硅基 GaN 即将进入快速发展阶段。虽然 GaN 自支撑衬底缺陷密度较低,但由于成本高居不下,因此业界常以蓝宝石、SiC、硅作为衬底。现行 GaN 功率元件以 GaN on SiC 及GaN on Si 两种晶圆进行制造。SiC 衬底虽然和 GaN 匹配更好,但是具有较高成本,因此众多厂商在积极推进 GaN on Si布局。2016 年之后,GaN on Si 技术逐渐成熟,GaN器件进入快速成长期,新增专利布局大多集中于硅基 GaN,即可以看到 GaN 目前也是众厂商持续投入的领域。未来随着硅基 GaN 的应用成熟,可以进一步降低成本。
硅基 GaN 即将进入快速发展阶段。虽然 GaN 自支撑衬底缺陷密度较低,但由于成本高居不下,因此业界常以蓝宝石、SiC、硅作为衬底。现行 GaN 功率元件以 GaN on SiC 及GaN on Si 两种晶圆进行制造。SiC 衬底虽然和 GaN 匹配更好,但是具有较高成本,因此众多厂商在积极推进 GaN on Si布局。2016 年之后,GaN on Si 技术逐渐成熟,GaN器件进入快速成长期,新增专利布局大多集中于硅基 GaN,即可以看到 GaN 目前也是众厂商持续投入的领域。未来随着硅基 GaN 的应用成熟,可以进一步降低成本。