CMP抛光速率对比 原图定位 CMP 超越传统平面化技术,是目前几乎唯一的可以提供全局平面化的技术。CMP技术最早出现在 1965年,当时提出了以二氧化硅为抛光浆料的 CMP技术。在此之前,半导体基片的抛光主要以机械抛光为主,采用诸如氧化镁、氧化锆等机械抛光方法,得到的表面损伤极其严重。而运用 CMP硅片平坦化技术能够极大的提高抛光精度、抛光速率和抛光破坏深度等方面,而且加工方法简单,成本低廉,也是目前几乎唯一能够实现全局平坦化的技术。