光刻胶是什么意思？发展历程介绍

2021-06-09 15:35:07 作者：X-iao 2663

1、光刻胶是什么意思

光刻胶又叫光致抗蚀剂，主要是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。其由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。而在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料，半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。

光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

光刻胶

2、光刻胶发展历程

国外光刻胶发展历程

(1)、1950年左右开发出的酚醛树脂-重氮萘醒正型光刻肢用稀碱水显影，显影时不存在肢膜膨胀问题，因此分辨率较高，且抗干法蚀刻性较强，能满足大规模集成电路及超大规模集成电路的制作。

(2)、1954年EasMan-Kodak公司台成了人类第一种感光聚合物——聚乙烯醇肉桂酸酯，开创了聚乙烯醇肉桂酿酯及其衍生物类光刻胶体系，这是人类最先应用在电子工业上的光刻胶。

(3)、1958年Kodak公司又开发出了环境橡胶-双叠氮系光刻胶。因为该胶在硅片上具有良好的粘附性，同时具有感光速度快、抗湿法刻蚀能力强等优点，在20世纪B0年代初成为电子工业的主要用胶。

(4)、1990年前后，248nm光刻胶开始研究;在20世纪90年代中后期进入成熟阶段。

(5)、2002年，193nm光刻胶进入成熟阶段。

(6)、2001年，开始研究157nm深紫外光刻胶。

(7)、2009年，极短紫外光刻胶开始研发。电子束光刻胶、X射线胶和离子束胶都得到了—定的发展。

国内光刻胶发展历程

我国光刻胶的研究始于20世纪70年代，最初阶段与国际水平相差无几，几乎和日本同时起步，但由于种种原因，差距愈来愈大。目前我国在这一领域基本上无技术优势可言，与国际先进水平相比有较大的差距。在产品上大约相差3代以上。国外已推出157nm光刻肢，而我国G线光刻胶的生产尚在中试阶段。此外由于光刻胶与电子工业有特殊的关系，而电子产品又与军事有密切的关系，从而导致在先进领域很难和国外进行交流，进一步影响了光刻胶研究。

根据我国电子工业“十五”发展战略，到21世纪电子工业将成为我国的支柱产业之一，并且近几年随着微流控行业的日益成熟，光刻胶及其配套试剂在中国市场上呈快速增长的态势，是极其生命力的产品，具有良好的市场前景。

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