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1、 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 1/4242 Table_Page 公司深度研究|专用设备 证券研究报告 捷佳伟创(捷佳伟创(300724.SZ)享受享受 TOPCon 扩产周期,平台公司渐成形扩产周期,平台公司渐成形 核心观点核心观点:TOPCon 扩产扩产大年大年来临来临,高景气度有望维持,高景气度有望维持。根据 PVInfolink 的统计,截止 22 年底,TOPCon 落地产能达到 81GW,截止 23 年 2 月,行业内宣称布局的高效电池产能已经突破 1100GW,其中超过 85%的选择TOPCon 技术,23 年底 TOPCon 的名义产能有望达到 477GW
2、,到时候 TOCon 的产能将和存量的 PERC 产能相当;我们认为,随着TOPCon 成为近年主流路线,将对约 400GW 的存量大尺寸 PERC 产能进行替换,则 TOPCon 的扩产周期将持续至少 2 年。PE-Poly 设备渐成主流,公司有望充分享受此轮扩产周期设备渐成主流,公司有望充分享受此轮扩产周期。根据PVInfolink 的统计,截止 23 年 2 月,基于在产和在建(设备招标完成)的 326GW 中,通威,天合,上机,润阳等龙头采用 PECVD,占比约52%;随着晶科系在未来扩产中的占比下降,PE-POLY 的占比有望上升,公司作为 PE-Poly 设备的龙头。将显著受益于
3、TOPCon 扩产进程。产品线宽广,产品线宽广,HJT/钙钛矿钙钛矿/半导体多线研发渐有收获半导体多线研发渐有收获。HJT 产品线,公司在 CAT-CVD、RPD 等设备具备独特优势,有望加速 HJT 技术的降本提效进程;钙钛矿产品线,公司获得了钙钛矿镀膜、涂布和蒸镀设备等订单,为国内少有的具备整线能力的公司;半导体设备方面,22 年公司 8 吋 Cassette-less 设备成功导入积塔半导体,渐有收获。盈利预测盈利预测与投资建议与投资建议。预计公司 22-24 年归母净利润分别为10.53/17.62/31.84 亿元,对应最新股价 PE 分别是 39x/23x/13x。公司在硼扩、管式
4、 PE-Poly、板/管式 PECVD-HIT、CAT-CVD 设备积极布局,并逐步进入收获期,结合可比公司的情况,我们给予公司 23 年 30 x的 PE 估值,对应的合理价值为 151.83 元/股,维持公司“买入”评级。风险提示风险提示。产生坏账的风险,技术进步不确定的风险,行业竞争加剧的风险,下游需求波动的风险,贸易摩擦的风险。盈利预测:盈利预测:2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 营业收入(百万元)4,044 5,047 5,894 10,554 18,916 增长率(%)60.0 24.8 16.8 79.1 79.2 EBITDA(百万元)722 851
5、939 1,861 3,305 归母净利润(百万元)523 717 1,053 1,762 3,184 增长率(%)36.9 37.2 46.8 67.4 80.7 EPS(元/股)1.63 2.06 3.02 5.06 9.14 市盈率(x)89.42 55.49 39.04 23.33 12.91 ROE(%)17.2 11.6 14.5 19.5 26.1 EV/EBITDA(x)62.93 42.08 38.77 19.23 10.45 数据来源:公司财务报表,广发证券发展研究中心 公司评级公司评级 买入买入 当前价格 118.08 元 合理价值 151.83 元 前次评级前次评级 买
6、入买入 报告日期 2023-04-07 基本数据基本数据 总股本/流通股本(百万股)348.23/273.45 总市值/流通市值(百万元)41119/32288 一年内最高/最低(元)162.99/47.59 30 日日均成交量/成交额(百万)6.77/788.89 近 3 个月/6 个月涨跌幅(%)-1.56/5.55 相对市场相对市场表现表现 分析师:分析师:代川 SAC 执证号:S0260517080007 SFC CE No.BOS186 分析师:分析师:朱宇航 SAC 执证号:S0260520120001 请注意,朱宇航并非香港证券
7、及期货事务监察委员会的注册持牌人,不可在香港从事受监管活动。相关研究:相关研究:联系人:王宁 -32%0%33%66%99%132%04/2206/2208/2210/2212/2202/2304/23捷佳伟创沪深300 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2 2/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 目录索引目录索引 一、捷佳伟创:深耕光伏设备,产品线宽广.5(一)光伏设备龙头,产品布局广.5(二)管理层趋于稳定,业绩表现持续向好.7 二、TOPCON 产品线:PE-POLY 设备渐成主流.11(一)TOPCON扩产大年,PE-P
8、OLY 渐成主流.11(二)PE-POLY 优势明显,提效降本进行时.12(三)双面POLY技术:TOPCON提效降本的重要方向.15(四)TOPCON扩产进行时,捷佳伟创受益明显.20 三、HJT 产品线:RPD 渐有收获,CAT-CVD 可能成为行业重要选项.22(一)CAT-CVD:HJT 降本提效的重要潜在选项.22(二)RPD:实现国产突破,TCO 镀膜提效新路线.28(三)HJT 扩产进行时,降本提效继续.31 四、钙钛矿产品线:具备整线能力的龙头厂商.33 五、半导体产品线:清洗设备渐有收获,有望成为新成长曲线.35 六、盈利预测和投资建议.37(一)产生坏账的风险.39(二)技
9、术进步不确定的风险.39(三)行业竞争加剧的风险.39(四)下游需求波动的风险.39(五)贸易摩擦的风险.39 AUcZiXlX8WlWsXuVqZ8OcM8OmOoOpNsRlOpPrNeRoOvM9PtRnOuOoNnPvPpPpO 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3 3/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图表索引图表索引 图 1:捷佳伟创发展历程.5 图 2:捷佳伟创股权结构.7 图 3:近年捷佳伟创营收与净利润情况(亿元).8 图 4:近年捷佳伟创毛利率与净利率比较(%).8 图 5:近年捷佳伟创费用率情况(%).8 图 6:近年捷佳伟创各业
10、务构成占比(%).9 图 7:近年捷佳伟创各业务毛利率(%).9 图 8:近年捷佳伟创营业收入境内外占比(%).9 图 9:近年捷佳伟创境内外毛利率(%).9 图 10:近年捷佳伟创存货情况(亿元).10 图 11:近年捷佳伟创合同负债情况(亿元).10 图 12:TOPCon 产能增长预估(GW).11 图 13:TOPCon 产能各技术路线占比.12 图 14:LPCVD 装置原理示意图.12 图 15:PECVD 装置原理示意图.12 图 16:LPCVD 绕镀部位示意图.14 图 17:水平放置插片舟和插片放置方式示意图.15 图 18:协助固定硅片的石英舟装置示意图.15 图 19:
11、LPCVD 绕镀清洗流程.15 图 20:TOPCon 非硅成本分析(截至 2023 年 4 月).16 图 21:TOPCon 电池结构示意图.17 图 22:双面 poly 电池结构示意图.17 图 23:多种双面 poly 电池结构设计和最佳方案(右下)示意图.18 图 24:具有 N+N 高低结钝化接触结构电池示意图.18 图 25:一次高温退火完成多晶硅层掺杂工艺步骤.18 图 26:PECVD、Cat-CVD 和热生长薄膜界面比较.22 图 27:PECVD 与 Cat-CVD 气体碰撞比较.22 图 28:Cat-CVD 中硅烷的存在形式.25 图 29:催化掺杂(Cat-dop
12、ing)原理示意图.25 图 30:卧式 Cat-CVD 装置示意图.25 图 31:垂直式(立式)Cat-CVD 装置示意图.25 图 32:垂直式 Cat-CVD 载板和固定结构示意图.26 图 33:垂直式 Cat-CVD 中硅片抓取装置示意图.26 图 34:盒式量产型 Cat-CVD 设备.27 图 35:双面镀膜(左)和水平延展热丝(右)示意图.28 图 36:单面镀 P 型掺杂硅基薄膜工艺线示意图.28 图 37:RPD 装置原理示意图.29 图 38:RPD 与磁控溅射 PVD 粒子能量对比.30 图 39:RPD 与 PAR 装置进行 HJT 电池 TCO 镀膜示意图.30
13、识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 4 4/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图 40:公司钙钛矿关键量产设备“立式反应式等离子体镀膜设备”(RPD).34 图 41:全球半导体清洗设备市场规模(亿美元).35 图 42:2020 年全球半导体清洗设备市场份额.35 图 43:2020 年中国半导体清洗设备市场份额.35 表 1:捷佳伟创主要产品.6 表 2:LPCVD 与 PECVD 对比.13 表 3:双面 poly 各家进展.19 表 4:近年光伏设备市场规模测算及捷佳伟创订单测算(亿元).20 表 5:微导纳米采购零部件类别.23 表 6:微导纳
14、米原材料采购及占比(万元).23 表 7:PECVD 与 Cat-CVD 对比.24 表 8:Cat-CVD 应用场景和产业化进程.27 表 9:近年 HJT 电池扩产规划情况(截至 2023 年 2 月).31 表 10:部分企业钙钛矿电池产业化进展(截至 2023 年 2 月).33 表 11:近年捷佳伟创钙钛矿进展.34 表 12:半导体清洗设备行业各公司产品应用和主要客户情况.36 表 13:公司分业务收入和毛利预测.37 表 14:捷佳伟创可比公司 PE 估值情况(市值统计截止 2023.4.6 收盘).38 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 5 5/4242 Table
