EPIGRESS公司的热壁式外延设备反应腔结构 原图定位 与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,须在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层微米级新单晶,新单晶和衬底可以是相同材料,也可以是不同材料,称为同质外延或异质外延。外延层可以消除晶体生长和加工时引入的表面或亚表面缺陷,使晶格排列整齐,表面形貌更优,外延的质量对最终器件的性能起关键影响作用。