SiO2与高K栅介电层比较 原图定位 在半导体领域,公司是国内首家成功将量产型 High-k原子层沉积设备应用于 28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司。该 High-k设备主要用于 28nm栅介质氧化铪薄膜沉积,打破了国际知名设备大厂的垄断,总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平,并已获得客户重复订单认可。