HBM列阵结构 原图定位 进行垂直方向连接,增加了 TSV刻蚀设备需求,同时 HBM 中 TSV、微凸点、硅中介层等工艺大量增加了这意味着对减薄、键合等设备的需求提升;HBM 多层堆叠结构依靠超薄晶圆和铜铜混合键合工艺增加了对临时键合/解键合等设备的需求;(3)各层 DRAM Die的保护材料也非常关键,对注塑或压塑设备提出了较高要求。