FinFET器件结构更加复杂&微型化 原图定位

1）在逻辑领域：①45 nm 以下节点，为减小漏电流和栅极耗尽效应，传统 SiO2 栅极介质+多晶硅栅极组合将被高 k 介质材料+金属栅极取代，其中高 k 介质材料包含Al2O3,HfO2,ZrO,Ta2O5,La2O3 等，金属栅极包含 Ir，Pt, Ru, TiN 等，厚度多在 10nm 以下，大多依赖于 ALD 工艺。②在 28nm 以下节点，3D FinFET 结构对薄膜成长的热预算、致密度和台阶覆盖率要求更高，需通过 SADP 工艺加工有源区，其中 ALD 沉积的 Spacer材料宽度直接决定 Fin 宽度，是制约逻辑芯片制程先进程度的核心要素之一。