全球high-k前驱体份额变化 原图定位 High-k 前驱体种类随制程发展持续迭代。结合材料不同特性,目前使用较广泛的 High-K 前驱体主要包括 HfO2、ZrO2、TiO2、Al2O2。1990 年至 2000 年 Al2O3为最主要非硅基前驱体,2000 年后,Zr 基、Ti 基、Hf 基材料市占率持续提升。目前 HfO2、ZrO2是基于拥有 k 值与禁带宽度(Band Gap)之间的良好平衡,是目前最主流的 High-k 前驱体。