MOSFET和IGBT内部结构对比 原图定位 IGBT 全称为绝缘栅极晶体管,可以被认为是 MOSFET 和 BJT(双极型三极管)组成的混合型器件,具有MOSFET的高输入阻抗,同时兼具晶闸管等双极型器件的低导通压降,以及具有相对合适的工作频率。从应用场景来划分,开关频率大于 20kHz 的应用场景主要采用 MOSFET,电压等级大于 1200V 以上的高压场景主要采用 IGBT,在介于两者之间的场景,主要根据应用的需求采用 MOSFET 或 IGBT 的解决方案。