SiPM/MPPC、SPAD、APD、PIN-PD探测器参数对比 原图定位 SPAD 和 SiPM/MPPC 在增益能力、大尺寸阵列的实现和易用性上较 APD 更加优越。PIN PD 光电二极管目前仅适用于 FMCW 测距激光雷达。APD 雪崩光电二极管技术较为成熟,是使用最为广泛的光电探测器件。目前 APD 的典型增益是 10-100 倍,在进行远距离测试时需大幅提高光源光强才能确保 APD 有信号。SPAD 单光子雪崩二极管和 SiPM/MPPC 硅光电倍增管主要是为了解决增益能力和大尺寸阵列的实现而存在:1)SPAD 或者 SiPM/MPPC 是工作在盖革模式下的APD,理论上增益可达到 APD 的 100 万倍以上,但系统成本与电路成本均较高;2)SiPM/MPPC 是多个 SPAD 的阵列形式,可通过多个 SPAD 获得更高的可探测范围以及配合阵列光源使用,更容易集成 CMOS 技术,具备规模量产的成本优势。此外,由于 SiPM 工作电压大多低于 30V,不需要高压系统,易于与主流电子系统集成,内部的百万级增益也使 SiPM 对后端读出电路的要求更简单。市场对于SiPM/MPPC 主要的诉求是 PDE(光子探测效率)的提升。目前,SiPM 广泛应用于医疗仪器、 激光探测与测量(LiDAR)、精密分析、辐射监测、安全检测等领域,随着 SiPM 的不断发展将拓展至更多的领域。禾赛科技、Innovusion、Ouster 等主流厂商均已布局 SiPM 相关技术,未来有望代替 APD。