15、_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 一、捷佳伟创:一、捷佳伟创:深耕光伏设备,产品线宽广深耕光伏设备,产品线宽广(一一)光伏设备龙头,产品布局广光伏设备龙头,产品布局广 深耕光伏设备领域,业务广泛能力强大。深耕光伏设备领域,业务广泛能力强大。捷佳伟创总部位于深圳,并在江苏常州设有。公司自2003年成立以来,从清洗设备起家,随后通过业务整合和自主研发,逐渐成为光伏电池设备龙头。公司主要产品包括PECVD设备、扩散炉、制绒设备、清洗设备、刻蚀设备、自动化配套和智能化设备等,业务涵盖P-PERC、N-TOPCon、HJT和钙钛矿电池等技术路线,具备PERC、TOPCon、HJT和钙钛矿及钙钛
16、矿叠层电池的整线生产和改造能力,而清洗设备已扩展至半导体市场。技术积淀深厚,横纵拓展能力强技术积淀深厚,横纵拓展能力强。公司于2003年在深圳成立,初期主营高端清洗机研发制造销售服务;2006年成功研发硅料清洗设备,全面进军光伏领域;20062017年,完成业务整合后,公司持续研发,成功推出和改良PECVD设备、黑硅/HJT制绒设备、ALD设备、自动化设备等,并实现海外市场突破;2018年,公司在创业板上市,并将产品推进土耳其、埃及和新加坡市场。从从2019年年开始开始,公司进入快速,公司进入快速发展阶段。发展阶段。2019年,HJT获得突破,RPD设备获授权,丝网印刷、管式/板式PECVD取
17、得进展;2020年,RPD设备实现国产化突破;2021年,半导体湿法设备完成交付,管式PECVD和Cat-CVD设备中试线验证,PE-Poly路线订单落地;2022年,适用于TOPCon的PE-Poly设备交付并多次中标,逐步成为TOPCon电池技术主流路线之一,8吋Cassette-less设备成功导入积塔半导体,钙钛矿镀膜、涂布和蒸镀设备获得订单,MAD设备累获订单20GW。长久以来,公司注重技术研发,逐步突破PERC、HJT、TOPCon等领域设备技术,并扩展至半导体领域,具备钙钛矿整线供应能力,现已成为光伏设备领域龙头之一。图图 1:捷佳伟创发展历程:捷佳伟创发展历程 数据来源:捷佳伟
18、创官网,捷佳伟创公众号,广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 6 6/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 公司产品覆盖全面,全方位布局电池技术路线。公司产品覆盖全面,全方位布局电池技术路线。捷佳伟创积极布局新技术与新装备,产品覆盖PERC、HJT、TOPCon、钙钛矿等多条技术路线,涉及清洗、制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结、自动化、半导体设备和全线生产改造等领域,设备布局深入全面,有效带动行业的降本增效进程。表表 1:捷佳伟创主要产品:捷佳伟创主要产品 工艺环节工艺环节 设备名称设备名称 应用范围应用范围 设备用途设备用途 产品示例
19、产品示例“交钥匙”工程 晶体硅电池线交钥匙工程解决方案 适用于单、多晶硅光伏电池片生产企业的新线建设,对客户实施交钥匙工程 晶硅电池 AGV 智能生产线 取代人工搬运片篮、信息智能交互、资源智能管控,实现整线自动化生产,工厂智能化管理 高效 HJT 太阳能电池智能生产线 适用于单晶硅异质结(HJT)太阳能电池片生产企业的新线建设 制绒设备 单晶槽式制绒设备 PERC/TOPCon 主要对单晶硅太阳能电池用硅片进行绒面腐蚀和清洗处理 HJT 制绒清洗设备 HJT 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗 刻蚀设备 链式酸抛光清洗设备 PERC/TOPCon 对单、多晶硅片进行刻蚀/抛光、清洗、
20、干燥 槽式碱抛光清洗设备 PERC/TOPCon 用于扩散后的硅片抛光刻蚀、清洗处理,以及搭配双面电池背面制绒、清洗处理 镀膜设备 管式等离子体淀积炉(PECVD)PERC/TOPCon 主要用于晶体硅太阳能电池制造中电池片的减反射膜生长,也可用于在电池片的背面沉积钝化膜 管式等离子体氧化铝淀积炉(ALD+PECVD 二合一)PERC/TOPCon 用于在硅片背面通淀积氧化铝钝化介质膜,提高电压和电流,然后在氧化铝膜表面淀积氮化硅保护膜 管式等离子体多晶硅薄膜淀积炉(PE-Poly)TOPCon 主要用于 N-TOPCon 电池制备隧穿氧化层、本征 Poly-si、掺杂 Poly-si、掩膜层
21、 管式低压淀积炉(LPCVD)TOPCon 主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片表面淀积多晶硅及原位掺杂 HJT 板式 PECVD HJT 制备本征及掺杂非晶硅薄膜 HJT 管式 PECVD HJT 制备本征及掺杂非晶硅薄膜 HJT 反应式等离子体镀膜设备(RPD)HJT 制备透明导电薄膜(TCO)PVD+RPD 二合一设备(PAR)HJT 制备透明导电薄膜(TCO)扩散设备 管式扩散氧化退火炉 PERC 主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片的掺杂形成 PN 结 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 7 7/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 管式硼扩散炉 TO
22、PCon 主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片的掺杂形成 PN 结 印刷设备 全自动卷纸印刷机 PERC/TOPCon/HJT 把铝浆、银浆通过压力印刷至电池片表面,经过烘干烧结后成为太阳能电池正负极 烧结设备 网链式烧结炉 PERC/TOPCon 把印刷好的前后电极烧融到 PN 结层,形成欧姆接触,让电池片细栅线收集到的电能通过主栅线汇流出来 激光设备 TOPConSE TOPCon 用于 TOPCon 一次硼扩 TOPCon 自动化 设备 全自动石英舟装卸片机 PERC/TOPCon/HJT 集装片和卸片一体,可从石英舟中把扩散后的硅片卸到片篮中,也可从片篮中将制绒后的硅片装入石英舟中 全自
23、动石墨舟装卸片机 PERC/TOPCon/HJT 满足在太阳能电池片生产过程中的 PECVD 工艺前后石墨舟的自动传输和硅片自动装卸 钙钛矿 设备 PVD/RPD 钙钛矿 镀膜设备钙钛矿 涂布设备 钙钛矿 制备钙钛矿层钙钛矿 蒸镀设备 钙钛矿 钙钛矿材料及金属电极材料的蒸镀设备钙钛矿 半导体 设备 槽式湿法清洗设备 半导体 用于集成电路前段湿法刻蚀、去胶、清洗以及后段金属刻蚀、有机物去除相关工艺,拥有 Cassette 与 Cassette-less 两种类型,制程涵盖 8 吋至12 吋 数据来源:捷佳伟创官网,广发证券发展研究中心(二)(二)管理层趋于稳定,管理层趋于稳定,业绩表现业绩表现持
24、续向好持续向好 公司股权结构公司股权结构稳定,管理进一步理顺稳定,管理进一步理顺。公司实控人为余仲先生、左国军先生和梁美珍女士,三人在2022年8月10日续签了一致行动人协议,维护公司实际控制权的稳定,提高公司决策效率。其中,蒋泽宇、蒋婉同为梁美珍女士的子女,享有的股东权利由梁美珍代为行使。余仲、左军国和梁美珍三人共计直接、间接持股比例合计为29.16%,股权结构稳定。目前,公司主要工作由余总和左总负责。图图 2:捷佳伟创股权结构:捷佳伟创股权结构 数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 8 8/4242 Table_PageText 捷佳伟创|
25、公司深度研究 公司公司近年增长较快且利润增速近年增长较快且利润增速快于营收快于营收增速增速,盈利能力持续提高盈利能力持续提高。20152021年,公司营收从3.5亿元增长到50.47亿元,年复合增长率达到46.43%;净利润从0.40亿元增长到8.19亿元,年复合增长率为50.88%,净利润增速快于营收增速。22Q1-Q3公司实现营收42.56亿元,同比增长13.65%;实现净利润8.19亿元,同比增长36.71%;实现扣非归母净利润7.62亿元,同比增长36.29%。图图 3:近年捷佳伟创营收与净利润情况(亿元):近年捷佳伟创营收与净利润情况(亿元)数据来源:Wind,广发证券发展研究中心
26、公司毛利率保持稳定,期间费用率公司毛利率保持稳定,期间费用率逐步逐步下降,下降,净利率稳中有升净利率稳中有升。2019年2022年前三个季度,公司毛利率分别为32.06%/26.41%/24.59%/25.45%,呈现逐步稳定的趋势;同期公司净利率分别为14.81%/12.66%/14.14%/19.24%,呈逐步上升趋势。2019-2022年Q1-3,公司各项期间费用率呈下降趋势,同时公司加大研发投入,研发费用率逐年上升。2022年Q1-Q3公司销售费用率2.28%、管理费用率1.83%、研发费用率5.40%、财务费用率-5.03%。图图 4:近年捷佳伟创毛利率与净利率比较(:近年捷佳伟创毛
27、利率与净利率比较(%)图图 5:近年捷佳伟创费用率情况(:近年捷佳伟创费用率情况(%)数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 公司各营业收入占比和毛利率情况基本稳定,光伏工艺设备占比逐渐提高。公司各营业收入占比和毛利率情况基本稳定,光伏工艺设备占比逐渐提高。2015-2021年,公司来自光伏工艺设备(包括刻蚀设备、光伏湿法设备、半导体掺杂沉积光伏设备、PECVD、制绒设备、扩散炉、清洗设备、印刷设备等)的营收占比保持-50%0%50%100%150%200%250%00营业收入净利润营收YOY(右轴)净利润YOY(右轴)0%10
