2021-2027碳化硅功率元件市场细分 原图定位 SiC 作为第三代半导体材料,具有比硅更优越的性能。SiC 器件不仅具有较大的禁带宽度,还具有高导热性、高饱和电子漂移速率、强抗辐射性能、良好的热稳定性和化学稳定性等优良特性。因此,SiC 器件被广泛应用于光伏逆变器、工业电源和充电桩市场,并且已成为中国功率半导体厂商的必争之地。受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动,预计 2021 到 2027 年间,全球碳化硅功率器件市场保持增长趋势,从 2021 年 10.90 亿美元增长至 2027 年 62.97 亿美元,CAGR 达 34%。