三类硅基功率器件性能对比 原图定位 功率器件核心在于通断控制。功率器件的核心应用场景就是控制电路、信号等的通断。但是因为电路场景错综复杂,电流、电压范围很广,因此每种功率器件都有一定的适用范围。BJT 适用于较低电压(< 1 kV)和电流(< 500 A)的应用场景,其阻抗低,成本低,但开关速度慢,较多应用于低频电路的控制;MOSFET 使用的电压和电流(< 200 A)更低,但其开关速度在 ns 级别,多用于高频电路;IGBT 从电路结构上看,是 MOSFET 与 GJT 的结合,因此兼具有二者的特点,同时又有超越二者的性能。IGBT 的电压(> 1 kV)和电流(> 500 A)极限高,开关速度中等,但相对而言成本比另外两者更高。