28、%20%30%40%50%毛利率净利率-10%-5%0%5%10%15%20%销售费用率管理费用率研发费用率财务费用率 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 9 9/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 在70%以上,呈逐年上升趋势,毛利率水平较为稳定;自动化设备(包括自动化装卸片机、自动化上下片机等辅助设备)营收占比比较稳定,毛利率有所下滑,主要系市场竞争激烈,公司自动化产品与主设备搭配销售,标准化程度较低造成的。未来随着电池片市场规模放量以及PE-Poly等新设备的占比上升,利润率有望改善。图图 6:近年捷佳伟创各业务构成占比:近年捷佳伟创各业务构成占比(
29、%)图图 7:近年捷佳伟创各业务毛利率(:近年捷佳伟创各业务毛利率(%)数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 近年近年公司国内营收占比逐年上升,公司国内营收占比逐年上升,境外有望成为新的突点境外有望成为新的突点。公司2016年“交钥匙工程”在海外取得重大突破,境外业务占比较大;自2017年起,公司注重国内市场开拓,顺应国内光伏行业爆发的趋势,国内营收占比呈逐年上升的趋势,我们认为随着海外光伏厂商扩产以及国内光伏厂商在海外的扩产增加,海外的收入占比有望回升。毛利率自2018年有所下滑,主要系市场竞争加剧以及产品逐步成熟所致。图图 8:近年捷佳伟创营业
30、收入境内外占比:近年捷佳伟创营业收入境内外占比(%)图图 9:近年捷佳伟创境内外毛利率(:近年捷佳伟创境内外毛利率(%)数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 存货和合同负债高增,显示公司订单情况良好存货和合同负债高增,显示公司订单情况良好。存货维度,2019-2022年前三季度存货占流动资产比例分别为60.18%/43.98%/34.61%/37.39%,其中,20192021年发出商品占存货比例分别为84.70%/71.05%/73.20%,均高于70%,主要系公司主要设备供产销和验收周期较长的原因导致。合同负债维度,公司的合同负债持续高增,22
31、Q3合同负债高达46.16亿元,显示新签订单饱满。0%20%40%60%80%100%200021光伏工艺设备自动化设备其他0%10%20%30%40%50%60%200021光伏工艺设备自动化设备其他0%20%40%60%80%100%200021境内境外20%25%30%35%40%45%50%20021境内境外 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1010/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图
32、10:近年捷佳伟创存货情况:近年捷佳伟创存货情况(亿元)(亿元)图图 11:近年捷佳伟创合同负债情况:近年捷佳伟创合同负债情况(亿元)(亿元)数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 注:2015-2019 年合同负债金额以预收款项表示。0.000.200.400.600.801.001.2000存货金额存货周转率(右轴)0%20%40%60%80%01020304050合同负债占流动负债比例(右轴)识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 11 11/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 二、二、T
33、OPCon 产品线:产品线:PE-Poly 设备渐成主流设备渐成主流(一)(一)TOPCon 扩产大年,扩产大年,PE-POLY 渐成主流渐成主流 TOPCon 23年底产能有望突破年底产能有望突破400GW,高景气度,高景气度维持维持。根据PVInfolink的统计,截止22年底,TOPCon落地产能达到81GW,HJT落地产能达到13GW,在性价比的驱动下,TOPCon成为近年扩产的主流路线;截止23年2月,行业内宣称布局的高效电池产能已经突破1100GW,其中超过85%的选择TOPCon技术。TOPCon的扩产周期预计将持续至少的扩产周期预计将持续至少2年。年。根据PVInfolink统
34、计,23年底TOPCon的名义产能有望达到477GW,到时候TOCon的产能将和存量的PERC产能相当,我们认为,随着TOPCon成为主流,将对约400GW的存量PERC产能进行替换,则TOPCon的扩产周期将持续至少2年。图图 12:TOPCon产能增长预估产能增长预估(GW)数据来源:PVInfolink,广发证券发展研究中心 PEPOLY渐成扩产主流渐成扩产主流。目前TOPCon的技术路线中,存在PE-Poly、LPCVD以及POPAID三种,POPAID以中来主导,LPCVD以晶科系为代表,PE-POLY在捷佳的推动下,渐成主流。根据PVInfolink的统计,截止23年2月,基于在产
35、和在建(设备招标完成)的326GW中,采用LPCVD路线的主要以晶科、捷泰、隆基为主,占比约42%,而PECVD主要以通威,天合,上机,润阳等为主,占比约52%。随着晶科系在未来扩产中的占比下降,PE-POLY的占比有望上升。0%10%20%30%40%50%0050060020222023Q12023Q22023Q32023Q4完全一体化不完全一体化非一体化完全一体化占比 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1212/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 13:TOPCon产能各技术路线占比产能各技术路线占比 数据来源:PVIn
36、folink,广发证券发展研究中心(二二)PE-POLY 优势明显优势明显,提效降本进行时,提效降本进行时 LPCVD和和PECVD是半导体薄膜沉积的重要方法是半导体薄膜沉积的重要方法。随着半导体工业的发展,在较低温度下形成SiO2、SiNx和Si薄膜等成为新的挑战。在化学气相沉积的工艺类别下,低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是常用的两种方法。其中,LPCVD的基本原理是将一种或数种气态物质,在较低压力下用热能激活,使其发生热分解或化学反应,沉积在衬底表面;PECVD是在低压下,利用辉光放电使工艺气体转变为等离子体,经过一系列化学反应后沉积在衬底表面。图图
37、 14:LPCVD装置原理示意图装置原理示意图 图图 15:PECVD装置原理示意图装置原理示意图 数据来源:Low Pressure Chemical Vapor deposition of Different Silicon Nanostructures(Ivanda 等),广发证券发展研究中心 数据来源:Additive Processes for Semiconductors and Dielectric Materials(Zorman 等),广发证券发展研究中心 PE-Poly整线设备整线设备以以PECVD原理为基础,原理为基础,完美实现了隧穿层、完美实现了隧穿层、Poly层、原位
38、掺杂层层、原位掺杂层的“三合一”制备的“三合一”制备。PE-Poly设备不仅解决了传统TOPCon电池生产过程中绕镀、能耗高、石英件高损耗的固有难点,而且具有掺杂时间短、占地面积小等优点。捷佳伟创独创的PE-Poly设备中标多家全球光伏头部企业的订单,多次获得重复性订单,客户涵盖境内、境外。根据公司公众号22年11月的披露,捷佳伟创提供PE-poly核心设LPCVD(晶科、捷泰、隆基等),42%PECVD(通威、天合、上机、润阳等),52%POPAID等其他(中来),6%识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1313/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 备的
39、产线年产能累计达100GW。PE-Poly能够能够更好更好地避免地避免LPCVD中的绕镀问题。中的绕镀问题。PE-Poly使用等离子体镀膜,能够更好地控制镀膜区域、膜层厚度,绕镀非常轻微(原则上可实现无绕镀),不需要增加上述的额外清洁步骤,降低了后续清洗难度,节省成本和时间。PE-Poly反应温度低,反应温度低,耗材耗材损耗低。损耗低。LPCVD的反应温度通常在600及以上,而PECVD可以降低至200400。低反应温度在降低能耗的同时,对衬底影响小,从而可以避免高温成膜造成的膜层晶粒粗大以及膜层与基体生成脆相等缺点,提供了不同的衬底上制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜的可能性。PE-
40、Poly工艺时间短、占地面积小。工艺时间短、占地面积小。LPCVD能够实现隧穿氧化层和Poly层沉积的“二合一”,但由于原位掺杂速度慢、产量低,后续还需要配备磷扩散设备完成磷扩,整体工艺时间长;捷佳伟创的PE-Poly先进结构不仅实现了隧穿层、Poly层和掺杂层在同一台设备上进行,还能够利用PECVD原位掺杂速度快和绕镀轻微的优势,节省了扩散设备和清洗设备的占地面积,缩短了工艺时间。表表 2:LPCVD与与PECVD对比对比 指标指标 LPCVD PECVD 工作原理 将一种或数种气态物质,再较低压力下,用热激活能,使其发生热分解反应,沉积在衬底表面形成所需薄膜 借助微波或射频使气体形成等离子
