三类器件形态在功率半导体份额占比及预测 原图定位 开始功率晶体管替换掉三极真空管,从 60 到 70 年代基本都是将电流控制的 BJTs 应用在小信号场景中;电压控制的功率 MOSFETs 在 70年代出现,因为更低的成本和更快的开关速率而逐步取代了 BJTs 在小信号领域的地位。IGBTs 在 80 年代被发明,能够很好地结合 BJTs 处理高电流的能力和功率 MOSFETs 的易用性,相比起 MOSFETs,IGBTs还能阻隔极高电压,同时以极低损耗来通过高电流;但是因为电流在IGBTs 结构中的长尾效应,使得其开关速度慢于 MOSFETs,在高频率场景中限制了 IGBTs 的使用。