2017-2021年650V的SiCSBD与SiFRD 原图定位 SiC降价趋势明显,与 Si基器件价差缩小。虽然当前 SiC器件价格仍然较高,但整体呈下降趋势,且与硅基器件价差逐渐缩小,如 2017-2021年,650V的 SiC SBD 与 Si FRD 的价差由 2.7 倍缩小至 1.5 倍;2018-2021 年,650V 的SiC MOSFET 与 Si IGBT 的价差由 10.5 倍缩小至 6.7 倍。随着碳化硅与硅基器件的价差缩小,高昂成本将不再是其应用阻碍。