CMP抛光步骤随集成电路技术进步而增加（次） 原图定位

CMP 抛光步骤随着晶圆制造技术进步而不断增加，CMP 抛光材料用量也与晶圆芯片制程变化高度相关。逻辑芯片方面，14 纳米以下逻辑芯片要求的 CMP 工艺将达到 21 步，使用的抛光液将从 90 纳米的五六种抛光液增加到二十种以上，使用种类和用量都迅速增长；7 纳米及以下逻辑芯片工艺中 CMP 抛光步骤将会达到 30步及以上，使用的抛光液种类接近三十种。存储芯片方面，在由 2DNAND向 3DNAND发展的过程中，抛光步骤从 7 步提升到了 15 步，提升了两倍之多，并且 3DNAND堆叠层数也会带动 CMP抛光材料的需求。