工器市场份额占比逐步提高，主要客户为广和通、芯讯通、美格、合宙等。6.iPhone X 采用采用 VCSEL 技术，光电子器件在技术，光电子器件在消费领域消费领域迎来迎来增长增长 光电子器件是指利用电光电子器件是指利用电-光子转换效应制成的各种功能器件光子转换效应制成的各种功能器件。可应用于光通信、光显示、手机相机、夜视眼镜、微光摄像机、光电瞄具、红外探测、红外制导

94、、医学探测和透视等多个领域。目前目前应用较为广泛的光电子技术器件为垂直腔面发射激光器（应用较为广泛的光电子技术器件为垂直腔面发射激光器（VCSEL）。VCSEL 是半导体激光器的一种，采用激光垂直于顶面的方式发射，结构主要有顶发射和底发射两种，一般由衬底、N 型接触层、N 型 DBR、P 型 DBR、P 型接触层等组成。相较于 LED 和边发射激光器（EEL），VCSEL 光束具有高输出功率、高转换效率和高质量的优点，体现在器件的高精确度、小型化、低功耗等。VCSEL 具有圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小等特点，被广泛应用于消费电子及自动化交通等领域。2021 年报披露，VCSEL 市场规

95、模在 2024 年将超过 37 亿美金。图图 24：VCSEL 结构 资料来源：百度百科，安信证券研究中心 苹果公司苹果公司 2017 年首次在年首次在 iPhone X上应用上应用 VCSEL，实现将，实现将 VCSEL 由工业用途带进消费电由工业用途带进消费电子领域的突破子领域的突破。iPhone X 最大的特点是取消 Home 键改为 Face ID 脸部辨识解锁技术，而脸部识别的关键器件就是 VCSEL。不仅人脸识别，VCSEL 进行封装后可产生 VCSEL 激光 24 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾

96、页。各项声明请参见报告尾页。二极管，还可应用于手机面屏，智能穿戴设备和屏下指纹解锁等。乘用车领域，车用雷达激光也将由 EEL 逐步过渡到 VCSEL。据 Yole 数据，预计 2017-2023 年 VCSEL 市场规模增长5 倍，CAGR 达 31%。2021 年报披露，公司激光器及探测器芯片已经成功进入接入网 PON、5G 前传、数据中心、消费类 AOC 等市场领域；在百兆及千兆接入网 PON 市场，公司芯片直接供货国内众多光器件封装厂，间接供货业内头部企业及 BOX 厂商；在数据中心应用市场，已成为多家数通光模块客户核心芯片供应商，间接供货部分头部数字中心；在 5G 无线应用领域，25G

97、 探测器芯片已间接供货海外系统设备商，25G 全系列 DFB 也已逐渐成熟并在国内多家光模块厂商送样测试。在消费类 AOC 领域，公司产品已经成功进入国内国际各大主力线缆客户，间接进入亚洲以及北美的知名消费电子类巨头的供应链，实现小批量供货；光感测以及功率应用作为光技术新的战略增长点，也已经间接获得知名厂商的平板电脑、物流小车、智能汽车的采用。公司也在充分发挥平台优势，积极研发硅光技术，备于助推更高速光通信应用市场需求。消费类芯片已经进入头部手机供应链、汽车激光雷达、扫地机器人等市场领域。7.公司以公司以 LED 成功发展经验，发力化合物半导体业务版图成功发展经验，发力化合物半导体业务版图 7

98、.1.拟投资拟投资 160 亿，打造碳化硅亿，打造碳化硅 IDM 一体化平台一体化平台 2020 年公司发布公告，拟投资 160 亿在长沙建设第三代半导体产业园项目，包括长晶（SiC）衬底制作（SiC）外延生长芯片制备封装产业链，研发、生产及销售 6 寸 SiC 导电衬底、4 寸半绝缘衬底、SiC 二极管外延、SiC MOSFET 外延、SiC 二极管芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装 MOSFET 等。公司着力打造碳化硅 IDM 模式，2021 年报披露，湖南三安项目总占地面积约 1,000 亩，总建筑面积超 50 万平米，本年度投入 27.21 亿，截止

99、 2021 年累计投入 40.7 亿，已完成建筑面积 29.7 万平方米厂房投入使用，产能逐步释放，碳化硅配套产能将扩充至 3 万片/月。7.2.加大投资力度，大幅扩充各业务线产能加大投资力度，大幅扩充各业务线产能 公司 MiniLED 新增产能主要在泉州三安和湖北三安，随着产能的不断释放，LED 高端产品结构占比将大幅提高。集成电路新建项目规划产能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安。砷化镓射频产能将扩充到 3 万片/月，滤波器将扩充到 500KK/月产能，电力电子碳化硅配套产能扩充到 3 万片/月、硅基氮化镓产能扩充到 0.4 万片/月，光技术产能扩充到 2600 片/月，随着产能逐步释放，

