低 K 前驱体则主要用于集成电路后端制程中,作为金属连线之间的绝缘介质,介质常数K值越低,芯片运行速度越快、损耗越小,随着集成电路向空间压缩、功耗减小、运行速度提升方向持续发展,芯片特征尺寸减小带来串扰问题,堆叠层数增加带来互联延时、功耗增大问题,因此需要更低 K 值的前驱体材料作为绝缘介质来解决,目前 28nm 以下集成电路制程中,二乙氧基甲基硅烷(DEMS)/ a-松油烯(ARTP)等前驱体材料得到广泛应用。
低 K 前驱体则主要用于集成电路后端制程中,作为金属连线之间的绝缘介质,介质常数K值越低,芯片运行速度越快、损耗越小,随着集成电路向空间压缩、功耗减小、运行速度提升方向持续发展,芯片特征尺寸减小带来串扰问题,堆叠层数增加带来互联延时、功耗增大问题,因此需要更低 K 值的前驱体材料作为绝缘介质来解决,目前 28nm 以下集成电路制程中,二乙氧基甲基硅烷(DEMS)/ a-松油烯(ARTP)等前驱体材料得到广泛应用。