化合物半导体功率器件与硅基器件的对比 原图定位 第一代半导体以硅(Si)为主要材质。硅基(Si)功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,依靠硅基器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)等作为第二代化半导体因其高频性能较好主要用于射频领域,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高,未来在功率半导体领域有很大的应用潜力,这一领域可以说是传统硅基功率半导体的全方位升级。