100、预计未来营收规模将实现快速增长。表表 15：主要投资项目情况：主要投资项目情况 项目名称项目名称 业务业务 计划投资计划投资 达产产能达产产能 泉州三安半导体科泉州三安半导体科技有限公司半导体技有限公司半导体研发与产业化一期研发与产业化一期工程工程 氮化镓、砷化镓和特种封装 138 亿（含土地使用权）892 万片/年（折合倒装、垂直的产品产能 446 万片/年）和特种封装 8.72KKK/年 湖北三安光电有限湖北三安光电有限公司公司 Mini/Micro 显示产业化项目显示产业化项目 Mini/Micro LED 外延片与芯片和芯片深加工等业务 120 亿元（含土地使用权和流动资金）新增芯片产

101、能约 236 万片/年（以 4 寸为当量片）和 4K 显示屏用封装产品 8.4 万台/年 湖南三安半导体有湖南三安半导体有限责任公司碳化硅限责任公司碳化硅半导体产业化项目半导体产业化项目 碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物半导体的研发及产业化，包括长晶衬底制作外延生长芯片制备封装产业链 160 亿元（含土地使用权和流动资金）配套产能约 36 万片/年 资料来源：公司2021年度报告，安信证券研究中心 25 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。7.3.开展第四期员工持股计划，积极激励人才开展

102、第四期员工持股计划，积极激励人才 自 2014 年 8 月、2016 年 11 月、2020 年 10 月至 2021 年 9 月，公司开展员工持股计划共四期。第四期员工持股计划的参加对象为公司董事、监事和高级管理人员、公司及下属子公司的员工，出资参加员工持股计划的员工约为 3,228 人。公告披露，公司第四期员工持股计划于 2021 年 12 月 21 日购买完毕，通过二级市场累计买入公司股票 46,040,615 股,金额约 15.94 亿元，买入股份约占公司股份总数的 1.03%。公司员工持股计划能够进一步建立和完善劳动者与所有者的利益共享机制，完善公司治理结构。公司正处于积极扩充先进产

103、能的上升时期，这一系列计划的推出能够吸引和保留优秀管理人才和业务骨干，兼顾公司长期利益和近期利益，更灵活地吸引各种人才，从而更好地促进公司的持续发展。7.4.定增扩建定增扩建 Mini/Micro 显示产业化项目，巩固企业龙头地位显示产业化项目，巩固企业龙头地位 公司第十届董事会第十五次会议及 2021 年第三次临时股东大会决议决定非公开发行 A股股票，募集资金总额不超过 790,000.00 万元投资建设湖北三安光电有限公司 Mini/Micro 显示产业化项目和补充流动资金。项目实施主体为公司全资子公司湖北三安光电有限公司，建设地点为湖北省鄂州葛店经济技术开发区，建设 Mini/Micro

104、LED 氮化镓芯片、Mini/MicroLED砷化镓芯片、4K 显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地。项目达产后，新增氮化镓 Mini/MicroLED 芯片 161 万片/年、砷化镓 Mini/MicroLED 芯片 75万片/年（均以 4 寸为当量片）和 4K 显示屏用封装产品 8.4 万台/年的生产能力。该项目的顺利实施能够提高公司对下游市场的供货保障能力，进一步巩固公司化合物半导体龙头企业优势地位。7.5.回购公司股份，回购公司股份，彰显公司信心彰显公司信心 公司于 2022 年 4 月 12 日发布三安光电股份有限公司关于回购公司股份方案的公告。2022年 6 月 24 日，公司完

105、成回购，已实际回购公司股份 37,912,514 股，占公司总股本的 0.85%，回购最高价格 22.90 元/股，回购最低价格 16.82 元/股，回购均价 18.46 元/股，使用资金总额为人民币 699,886,555.71 元（不含交易费用）。公司本次回购的股份计划全部用于公司员工持股计划。8.盈利预测盈利预测与投资建议与投资建议 8.1.盈利预测盈利预测 我们认为，公司是全球 LED 龙头，在化合物半导体业务布局多年，积累大批客户，具备明显竞争优势，在产能释放后业绩有望持续向好。我们核心假设公司 2022 年2024 年营收增速为 26.95%、38.60%、24.50%，并随公司产

