NANDFlash分类 原图定位 NAND Flash 是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NAND Flash 每位只使用一个晶体管,存储密度远高于其他 ROM;在正常使用情况下,Flash 所存电荷(数据)可长期保存;同时,NAND Flash 能够实现快速读写及擦除。NAND Flash 为大容量数据存储实现提供廉价有效解决方案,是目前全球市场大容量非易失存储主流技术方案。其存储单元可分为:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)、使用 X3架构 TLC单元、四层单元(QLC)。SLC只需要区分 0和1,而MLC需要区分4种状态,其单die容量更大,需要更复杂 firmware来管理。相比于SLC NAND,MLC擦写寿命、数据保持能力有所下降。