41、体,在基片上发生反应沉积出所期望的薄膜 成膜速率 5-8nm/min(本征硅)1-3nm/min(原位掺杂)10nm/min(原位掺杂)WPH/台 单插:4300pcs;双插:8000pcs 4200pcs 掺杂方式 磷扩散/离子注入 原位掺杂(增加退火)原位掺杂(增加退火)隧穿氧化层生长方式 原位/热氧化 PEALD(甲基硅烷)、O2 等离子体、N2O 等离子体 绕镀情况 水平插片:四周均匀、10mm 以内(拉普拉斯已解决)竖直播片:四周不均匀,10-30mm 绕镀面积较小,边缘 2mm 以内 运行成本(石英件维护)石英舟寿命6 个月/清洗周期 15 天 石英管寿命 4-12 个月(不清洗+
42、涂层)个别厂家使用金属套管存在掉渣风险 石墨舟清洗周期为 50-60 轮 效率 GW 量产效率 24.9%研发实验室最高效率 25.7%GW 级量产效率 24.6%良率 GW 量产良率97%GW 级量产良率94%技术成熟度 已有大规模交付;研发储备充足,技术路线明确 已规模量产 优势 1、热氧化、原位生长氧化质量高;2、氧化层厚度与温度线性关系较好;3、Poly 生长质量高,钝化效果高。1、镀膜速率快,单机台产能大,投入成本低 2、绕镀2mm,清洗容易 劣势 每年更换炉管 23 次,石英件成本 200 万/GW 1、氧化层生长不均匀 2、原位掺杂导致陶瓷环导电,石墨舟维护周期短 3、存在掉粉问
43、题 4、PH3 耗量高 数据来源:高效 TOPCon 电池技术及设备发展方向(拉普拉斯),广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1414/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 LPCVD制备薄膜质量好,但成膜速率低、需二次掺杂、石英管耗材大。制备薄膜质量好,但成膜速率低、需二次掺杂、石英管耗材大。LPCVD在低压氛围下进行,气体环境更容易控制,反应气体的扩散系数大,成膜质量更好、均匀度高,是目前技术最为成熟、技术路线明确的最为广泛的镀膜方法。然而LPCVD的成膜速率不如其他工艺方法,尤其是原位掺杂速度慢,通常需要额外进行磷扩散;且需要定期
44、更新石英炉管和载具,石英管耗材量大。LPCVD还还存在严重的绕镀问题,会降低产能和良率存在严重的绕镀问题,会降低产能和良率。LPCVD由于使用高温热反应镀膜,难以精准控制反应区域,绕镀问题严重。在TOPCon的工艺流程中,制备隧穿氧化层的过程中,LPCVD方式容易在电池片侧面形成绕镀;在制备磷掺杂多晶硅层时,磷掺杂多晶硅层和磷硅玻璃层(PSG)也容易绕镀在侧面和电池片正面,PSG和正面的BSG还会发生反应生成硼磷硅玻璃(BPSG),影响薄膜和电池片的质量,增加了后续清洗难度,需要额外增加清洗步骤。目前行业普遍采用“单槽单插”技术,解决方案是以硼扩散面BSG为掩膜,以单槽单插方式进行双面氧化和双
45、面poly沉积,正面poly绕镀通过混酸洗或链式酸洗去PSG加槽式碱性方案或链式混酸洗完成清洗,但存在产能降低、良率降低、正面非绕镀区域硼扩散发射极方阻上升过大导致烧结接触不佳的问题。此外,这种处理方法并不能有效的将“单槽双插”模式中绕镀的多晶硅清洗干净,或者容易破坏硼发射极原有结构,不利于提高电池的转换效率和良品率。图图 16:LPCVD绕镀部位示意图绕镀部位示意图 数据来源:湖南红太阳专利 CN114122195A,广发证券发展研究中心 需关注需关注LPCVD潜在的潜在的“单槽单槽双插”技术。双插”技术。LPCVD镀膜工艺中,“单槽双插”即两片硅片以背靠背的方式插入石英舟(插片舟)同一卡槽
46、内,将需要镀膜的面向外,从而同时完成两片硅片的背面(抛光面)镀膜,产量翻倍的同时一定程度上减轻绕镀问题。此外,一些结构特殊的石英舟也能帮助减轻绕镀问题,提高薄膜质量,如水平放置插片舟和协助固定硅片的石英舟装置,使两片硅片贴合更加紧密,防止在空隙处发生绕镀。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1515/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 17:水平放置插片舟和插片放置方式示意图:水平放置插片舟和插片放置方式示意图 图图 18:协助固定硅片的石英舟装置示意图:协助固定硅片的石英舟装置示意图 数据来源:拉普拉斯专利 CN111293189A,广发证券发展研
47、究中心 数据来源:阿斯特阳光电力集团专利 CN210403683U,广发证券发展研究中心 采用采用“单槽单槽双插”双插”技术,技术,LPCVD的绕镀部分的绕镀部分需要需要通过额外的清洗步骤去除通过额外的清洗步骤去除,行业内,行业内正在探索解决方案正在探索解决方案。TOPCon电池片部分制备步骤为:制绒硼扩散形成发射极和BSG层去除边缘和背面的BSG层LPCVD单槽双插法沉积隧穿层和poly层清洗绕镀。在LPCVD过程中,可能在硅片侧面和正面边缘形成绕镀多晶硅层、PSG层和BPSG层,可通过一定的清洗步骤去除。根据红太阳申请的专利(CN114122195A),通过氢氟酸溶液对硅片正面和边缘进行清
48、洗,控制水膜流量使BSG层的保留厚度在40nm以上;再采用槽式碱洗工艺去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅,在硅片正背面BSG层和PSG层的保护下不会破坏硅片的原有结构;使用臭氧水或NH4OH/H2O2溶液去除有机物残留;最后采用氢氟酸/盐酸溶液去除硅片正面BSG层和背面PSG层,完成对绕镀硅片的清洗。这种方法理论上可以有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题,又能释放LPCVD机台产能。图图 19:LPCVD绕镀绕镀清洗清洗流程流程 数据来源:湖南红太阳专利 CN114122195A,广发证券发展研究中心(三)(三)双面双面 poly 技术技术:TOPCon 提效降本提效降本的重要的
49、重要方向方向 TOPCon提效降本方向明确。提效降本方向明确。在TOPCon非硅成本中,其他材料成本和浆料靶材成本占比较高,未来主要有四方面提效降本的工艺方向。工序优化,即钝化接触工艺集成、双面钝化接触工艺的开发和集成、掺杂和刻蚀等技术的开发;金属化成本降低,即栅线图案优化、印刷技术改进(如激光转印、SMBB等)、材料体系优化(如电镀铜、浆料接触匹配等);产能提升,即大尺寸硅片、电池和组件技术的开发,以及大 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1616/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 产能设备的开发与应用;硅材成本优化,即开发更薄的硅片和优化硅片切割艺
50、术。其中,双面钝化接触工艺是改进电池结构、提高转换效率的重要环节。其中,双面钝化接触工艺是改进电池结构、提高转换效率的重要环节。双面双面poly提高理论极限效率,是提高理论极限效率,是TOPCon提效降本提效降本的的必经之路。必经之路。TOPCon技术利用钝化界面氧化物(POLO结),通过在金属层和晶硅层之间插入超薄界面氧化硅(SiOx或SiOx)/多晶硅(poly-Si)层来钝化金属接触,提高电池效率。由于寄生吸收,大多数多晶硅的研究和开发仅集中在电池后侧应用;使用特定的结构和材料将POLO结钝化技术同时运用在电池两端(即双面poly),充分发挥POLO结的效率潜力,是未来方向之一。根据 O
51、n the limiting efficiency for silicon heterojunction solar cells(W Long等),TOPCon电池在仅实现单面poly的情况下,理论极限效率则为27.1%,若实现双面poly则可达到28.7%的理论效率,凸显了双面poly的作用和引导性。图图 20:TOPCon非硅成本分析非硅成本分析(截至(截至2023年年4月)月)数据来源:高效 TOPCon 电池技术及设备发展方向(拉普拉斯),广发证券发展研究中心 双面双面poly为为正反两面均采用钝化接触结构正反两面均采用钝化接触结构的电池技术的电池技术。传统单面TOPCon电池是基于n
52、型硅片作为主体,正面采用氧化铝和氮化硅电解质层来钝化p型硼扩散发射极,在背面拥有约12.5nm隧穿氧化层(超薄氧化硅)和n型磷掺杂多晶硅层的钝化结构,可以使“多子”在非常低的结电阻下隧穿通过,由于载流子选择性,在掺杂层之间,载流子形成快速输运能力,使得电阻损失减少、载流子复合率降低。双面poly电池基本结构与TOPCon电池结构类似,除了在背面运用了超薄氧化硅/掺杂多晶硅层的钝化结构外,在正面也采用了超薄氧化硅/掺杂多晶硅层作为钝化,从而更好地利用POLO结技术达到提高效率的效果。双面双面poly具有更低的寄生吸收。具有更低的寄生吸收。由于poly-Si的吸收系数明显低于a-Si,双面多晶硅钝
53、化接触电池能够实现比a-Si:H/c-Si异质结电池更高的短路电流密度Jsc值,理论上达到更高的电池效率。双面双面poly具有更加优良的钝化效果。具有更加优良的钝化效果。由于进一步在电池正面采取了优良的POLO结钝化接触技术,能够更好地解决金属接触带来的复合损失问题,提高电池效率。双面双面poly具有更大的降本空间。具有更大的降本空间。多晶硅可以在200以上的温度下持续存在,从而提高了成本效益较高的TCO(如ZnO:Al)的导电性和透明度。此外,电池能够兼容高温丝网印刷金属化,可能降低Ag消耗。根据 Double-Sided Passivated Contacts for Solar Cell
54、 Applications An Industrially Viable Approach Toward 24%Efficient Large Area Silicon Solar Cells(ZP Ling等),2019年南洋理工大学使用传统丝网印刷浆料、靶材,35%折旧,19%耗电,27%其他材料成本,11%人力成本,8%识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1717/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 工艺制备出效率为23.2%的双面钝化接触太阳能电池,优于仅后方钝化接触的太阳能电池(22.5%)。双面双面poly对制备工艺要求大幅提高,产业化进程道阻