106、品结构的优化，假设毛利率提升为 26.51%、29.20%、29.82%，我们预计公司 2022 年2024 年收入分别为 159.6 亿元、221.21 亿元、275.41 亿元，归母净利润分别为 21.27 亿元、34.2 亿元、42.8 亿元。8.2.估值分析估值分析 对公司采用分部估值法。LED 业务：2022 年利润 15 亿左右，考虑 Mini LED 等高端产品占比有望快速提升，按 35倍 PE，估值约 525 亿。碳化硅业务：2022 年收入约 10 亿，参考天岳先进估值，按 50 倍 PS，约 500 亿。26 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报

107、告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。三安集成（射频、光通等）业务（碳化硅以外）：2022 年利润约 8 亿左右，参考台湾稳懋，按均值 30 倍 PE，估值 240 亿。合计 1265 亿，对应目标价 28.24 元。图图 25：天岳先进天岳先进 PS-Band 资料来源：wind,安信证券研究中心 图图 26：台湾稳懋台湾稳懋 PE 资料来源：wind,安信证券研究中心 27 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。9.风险风险提示提示 9.1.市

108、场开拓状况不及预期市场开拓状况不及预期 新冠疫情存在不确定性，受疫情影响下游需求及市场开拓存在不及预期风险。9.2.公司产能扩张不及预期公司产能扩张不及预期 设备交期较长，受疫情影响施工周期较长，公司扩产存在不及预期风险。9.3.公司产品进展不及预期公司产品进展不及预期 公司正在发展投入期，需要投入大量资金和团队开发新产品，存在产品研发进展不及预期风险。28 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。财务报表预测和估值数据汇总财务报表预测和估值数据汇总 利润表利润表 财务指标财务指标 (百万元

109、百万元)2020 2021 2022E 2023E 2024E (百万元百万元)2020 2021 2022E 2023E 2024E 营业收入营业收入 8,453.9 12,572.1 15,960.1 22,121.2 27,541.1 成长性成长性 减:营业成本 6,385.2 9,778.8 11,728.6 15,661.9 19,329.6 营业收入增长率 13.3%48.7%26.9%38.6%24.5%营业税费 105.3 147.3 207.5 287.6 346.2 营业利润增长率-34.3%67.5%-5.4%82.1%38.3%销售费用 148.4 147.4 207.

110、5 309.7 385.6 净利润增长率-21.7%29.2%62.0%60.8%25.1%管理费用 673.2 822.9 1,085.3 1,504.2 1,872.8 EBITDA 增长率-10.0%34.4%11.7%33.0%21.1%研发费用 405.7 530.2 734.2 995.5 1,101.6 EBIT 增长率-32.3%62.8%46.4%58.1%31.2%财务费用 83.6 136.8 100.0 110.0 120.0 NOPLAT 增长率-29.0%50.5%2.1%78.0%33.2%资产减值损失-252.3-323.7-300.0-300.0-300.0

111、投资资本增长率 20.0%26.9%20.1%-7.6%9.7%加:公允价值变动收益-8.0-0.0-净资产增长率 36.5%2.6%4.0%5.6%7.4%投资和汇兑收益 0.3 132.8 60.0 64.4 85.7 营业利润营业利润 1,045.8 1,751.5 1,657.1 3,016.7 4,170.9 利润率利润率 加:营业外净收支 114.8-85.9 801.8 937.5 927.7 毛利率 24.5%22.2%26.5%29.2%29.8%利润总额利润总额 1,160.6 1,665.7 2,458.9 3,954.2 5,098.6 营业利润率 12.4%13.9%

112、10.4%13.6%15.1%减:所得税 144.4 352.6 332.0 533.8 818.7 净利润率 12.0%10.4%13.3%15.5%15.5%净利润净利润 1,016.3 1,313.0 2,126.9 3,420.4 4,279.9 EBITDA/营业收入 32.7%29.6%26.0%25.0%24.3%EBIT/营业收入 11.7%12.8%14.8%16.8%17.8%资产负债表资产负债表 运营效率运营效率 2020 2021 2022E 2023E 2024E 固定资产周转天数 454 428 385 255 187 货币资金 7,126.5 3,287.6 1,

113、276.8 1,769.7 2,203.3 流动营业资本周转天数 221 161 192 184 179 交易性金融资产-612.8 612.8 612.8 612.8 流动资产周转天数 563 446 396 334 323 应收帐款 2,324.9 2,621.0 5,954.7 5,025.3 8,075.7 应收帐款周转天数 101 71 97 89 86 应收票据 1,471.2 2,073.5 2,218.8 3,126.6 4,149.1 存货周转天数 156 126 139 131 125 预付帐款 495.3 568.0 1,047.8 881.3 1,500.6 总资产周转

