电容性刻蚀兼顾高刻蚀速率和高选择比 原图定位 第三代:ICP 和 HDP/TCP,低轰击能量、高密度等离子体,同时兼顾刻蚀速率和高选择比。相比电容耦合通过射频电场将功率直接传给等离子,电感耦合是通过磁场将射频功率传递给等离子,不用把能量花费在通过施加到晶圆表面的高压来加速离子,因此电感耦合在等离子产生方面效率更高,可以同时兼顾高等离子体密度和低离子轰击能量,从而实现高刻蚀速率和高选择比。HDP 是对低气压下产生高密度等离子体浓度的统称,ICP 即为一种 HDP技术,此时产生的等离子体具备低气压、大口径、高密度等特性,更易得到垂直的离子轰击作用和各向异性的刻蚀形貌,在该系统中可认为中性粒子和离子在鞘区内是无碰撞的,离子的轰击路径更为垂直,TCP 技术则要求离子的密度与离子能量被分别控制,使得刻蚀精确度更高,例如原子层刻蚀(ALD),目前已逐渐开始在刻蚀领域崭露头角。