55、且长。对制备工艺要求大幅提高,产业化进程道阻且长。首先,由于正背两面都需要进行钝化结构的沉积,在TOPCon的基础上增加了一系列工艺步骤,加大了工艺的复杂程度。其次,由于需要控制正面多晶硅层的厚度,要额外增加切割、刻蚀等操作以达到最佳厚度,对工艺精细程度要求较高。最后,技术开发仍不成熟,有多种钝化结构和金属化结构的组合尝试,实现产业化仍有一定距离。图图 21:TOPCon电池结构示意图电池结构示意图 图图 22:双面:双面poly电池结构示意图电池结构示意图 数据来源:面向 TOPCon 产业应用的 PECVD 技术研究进展(宁波材料所),广发证券发展研究中心 数据来源Ultra-Thin P
56、oly-Si Layers:Passivation Quality,Utilization of Charge Carriers Generated in the Poly-Si and Application on Screen-Printed Double-Side Contacted Polycrystalline Si on Oxide Cells(Larionova 等),广发证券发展研究中心 双面双面Poly电池正面和背面的掺杂层极性必须相反。电池正面和背面的掺杂层极性必须相反。由于需要分别起到电子选择传输性和空穴选择传输性的功能,正面和背面的掺杂极性必须相反。对于正背面掺杂类型的
57、选择没有定论,但通常认为p型poly-Si对绒面结构的钝化效果不佳,因此更适用于抛光处理的背电极。南洋理工大学在2019年试验了多种双面poly结构设计,发现最佳方案为前表面绒面处理,采用n型poly-Si/SiOx层,后表面抛光处理,采用p型poly-Si/SiOx层作为钝化结构。两面的钝化结构可以是多晶硅薄膜,如poly-Si;也可以是多晶硅化物薄膜,如poly-SiNx,poly-SiCx或poly-SiOx。必须控制正面必须控制正面poly-Si层的厚度以减少寄生吸收。层的厚度以减少寄生吸收。最优情况下,需要通过切割、刻蚀等方法将多晶硅层厚度控制在20 nm以内,从而避免寄生吸收。衬底
58、正面硅薄膜或硅化物薄膜的厚度低于80nm,优选厚度为低于20nm,更优选厚度为低于10nm。横向导电性必须由横向导电性必须由TCO提供。提供。由于正面多晶硅层厚度较薄,具有较大的片层电阻(超过1000 sq-1),顶部的高导电透明层TCO需要确保所需的横向电导率,以便电荷载流子运输到前面的金属化网格。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1818/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 23:多种双面:多种双面poly电池结构设计和最佳方案(右下)示意图电池结构设计和最佳方案(右下)示意图 数据来源:Double-Sided Passivated Cont
59、acts for Solar Cell Applications:An Industrially Viable Approach Toward 24%Efficient Large Area Silicon Solar Cells(Zhi Peng Ling 等),广发证券发展研究中心 双面双面poly结构是未来结构是未来TOPCon提效方向,产业界和学术界均有探索布局提效方向,产业界和学术界均有探索布局。从各家的专利布局来看,包括晶科能源、晶澳太阳能、三一集团等,对双面poly的钝化接触结构、制备步骤、薄膜类型、掺杂方法等方面不断进行探索。晶科能源提出了晶科能源提出了N+N高低结钝化接触结构
60、。高低结钝化接触结构。在双面poly的基础上,晶科在原有的N+掺杂层的基础上,在电极附近增加一层重掺杂的N+掺杂层,从而辅助载流子横向传输,不仅能提升开路电压和短路电流,而且有助于解决高温金属浆料对超薄钝化接触的烧穿损伤问题。晶澳太阳能开发了通过一次高温退火完成双面多晶硅层的掺杂的工艺。晶澳太阳能开发了通过一次高温退火完成双面多晶硅层的掺杂的工艺。在电池片正面依次制备隧穿层、多晶硅层、氧化层和含有一种类型掺杂元素的掺杂层,在背面依次制备隧穿层和多晶硅层,通过对背面多晶硅层和正面掺杂层进行7001000的高温退火,为背面多晶硅层引入并激活另一类型掺杂元素,同时使正面掺杂层包含的掺杂元素进入正面多
61、晶硅层并激活掺杂元素,使得经过一次退火同时保证了第一多晶硅层和第二多晶硅层中掺杂元素的掺杂浓度达到最优,提高了制备效率。图图 24:具有:具有N+N高低结钝化接触结构电池示意图高低结钝化接触结构电池示意图 图图 25:一次高温退火完成多晶硅层掺杂工艺步骤:一次高温退火完成多晶硅层掺杂工艺步骤 数据来源:晶科能源专利 CN112201701A,广发证券发展研究中心 数据来源:晶澳(扬州)太阳能专利 CN115312627A,广发证券发展研究中心 三一集团采用三一集团采用POPAID技术制备双面技术制备双面poly电池。电池。使用POPAID技术(等离子氧化硅)识别风险,发现价值 请务必阅读末页的
62、免责声明 1919/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 在正面和背面制备隧穿氧化层,在背面制备掺杂非晶硅层,而后采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料,经过退火后制得局域掺硼多晶硅层。有效避免了多晶硅绕镀问题,而且步骤简单,成本低,制备的双面局域钝化接触太阳电池能够完美解决光学损耗及表面复合问题。湖南红太阳使用管式湖南红太阳使用管式PECVD制备双面制备双面poly电池。电池。利用管式PEVCD,使用N2O和Ar等工艺气体在硅片的两个表面上依次沉积超薄氧化硅层和掺杂非晶硅薄膜,经晶化退火后,得到双面掺杂多晶硅钝化接触结构。该方法制备的超薄氧化硅层具有高质量
63、、均匀性好等优点,可以与掺杂多晶硅层的完美匹配,有利于提高硅片的钝化效果,进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率,还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势,适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构,利于工业化应用。顺风太阳能利用顺风太阳能利用LPCVD单插技术和低温、高温两步沉积,克服了绕镀清洗问题。单插技术和低温、高温两步沉积,克服了绕镀清洗问题。利用低温下先沉积一层较薄的的poly硅,然后在利用高温进行沉积,制备出致密性以及均一性更优的双面poly薄膜;并使用相似的低温、高温两步掺杂步骤进行磷掺杂,从而保证正面的绕镀poly硅能够完全去除,不留下任何印迹。该发明制备的双面pol
64、y电池开路电压、短路电流、填充因子和转换效率均优于背面单面poly。时创能源开发了碳元素共掺杂改性时创能源开发了碳元素共掺杂改性poly层,提高钝化层的透光性和电流大小。层,提高钝化层的透光性和电流大小。采用LPCVD或PECVD工艺,使用CH4作为碳源在双面隧穿层表面制备15%碳含量的碳掺杂Poly层,随后再进行正面硼掺杂和背面磷掺杂,形成碳硼共掺杂poly和碳磷共掺杂poly的双面钝化结构,能够增加poly硅的禁带宽度,在保证钝化性能的同时,提高钝化层的透光性,提升电流。中国宁波材料技术与工程研究所其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层。中国宁波材料技术与工程研究所其采用碳氧化硅钝化层替
65、代现有的超薄氧化层。在氧化硅层中掺杂0.120at%的碳原子,形成碳氧化硅钝化层。碳的加入能够调节碳氧化硅钝化层薄膜的膨胀系数,提高其稳定性,保证其完整性;C原子能更强的捕获H原子,防止H原子溢出造成的钝化下降;碳的引入能够降低磷或硼在氧化硅的固溶度、抑制磷或硼的扩散速率,使得碳氧化硅钝化层在高温退火过程中具有更高的热稳定性,隧穿氧化层在高温退火的过程中不会受到破坏;碳掺杂可以降低氧化硅的禁带宽度,有助于提高载流子隧穿收集概率。表表 3:双面:双面poly各家进展各家进展 主体主体 技术名称技术名称 涉及工艺涉及工艺 主要原理主要原理 成果成果 晶科能源 N+N 高低结 钝化接触结构 在原有
66、N+掺杂层上方,再增加重掺杂 N+层,与电极烧结后形成钝化结构 辅助载流子横向传输,提升开路电压和短路电流,有助于解决高温金属浆料对超薄钝化接触的烧穿损伤问题 晶澳太阳能 高温退火掺杂 多晶硅掺杂 在正面多晶硅层上制备掺杂层,一次高温退火同时完成正面和背面的掺杂元素的引入和激活 一次退火同时保证了第一多晶硅层和第二多晶硅层中掺杂元素的掺杂浓度达到最优,提高了制备效率 三一集团 POPAID、局域掺硼多晶硅层 钝化接触结构、多晶硅掺杂 POPAID 技术制备隧穿层和掺杂非晶硅层;用激光转印在正面局部印刷掺硼浆料,退火后制得局域掺硼多晶硅层 有效避免了多晶硅绕镀问题,步骤简单,成本低 识别风险,发
67、现价值 请务必阅读末页的免责声明 2020/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 湖南红太阳 管式 PECVD 制备掺杂多晶硅层 多晶硅掺杂 利用管式 PEVCD,使用 N2O 和Ar 等工艺气体在硅片的两个表面上依次沉积超薄氧化硅层和掺杂非晶硅薄膜,经晶化退火后,得到双面掺杂多晶硅钝化接触结构。制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好,工艺时间短、沉积速率可控 顺风太阳能 LPCVD 两步沉积法制备多晶硅层 多晶硅掺杂、绕镀清洗 低温、高温两步分别沉积一层 poly硅,再分低温、高温两步进行正面磷掺杂 poly 硅薄膜致密性、均一性更优,保证正面绕镀 poly 硅能够
