Intel20A和Intel18A工艺对比 原图定位 Intel 3 作为 Intel 4 的后续产品,提高了性能库的密度,同时加入高密度库,增加了 EUV技术的使用,对比 Intel 4 每瓦性能提高 18%。Intel 3 采用 7nm+节点,比台积电 5nm 至3nm 制程迭代提升幅度高 10-15%,工艺性能提升较大。目前该制程仅针对 Sierra Forest和 Granite Rapids 的数据中心产品,用于及时补强英特尔数据中心算力和功耗的短板。据韩媒 ChosunBiz报道三星和台积电的 3nm 工艺良率都在 50%左右,良率底导致台积电 3nm芯片供不应求,因此对标台积电 5nm-3nm 制程的 Intel 3 意义重大。目前英特尔已与联发科和同级大型 IC 设计客户达成合作,而 Intel 3 在 23 年年底已顺利投入生产,英特尔芯片或将以更低的成本和更高的性能成为客户高性价比的选择。