产业链以衬底为价值链核心,呈现供不应求局面。在成品 SIC SBD 器件占比中,衬底、外延和前段开发价值量占比 47%、23%和 19%,主要原因系长晶缓慢且良率偏低,同时鉴于材质等物理特性原因,切割破损率高进一步推高器件整体成本。目前导电型 SiC 衬底以 n 型衬底为主,外延 GaN 基 LED 等光电子器件、SiC 基电力电子器件等,半绝缘 SiC 衬底主要用于外延制造 GaN 高功率射频器件。我们认为未来 SiC 衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节,衬底行业的发展也是未来 SiC 产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。
产业链以衬底为价值链核心,呈现供不应求局面。在成品 SIC SBD 器件占比中,衬底、外延和前段开发价值量占比 47%、23%和 19%,主要原因系长晶缓慢且良率偏低,同时鉴于材质等物理特性原因,切割破损率高进一步推高器件整体成本。目前导电型 SiC 衬底以 n 型衬底为主,外延 GaN 基 LED 等光电子器件、SiC 基电力电子器件等,半绝缘 SiC 衬底主要用于外延制造 GaN 高功率射频器件。我们认为未来 SiC 衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节,衬底行业的发展也是未来 SiC 产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。