68、完全去除,不留印迹 时创能源 碳元素共掺杂多晶硅层 多晶硅掺杂 对 poly 层进行 15%的碳掺杂后,再进行硼或磷掺杂,形成碳硼和碳磷共掺杂结构 能够增加 poly 硅的禁带宽度,在保证钝化性能的同时,提高钝化层的透光性,提升电流 宁波材料所 碳氧化硅层代替超薄氧化层 超薄氧化层 在氧化硅层中掺杂 0.120at%的碳原子,形成碳氧化硅钝化层 调节薄膜的膨胀系数,更好地捕获 H 原子,提高热稳定性和降低氧化硅禁带宽度,提高流子隧穿收集概率 数据来源:晶科能源专利 CN112201701A,晶澳太阳能专利 CN115312627A,三一集团专利 CN115020546A,湖南红太阳专利CN11
69、4606478A,顺风太阳能专利 CN113193082A,时创能源专利 CN114050190A,宁波材料所专利 CN109786476B,广发证券发展研究中心(四四)TOPCon 扩产进行时,扩产进行时,捷佳伟创受益明显捷佳伟创受益明显 近年电池片设备市场规模维持高增,捷佳伟创受益明显。近年电池片设备市场规模维持高增,捷佳伟创受益明显。通过对近年的全球装机、产能利用率、各电池技术路线的占比以及各电池技术路线的设备投资额作出假设,我们估计2022-2025年光伏电池设备的市场规模空间为409/597/737/589亿元。根据捷佳伟创公众号23年1月对市占率的披露,公司中标设备的金额占TOPC
70、on整线设备的份额在40%以上;根据PVInfolink的统计,截止23年2月,基于在产和在建(设备招标完成)的326GW中,采用LPCVD路线的主要以晶科、捷泰、隆基为主,占比约42%,而PECVD主要以通威,天合,上机,润阳等为主,占比约52%,而捷佳伟创在PECVD领域处于领先定位;同时根据下文提到的,公司在HJT领域的板式/管式PECVD、CAT-CVD、RPD等领域均开始发力,因此假设公司在HJT设备领域的市占率逐步提升。基于上述内容,我们对捷佳伟创未来的市占率作出相应假设,可以测算公司2022-2025年的订单约133/218/261/231亿元,充分享受TOPCon的扩产周期;如
71、果HJT电池技术近年的降本增效较为顺利,则电池设备行业有望迎来新的扩产周期。表表 4:近年光伏设备市场规模测算及捷佳伟创订单测算(亿元)近年光伏设备市场规模测算及捷佳伟创订单测算(亿元)单位单位 2021 2022 2023E 2024E 2025E 行业空间行业空间 全球新增光伏装机量全球新增光伏装机量 GW 170 230 350 455 569 YOY 47%40%30%25%容配比 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 组件产量 GW 204 300 420 546 683 冗余度 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 电池产量 GW 198 330 462 601 751 产能利
72、用率%60%60%55%50%50%识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2121/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 电池累计产能电池累计产能 GW 360 550 840 1201 1502 路线占比路线占比 当年新增电池产能当年新增电池产能 190 290 361 300 传统BSF%0%0%0%0%PERC%20%0%0%0%TOPCon%50%80%70%65%HJT%15%20%30%35%IBC及其他%15%0%0%0%传统BSF GW 0 0 0 0 PERC GW 38 0 0 0 TOPCon GW 95 232 253 195 HJT
73、GW 28 58 108 105 IBC及其他 GW 28 0 0 0 单位投资单位投资 PERC 亿元/GW 1.3 1.2 1.1 1.1 TOPCon 亿元/GW 1.9 1.7 1.5 1.4 HJT 亿元/GW 4 3.5 3.3 3 IBC及其他 亿元/GW 2.3 0 0 0 设备空间设备空间 PERC 亿元 49 0 0 0 TOPCon 亿元 180 394 379 273 HJT 亿元 114 203 358 315 IBC及其他 亿元 65 0 0 0 合计合计 亿元亿元 409 597 737 589 捷佳伟创捷佳伟创 2021 2022E 2023E 2024E 20
74、25E 市占率 PERC%50%TOPCon%50%50%50%50%HJT%5%10%20%30%IBC及其他%20%20%20%20%合计合计%33%36%35%39%订单 PERC 亿元 25 0 0 0 TOPCon 亿元 90 197 190 137 HJT 亿元 6 20 72 95 IBC及其他 亿元 13 0 0 0 合计合计 亿元亿元 133 218 261 231 数据来源:CPIA,捷佳伟创公众号,广发证券发展研究中心测算 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2222/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 三三、HJT 产品线:产品线:
75、RPD 渐有收获渐有收获,Cat-CVD 可能成为可能成为行业重要选项行业重要选项(一)(一)Cat-CVD:HJT 降本提效降本提效的重要潜在选项的重要潜在选项 板式板式PECVD目前为目前为HJT电池技术薄膜电池技术薄膜沉积沉积的主流选择的主流选择。低温沉积非晶氢化硅(a-Si:H)、多晶硅(poly-Si)、氮化硅(SiNx)等硅基薄膜是半导体工业的重要技术要求之一。在HJT电池技术中,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术为沉积非晶硅层和微晶硅层的主流选择。然而,在PECVD方法中,处理等离子体会对薄膜造成不期望的离子轰击或电荷诱导损伤;此外,PECVD制备的a-Si:H薄膜中氢原
76、子含量过高(10%左右),需要进行脱氢处理才能防止氢气泡的产生或准分子激光退火过程中气泡破裂导致飞溅。Cat-CVD是基于PECVD等离子体损伤的缺陷所开发的技术,具有薄膜和衬底不受等离子体损伤,气体利用率高、无需脱氢,装置兼容性强、容易扩产,设备成本低、降本空间大等主要优点。薄膜和衬底不受等离子体损伤薄膜和衬底不受等离子体损伤。在PECVD中,衬底或先前沉积的薄膜的表面总是受到等离子体中产生的离子和高能电子的碰撞所造成的破坏,Cat-CVD则通过催化热丝活化粒子,避免了高能粒子轰击对衬底或已沉积薄膜表面的损伤,能够产生更加平整的薄膜界面。以a-Si或SiO2对c-Si表面进行钝化处理为例,扫
77、描透射电子显微镜图像显示,PECVD沉积的a-Si/c-Si界面粗糙度很大,主要是源于过程中c-Si衬底的等离子体诱导损伤;而Cat-CVD沉积的a-Si/c-Si的界面非常平整,甚至小于传统热生长形成的SiO2/c-Si界面粗糙度的大小,在高精密度要求的高端应用领域中更具优势。气体利用率高,无需脱氢气体利用率高,无需脱氢。在PECVD中,气体分子与高能电子进行点对点的碰撞从而产生等离子体,气体利用效率仅在56%;而在Cat-CVD中,气体分子与催化热丝进行点对线的碰撞,利用效率达到了40%。此外,由于分解更加彻底,与PECVD相比,气体中H原子的密度更高,多余的H原子在薄膜生长表面形成H2,
78、从而降低了薄膜内的氢原子含量。由氢化源气体制备的PECVD薄膜中都含有1020%的氢原子,而Cat-CVD则10%。图图 26:PECVD、Cat-CVD和热生长薄膜界面比较和热生长薄膜界面比较 图图 27:PECVD与与Cat-CVD气体碰撞比较气体碰撞比较 数据来源:Current Status of Catalytic Chemical Vapor Deposition Technology-History of Research and Current Status of Industrial Implementation(Hideki Matsumura),广发证券发展研究中心 数据
79、来源:Hideki Matsumura Laboratory,广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2323/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 以微导纳米为例,以微导纳米为例,真空系统类、特殊气体类、真空系统类、特殊气体类、电器类在镀膜设备电器类在镀膜设备中中的成本占比较高。的成本占比较高。微导纳米的主要产品为ALD和PECVD,从微导纳米招股说明书的披露来看,真空系统类、特殊气体类、电器类在镀膜设备中的成本占比较高,在原材料采购中的成本占比约50%。表表 5:微导纳米采购零部件微导纳米采购零部件类别类别 类别类别 产品名称产品名称
80、真空系统类 干泵、真空阀、真空腔体、传输阀门、法兰陶瓷件、加热炉、特气柜等 特殊气体系统类 EP 级管路、气路板、臭氧发生器、源瓶、波纹管等 电器类 等离子体电源、伺服驱动器、变频器、断路器、滤波器、变压器、开关 电源、调功器、接触器、继电器、稳压器等、电源、传感器等 气动控制传动类 气缸、气接头、电缸、减压阀、速度控制阀、滚珠丝杠、联轴器、电 机、减速机、线轨、输送带、可编程逻辑控制器、触摸屏、交换机、驱 动器、减速机等 机械一体类 机器人、尾气处理器、机柜、机架、设备支撑框架、钣金、紧固件等 石墨石英类 陶瓷、石墨舟、石英管等 仪器仪表类 液体压力表、温度测试仪、真空压力计等 五金耗材类
81、线缆、螺丝批、缠绕膜、端子、化学源、0 型圈等 数据来源:微导纳米招股说明书,广发证券发展研究中心 表表 6:微导纳米原材料采购及占比微导纳米原材料采购及占比(万元)(万元)原材料原材料 2022 年年 1-6 月月 2021 年度年度 2020 年度年度 2019 年度年度 金额金额 占比占比 金额金额 占比占比 金额金额 占比占比 金额金额 占比占比 真空系统类真空系统类 5,110.79 18.53%8,079.57 27.43%7,282.63 30.09%4,829.60 36.22%特殊气体系统类特殊气体系统类 1,323.66 4.80%754.96 2.56%872.24 3.