114、天数 1,462 1,238 1,100 806 680 存货 4,162.3 4,618.0 7,683.6 8,451.3 10,729.8 投资资本周转天数 912 759 736 558 451 其他流动资产 603.3 1,202.4 1,307.8 1,037.8 1,182.7 可供出售金融资产-投资回报率投资回报率 持有至到期投资-ROE 3.4%4.3%6.7%10.2%11.9%长期股权投资 122.3 398.8 398.8 398.8 398.8 ROA 2.6%2.8%4.3%7.0%7.8%投资性房地产-ROIC 5.1%6.4%5.1%7.6%10.9%固定资产

115、12,078.2 17,783.6 16,394.3 15,005.0 13,615.7 费用率费用率 在建工程 4,211.3 6,692.9 6,692.9 6,692.9 6,692.9 销售费用率 1.8%1.2%1.3%1.4%1.4%无形资产 4,672.3 5,060.7 4,656.4 4,252.2 3,847.9 管理费用率 8.0%6.5%6.8%6.8%6.8%其他非流动资产 1,707.8 2,602.2 1,729.5 1,861.8 1,984.9 研发费用率 4.8%4.2%4.6%4.5%4.0%资产总额资产总额 38,975.5 47,521.6 49,97

116、4.3 49,115.6 54,994.2 财务费用率 1.0%1.1%0.6%0.5%0.4%短期债务 1,240.6 2,314.2 4,024.1 3,142.1 4,352.4 四费/营业收入 15.5%13.0%13.3%13.2%12.6%应付帐款 1,508.0 2,819.1 3,102.3 4,580.3 4,684.3 偿债能力偿债能力 应付票据 683.9 791.7 2,325.1 1,323.4 2,862.1 资产负债率 23.9%35.9%36.6%31.9%34.6%其他流动负债 1,335.8 2,736.4 1,614.5 2,066.8 2,295.1 负

117、债权益比 31.4%56.0%57.8%46.8%53.0%长期借款 905.2 2,600.0 3,022.6-流动比率 3.39 1.73 1.82 1.88 2.00 其他非流动负债 3,629.8 5,805.7 4,215.8 4,550.4 4,857.3 速动比率 2.52 1.20 1.12 1.12 1.25 负债总额负债总额 9,303.4 17,067.1 18,304.3 15,663.0 19,051.2 利息保障倍数 11.82 11.77 23.57 33.88 40.76 少数股东权益-分红指标分红指标 股本 4,479.3 4,479.3 4,479.3 4,

118、479.3 4,479.3 DPS(元)0.15 0.10 0.21 0.37 0.40 留存收益 25,193.4 25,993.7 27,190.7 28,973.2 31,463.7 分红比率 66.1%33.8%43.7%47.9%41.8%股东权益股东权益 29,672.1 30,454.4 31,670.1 33,452.6 35,943.0 股息收益率 0.6%0.4%0.9%1.5%1.7%现金流量表现金流量表 业绩和估值指标业绩和估值指标 2020 2021 2022E 2023E 2024E 2020 2021 2022E 2023E 2024E 净利润 1,016.3 1

119、,313.0 2,126.9 3,420.4 4,279.9 EPS(元)0.23 0.29 0.47 0.76 0.96 加:折旧和摊销 1,880.7 2,242.9 1,793.5 1,793.5 1,793.5 BVPS(元)6.62 6.80 7.07 7.47 8.02 资产减值准备 252.3 323.7-PE(X)104.2 80.6 49.8 31.0 24.7 公允价值变动损失-8.0-0.0-PB(X)3.6 3.5 3.3 3.2 2.9 财务费用 108.0 183.5 100.0 110.0 120.0 P/FCF-60.2-58.8-53.7 46.8 45.1

120、投资损失-0.3-132.8-60.0-64.4-85.7 P/S 12.5 8.4 6.6 4.8 3.8 少数股东损益-EV/EBITDA 41.5 45.1 26.5 19.1 15.9 营运资金的变动 973.1-1,427.9-6,876.6 772.7-5,120.2 CAGR(%)49.9%48.3%17.9%49.9%48.3%经营活动产生现金流量经营活动产生现金流量 1,934.5 1,607.8-2,916.1 6,032.3 987.6 PEG 2.1 1.7 2.8 0.6 0.5 投资活动产生现金流量投资活动产生现金流量-4,575.2-8,607.4 60.0 64

