第三代半导体材料有哪些

第三代半导体材料主要有四类，一是氮化镓GaN，二是碳化硅SiC，三是氧化锌ZnO，四是金刚石。

第三代半导体材料的应用领域场景

1、氮化镓GaN，在军事领域GaN基微波功率器用于雷达、电子对抗、导弹和无线通信;在民用商业领域用于基站、卫星通信、有线电视、手机充电器等小家电;

2、碳化硅SiC，民用领域电动汽车、消费电子、新能源、轨道交通等领域的直流、交流输变电、温度检测控制等;

军用领域用于喷气发动机、坦克发动机、舰艇发动机、风洞、航天器外壳的温度、压力测试等。

3、氧化锌ZnO，用于压力传感器、记忆存储器、柔性电子器件，目前技术和应用不成熟，主要产品有发光二极管、激光、纳米发电机、纳米线晶体管、紫外探测器等;

4、金刚石，用于光电子、生物医学、航空航天、核能等领域的大功率红外激光器探测器，技术和应用还在开发中;

整体来看的话，第三代半导体核心材料还是以氮化镓GaN、碳化硅SiC为主。

除此之外，GaN侧重高频性能，广泛应用于基站、雷达、工业、消费电子领域，SiC常被用于功率器件，适用于600V下的高压场景，广泛应用于光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等于电力电子领域。

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