82、60%790.65 5.93%电器类电器类 4,355.59 15.79%3,644.94 12.38%5,083.44 21.01%1,291.65 9.69%气动控制传动类 1,149.74 4.17%1,278.84 4.34%1,050.02 4.34%911.96 6.84%机械一体类 10,734.59 38.93%7,409.93 25.16%4,104.49 16.96%2,259.69 16.94%石墨石英类 1,284.46 4.66%2,122.97 7.21%2,117.48 8.75%524.57 3.93%仪器仪表类 1,064.48 3.86%3,244.43 1
83、1.02%1,479.24 6.11%2,098.48 15.74%五金耗材类 1,005.33 3.65%1,174.15 3.99%958.42 3.96%333.84 2.50%其他类 1,547.52 5.61%1,740.21 5.91%1,252.94 5.18%295.47 2.22%合计 27,576.16 100.00%29,450.01 100.00%24,200.90 100.00%13,335.90 100.00%数据来源:微导纳米招股说明书,广发证券发展研究中心 CAT-CVD装置简单,装置简单,降本潜力大降本潜力大。Cat-CVD设备不需要昂贵的射频电源和复杂的匀气
84、系统,载板和腔体要求也低得多,设备长度等也短很多,因此Cat-CVD设备造价比PECVD更低,每GW电池的镀膜设备成本从2亿元降低至1亿元(参考全球光伏公众号23年2月的推送,江西汉可)。同时,Cat-CVD的生产运营成本也更低,主要由于气体利用效率高,日本松村英树团队的 Current Status of Catalytic Chemical Vapor Deposition Technology History of Research and Current Status of Industrial Implementation,该团队计算爱发科的Cat-CVD量产机器每小时可以在2900
85、个c-Si晶圆上沉积薄膜,成本至少比PECVD低10%;江西汉可也有类似结论。此外,还可 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2424/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 以通过延长催化剂的寿命、开发垂直式装置、增加衬底数量等方式来降低气体成本、扩大生产效率,从而比PECVD更容易地实现降本。表表 7:PECVD与与Cat-CVD对比对比 指标指标 PECVD Cat-CVD 镀膜质量 高,但有等离子体损伤 更高,无等离子体损伤 镀膜速度 较慢(非晶硅慢、微晶硅更加慢)较快(相比于 PECVD)颗粒污染 镀膜气压几百 Pa,易形成粉尘;需每天使用 NF3
86、等离子清洗 镀膜气压几 Pa,不易形成粉尘,无颗粒污染 载板要求 一般为碳基(石墨为主),载板是 PE 放电的电极之一,对导电性等要求很高 一般为金属载板,载板不参与气体分子的裂解反应,导电性无要求 绕镀问题 原理性问题,需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免 可忽略,对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低 生产装备结构 多采用卧式结构,载板、硅片水平放置,自动化易于实现;粉尘翻粒易粘附于硅片表面 多采用立式结构,载板,硅片垂直放置,自动化难度高;粉尘不易与粘在硅片表面 镀膜均匀性 小面积均匀度高,但面积增大难度极高(等离子体的控制难度高,匀气结构也要相应改进)小面积均匀度相对低,且面
87、积增大难度低 设备造价 高(射频电源、碳基载板、匀气结构复杂)低(直流电源、金属载板、匀气结构简单)运营成本 一般 较低(气体利用率高)设备普及程度 普及程度高,装备、工艺相关技术人员充足 普及程度低,装备、工艺人员少 数据来源:异质结电池单线 1GW 产能的热丝 CVD 解决方案(江西汉可),广发证券发展研究中心 Cat-CVD装置原理简单。装置原理简单。Cat-CVD技术的沉积装置主要由三部分组成:进入低压沉积室的气体入口部分、在加热的催化剂表面通过催化裂化反应进行气体分解的部分、以及将催化剂传输的分解物反应成膜的衬底。基本原理是用加热到1500以上的金属热丝作为催化物进行催化反应,使原料
88、气体裂解成原子自由基,从而消除了对等离子体的需求,最终沉积到衬底上。在Cat-CVD中,金属热丝通常为钨(W)或钽(Ta),这些金属熔点较高,并且即使金属表面与SiH4气体反应转化为硅化物也能保持高温。制备a-Si:H和p-Si薄膜使用的原料气体为SiH4和H2;SiNx薄膜为SiH4、NH3和H2;SiO2薄膜则是SiH4和氧化性气体,通常为N2O等。Cat-CVD有高压和低压两种工艺模式,技术改良后通常使用低压模式。Cat-CVD制备环境要求相对低。制备环境要求相对低。以制备本征a-Si为例,SiH4在钨丝上催化裂解为原子自由基,并以Si原子和H原子的形式附着在钨丝上,从而实现活性粒子的分
89、离;随后在10Pa左右的低压环境下被输送至温度较低的衬底(300左右)完成反应和沉积。通过调节催化剂温度、衬底温度、腔室压力、原料气体进气比例、沉积速率可以生成不同类型的薄膜。Cat-CVD可兼容磷可兼容磷/硼硼掺杂掺杂晶硅晶硅工艺工艺。日本松村英树研究所开发出了基于Cat-CVD的磷/硼掺杂晶硅方法,将稀释后的PH3气体或B2H6气体与氢气一起输送到350的晶硅衬底上可以在80时完成p型或n型的浅掺杂。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2525/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 28:Cat-CVD中硅烷的存在形式中硅烷的存在形式 图图 29:
90、催化掺杂(:催化掺杂(Cat-doping)原理示意图)原理示意图 数据来源:Hideki Matsumura Laboratory,广发证券发展研究中心 数据来源:Cat-doping:Novel method for phosphorus and boron shallow doping in crystalline silicon at 80(Hideki Matsumura),广发证券发展研究中心 CAT-CVD以立式为主,卧式开发中。以立式为主,卧式开发中。在光伏产业中,CAT-CVD以立式为主,包括日本三洋、江西汉可、捷佳伟创中,为了解决立式CAT-CVD的自动化较难等问题,捷佳伟
91、创也在开发卧式的CAT-CVD设备。卧式卧式Cat-CVD和垂直式和垂直式(立式)(立式)Cat-CVD主要区别在于衬底和热丝的放置方向。主要区别在于衬底和热丝的放置方向。在卧式Cat-CVD装置中,衬底直接平放在保持装置上,不需要额外的结构对其进行固定,在需要镀膜的表面上方水平悬挂金属热丝,通入的工艺气体在热丝的作用下催化分解,沉积在衬底表面完成镀膜;垂直式Cat-CVD装置则通常将金属热丝竖直悬挂在保持装置上,通过把衬底固定在载板上并竖直放置实现镀膜,在金属热丝表面的两侧均放置载板可以实现同时对两块载板进行镀膜,从而扩大镀膜面积。图图 30:卧式:卧式Cat-CVD装置示意图装置示意图 图
92、图 31:垂直式:垂直式(立式)(立式)Cat-CVD装置示意图装置示意图 数据来源:Current Status of Catalytic Chemical Vapor Deposition Technology-History of Research and Current Status of Industrial Implementation(Hideki Matsumura),广发证券发展研究中心 数据来源:Current Status of Catalytic Chemical Vapor Deposition Technology-History of Research and C
93、urrent Status of Industrial Implementation(Hideki Matsumura),广发证券发展研究中心 垂直式垂直式Cat-CVD需要固定衬底,会形成遮挡且容易造成损伤需要固定衬底,会形成遮挡且容易造成损伤,自动化实现难度较大,自动化实现难度较大。目前产业内主要采用的是垂直式Cat-CVD,如江西汉可等,主要是因为垂直式设备实现双面镀膜更加便捷,能够比较容易地实现扩产;然而,垂直式设备要求硅片和 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2626/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 载板必须竖直放置,需要利用如压片、磁吸或
94、盖板等特殊结构将硅片固定在载板上,会在衬底表面形成一定遮挡,导致镀膜面积减小。在镀膜的过程中,装置的移动容易使衬底摇晃,与固定结构或载板发生碰撞、擦伤,甚至从载板上掉落下来,对衬底和载板造成损伤;若自动化定位衬底或放置衬底有偏差,衬底边角区域容易没有落入载板凹槽内,此部分会被盖板夹碎,造成产品崩边缺角,影响良率。同时,硅片和载板竖直放置的要求也会给运输、抓取、上下料等自动化步骤带来不便,需要精细设定夹持装置的参数并与载板完全匹配,实现自动化的难度较大。卧式卧式Cat-CVD能够减少衬底被遮蔽的面积,提高转换效率,降低自动化难度。能够减少衬底被遮蔽的面积,提高转换效率,降低自动化难度。在卧式Ca
