前照式结构(FSI)和背照式结构(BSI) 原图定位 CMOS 图像传感器根据感光元件安装位置可分为:前照式结构(FSI)、背照式结构(BSI)。1)前照式结构为 CMOS 图像传感器传统结构,即自上而下的五层结构,分别是透镜层、滤色片层、线路层、感光元件层和基板层。光从正面入射时,采用 FSI 结构的 CMOS 图像传感器需要光线经过线路层的开口后到达感光元件层进行光电转换。前照式结构的主要优点是工艺条件较易实现、制造成本较低,存在较大的局限性:随着像素尺寸变小,可接收的入射光量下降,金属布线反射和吸收的损耗在线路层变得愈发严重,极大限制传感器的整体性能;2)背照式结构 CMOS 图像传感器将感光元件位置更换至线路层上方,感光层仅保留部分逻辑电路。采用背照式结构光线可从背面入射直接到达感光元件层,电路布线阻挡和反射等因素带来的光线损耗大幅减少。与前照式相比,背照式感光效果显著提升,但设计和工艺难度均较大且成本较高。