为满足无线通讯、雷达、航空航天等对器件高频率、宽带宽、大功率和高效率的要求,20 世纪 90 年代起,以 GaN 和 SiC 为代表的宽禁带新型半导体材料深刻地改变了固态功率放大器的性能,并引起了人们的关注和研究。近年来,在微波发射系统中普遍应用多个微波单片集成电路(MMIC)进行功率合成以获得更高的输出功率。
为满足无线通讯、雷达、航空航天等对器件高频率、宽带宽、大功率和高效率的要求,20 世纪 90 年代起,以 GaN 和 SiC 为代表的宽禁带新型半导体材料深刻地改变了固态功率放大器的性能,并引起了人们的关注和研究。近年来,在微波发射系统中普遍应用多个微波单片集成电路(MMIC)进行功率合成以获得更高的输出功率。