121、.4 85.7 ROIC/WACC 0.5 0.6 0.5 0.8 1.1 融资活动产生现金流量融资活动产生现金流量 7,565.6 2,192.0 845.2-5,603.8-639.7 REP 9.8 9.0 6.1 4.3 2.7 资料来源：资料来源：Wind 资讯，安信证券研究中心预测资讯，安信证券研究中心预测 29 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。公司评级体系公司评级体系 收益评级：收益评级：买入 未来 6-12 个月的投资收益率领先沪深 300 指数 15%以上；增持 未

122、来 6-12 个月的投资收益率领先沪深 300 指数 5%至 15%；中性 未来 6-12 个月的投资收益率与沪深 300 指数的变动幅度相差-5%至 5%；减持 未来 6-12 个月的投资收益率落后沪深 300 指数 5%至 15%；卖出 未来 6-12 个月的投资收益率落后沪深 300 指数 15%以上；风险评级：风险评级：A 正常风险，未来 6-12 个月投资收益率的波动小于等于沪深 300 指数波动；B 较高风险，未来 6-12 个月投资收益率的波动大于沪深 300 指数波动；分析师声明分析师声明 本报告署名分析师声明，本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，勤勉尽责、诚实守

123、信。本人对本报告的内容和观点负责，保证信息来源合法合规、研究方法专业审慎、研究观点独立公正、分析结论具有合理依据，特此声明。本公司具备证券投资咨询业务资格的说明本公司具备证券投资咨询业务资格的说明 安信证券股份有限公司（以下简称“本公司”）经中国证券监督管理委员会核准，取得证券投资咨询业务许可。本公司及其投资咨询人员可以为证券投资人或客户提供证券投资分析、预测或者建议等直接或间接的有偿咨询服务。发布证券研究报告，是证券投资咨询业务的一种基本形式，本公司可以对证券及证券相关产品的价值、市场走势或者相关影响因素进行分析，形成证券估值、投资评级等投资分析意见，制作证券研究报告，并向本公司的客户发布。

124、30 公司深度分析/三安光电 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。免责声明免责声明 。本公司不会因为任何机构或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本报告基于已公开的资料或信息撰写，但本公司不保证该等信息及资料的完整性、准确性。本报告所载的信息、资料、建议及推测仅反映本公司于本报告发布当日的判断，本报告中的证券或投资标的价格、价值及投资带来的收入可能会波动。在不同时期，本公司可能撰写并发布与本报告所载资料、建议及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，本公司将随时补充、更新和修订有

125、关信息及资料，但不保证及时公开发布。同时，本公司有权对本报告所含信息在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。任何有关本报告的摘要或节选都不代表本报告正式完整的观点，一切须以本公司向客户发布的本报告完整版本为准，如有需要，客户可以向本公司投资顾问进一步咨询。在法律许可的情况下，本公司及所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券或期权并进行证券或期权交易，也可能为这些公司提供或者争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务，提请客户充分注意。客户不应将本报告为作出其投资决策的惟一参考因素，亦不应认为本报告可以取代客户自身的投资判断与决策。在任何情况下，本报告中

126、的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议，无论是否已经明示或暗示，本报告不能作为道义的、责任的和法律的依据或者凭证。在任何情况下，本公司亦不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。本报告版权仅为本公司所有，未经事先书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表、转发或引用本报告的任何部分。如征得本公司同意进行引用、刊发的，需在允许的范围内使用，并注明出处为“安信证券股份有限公司研究中心”，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。本报告的估值结果和分析结论是基于所预定的假设，并采用适当的估值方法和模型得出的，由于假设、估值方法和模型均存在一定的局限性，

127、估值结果和分析结论也存在局限性，请谨慎使用。安信证券股份有限公司对本声明条款具有惟一修改权和最终解释权。Tabl e_Address 安信证券研究中心安信证券研究中心 深圳市深圳市 地地 址：址：深圳市福田区深圳市福田区福田街道福华一路福田街道福华一路 119 号安信金融大厦号安信金融大厦 33 楼楼 邮邮 编：编：518026 上海市上海市 地地 址：址：上海市虹口区东大名路上海市虹口区东大名路638号国投大厦号国投大厦3层层 邮邮 编：编：200080 北京市北京市 地地 址：址：北京市西城区阜成门北大街北京市西城区阜成门北大街 2 号楼国投金融大厦号楼国投金融大厦 15 层层 邮邮 编：编：100034