95、t-CVD设备中,由于热丝能够在镀膜腔内水平延伸,衬底能够在水平放置的状态下进行镀膜,无需通过特殊结构被固定到载板上,因此能够减少衬底被遮蔽的面积,进而一定程度上扩大镀膜面积、提高光电转换效率。此外,由于无需固定结构,能够防止压片、磁吸或盖板等固定结构导致的衬底擦伤或碎片。进一步地,由于衬底水平地放置,因此也能够容易地进行运输和取放料,从而能够降低自动化的难度。图图 32:垂直式:垂直式Cat-CVD载板和固定结构示意图载板和固定结构示意图 图图 33:垂直式:垂直式Cat-CVD中硅片抓取装置示意图中硅片抓取装置示意图 数据来源:捷佳伟创专利 CN215799878U,广发证券发展研究中心
96、数据来源:江西汉可专利 CN114582789A,广发证券发展研究中心 与此同时,与此同时,Cat-CVD也有一定缺点,目前已有相应解决办法。第一,金属杂质可能也有一定缺点,目前已有相应解决办法。第一,金属杂质可能进入薄膜。进入薄膜。在高速率沉积的情况下,如a-Si:H形成,金属污染相对较小,可以忽略不计。然而,在低速率沉积如形成SiNx的情况下,金属污染相对较大,对薄膜性能有影响。为了减少膜中的金属污染,有必要对催化剂进行净化。提纯催化剂最简单的方法是在比沉积时高得多的温度下烘烤,通常为2000以上,在更换催化剂时进行短时间的高温烘烤,能够有效去除金属丝上的硅化物。第二,金属丝使用寿命受限:
97、第二,金属丝使用寿命受限:当用SiH4生成a-Si时,金属催化丝容易转化为金属硅化物,最终金属硅化物丝发生断裂,必须保持1800(钨丝)以上才能抑制硅化物的形成。此外,某些催化物合金可以抑制硅化物的形成,如碳化二钨(W2C)、碳化钽(TaC)等,为了寻求更低的耗电量和更高的解离概率,催化剂材料的研究仍在继续。此外,还可以将其制造成盒式系统,即许多热丝存于一个盒子中,当热丝表面生产过多的硅化物后,可以很容易的将新的热丝从盒子中拉出且取代旧的热丝。即使周期性的更换热丝引起了成本增加,热丝CVD的总成本仍然比PECVD低10%(Current Status of Catalytic Chemical
98、 Vapor Deposition Technology-History of Research and Current Status of Industrial Implementation(H Matsumura)。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2727/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 34:盒式量产型:盒式量产型Cat-CVD设备设备 数据来源:Current Status of Catalytic Chemical Vapor Deposition Technology-History of Research and Current
99、 Status of Industrial Implementation(Hideki Matsumura),广发证券发展研究中心 由于Cat-CVD工艺简单,扩产难度小,应用场景非常广泛,在复合半导体、太阳能薄膜电池领域已经实现产业化或大规模生产。在光伏领域,主要是用于HJT电池中非晶硅、晶硅、多晶硅和掺杂层的制备。表表 8:Cat-CVD应用场景和产业化进程应用场景和产业化进程 应用领域应用领域 应用场景应用场景 应用结果应用结果 产业化进程产业化进程 复合半导体复合半导体器件器件 对 GaN、GaAs 等超高频晶体管的钝化 通过减少钝化层以下的表面损伤,提高 GaN、GaAs 晶体管的截
100、止频率和可用功率 已实现产业化 用于光通信的激光钝化 通过减少损坏来增加功率和寿命,因为这种损坏会导致退化起点的产生 已实现产业化 显示屏显示屏 非晶硅薄膜晶体管 大通断比可实现低关断电流和高稳定性 尚未实施 沉积态的薄膜晶体管 超过 40cm2/Vs 的迁移率 尚未实施 OLED 上的气体阻隔膜 在 90%湿度和 60环境下涂覆在 OLED 上的薄膜的使用寿命超过1000 小时 仍在开发 复印机用感光鼓 实现高速率沉积,气体利用效率高 小规模生产 太阳能电池太阳能电池 薄膜太阳能电池 Cat-CVD 的沉积速率是 PECVD 的 4 倍,气体可用效率高 1 个数量级 大规模生产 c-Si 太
101、阳能电池上的减反层和钝化层 Cat-CVD 薄膜可以实现极低的表面复合速度,可达 0.2cm/s 大规模生产 a-Si/c-Si 异质结电池 a-Si 在 c-Si 上的无损伤沉积 大规模生产 机械工程机械工程 替代汽车金属化电镀的涂覆方法 Cat-CVD 的涂层寿命可延长 1 个数量级,比传统的混合动力汽车金属化电镀延长 仍在开发 在剃须刀上涂布 在不牺牲锐度的情况下,制造出低摩擦表面 已实现产业化 其他应用其他应用 去除光刻胶 用 Cat-CVD 法去除经高剂量离子注入后的光刻胶,且不会有任何残留 相关设备已制造 表面清洁 清理 EUV 光刻用反射镜的表面 已用于 EUV 光刻设备 提高喷
102、墨或丝网印刷金属线的电阻率 用 Cat-CVD 进行氢处理可以在室温下形成低电阻率的 Cu 或 Ag 金属线 产业化推进中 通过 Cat-掺杂将低温 P或 B 掺杂成 c-Si 通过使用催化裂解的 PH3 或 B2H6 气体,P 或 B 原子可以在 80下掺杂到 c-Si 中 仍在开发 数据来源:Hideki Matsumura Laboratory,广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2828/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 捷佳伟创持续研发捷佳伟创持续研发,设备已进入客户中试线验证。,设备已进入客户中试线验证。技术方面,捷佳专
103、注研发,着重解决Cat-CVD装置实操过程中出现的问题。根据公司的专利布局,通过在镀膜腔内间隔地设置有三个以上具有第一热丝的镀膜部,各相邻的两个所述镀膜部之间分别容许单块所述基板流过,且相邻的两个镀膜部设置为分别对流过它们之间的所述基板的与其相对的一面进行镀膜,实现了在同一镀膜腔内分别对至少两块基板的各两面进行镀膜,解决了传统Cat-CVD中电池片翻面的工艺问题;通过热丝装置和保持器装置,使热丝能够在镀膜腔内水平地延伸,避免使用固定器件导致遮蔽衬底,一定程度上扩大镀膜对象物的镀膜面积,并且解决了卧式Cat-CVD装置中热丝软化的问题。通过使用一条独立的工艺线对衬底的一面镀P型掺杂硅基薄膜,防止
104、了在对衬底的一面镀P型掺杂硅基薄膜时和其他镀膜工艺之间产生交叉污染问题。公司自主研发了HJT全线四道工序所有设备及配套自动化设备,Cat-CVD等设备目前正在客户或公司的中试线上进行验证。图图 35:双面镀膜(左)和水平延展热丝(右)示意图:双面镀膜(左)和水平延展热丝(右)示意图 图图 36:单面镀:单面镀P型掺杂硅基薄膜工艺线示意图型掺杂硅基薄膜工艺线示意图 数据来源:捷佳伟创专利 CN211112215U,CN215799875U,广发证券发展研究中心 数据来源:捷佳伟创专利 CN214458304U,广发证券发展研究中心(二二)RPD:实现国产突破,:实现国产突破,TCO 镀膜提效新路
105、线镀膜提效新路线 反应性等离子体沉积法反应性等离子体沉积法(RPD)是由日本住友重工开发的独特技术,已应用于太阳是由日本住友重工开发的独特技术,已应用于太阳能电池和能电池和LED生产中使用的真空沉积设备。生产中使用的真空沉积设备。RPD是一种低压大电流电弧放电离子镀法,装置由压力梯度式等离子枪、环状磁铁构成的等离子体光束控制器和蒸发源及蒸发材料构成,其中等离子枪(阴极)和蒸发源(阳极)由磁场控制的高密度等离子体连接。电子束通过等离子枪提供的磁场控制的高密度等离子体加热蒸发,蒸发后的粒子立即被解离、激活和电离,具有较高的反应活性正离子被阳极附近的电势和等离子体的空间电荷势加速,飞向衬底,在膜沉积
106、过程中具有较高的反应活性。RPD沉积粒子入射能量可控。沉积粒子入射能量可控。等离子体是在100V以下的低电压和100200A左右的大电流下形成的,电子温度为几eV,电子密度为10111013个/cm3左右,是一种高密度等离子体。使用独特的等离子束控制器,可以控制蒸发分布和实现任意薄膜厚度分布。粒子飞到衬底上的入射能量可以控制在370eV之间,对衬底的损伤很小。因此,可以通过控制粒子在衬底上的反应性和入射能量来形成微晶自由非晶薄膜和优良的晶体薄膜。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2929/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 37:RPD装置原理示意
107、图装置原理示意图 数据来源:住友重工,广发证券发展研究中心 RPD对比磁控溅射对比磁控溅射PVD具备一定的优势具备一定的优势。磁控溅射PVD是利用等离子体对阴极靶材表面进行轰击,把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方向射向基体表面,在基体表面形成镀层。RPD则利用等离子体蒸发靶材,粒子经电场加速飞向衬底完成反应和沉积,具有薄膜损伤小、均匀度高、环境要求低和可大面积扩产的优势。RPD薄膜损伤小、均匀度高。薄膜损伤小、均匀度高。RPD技术对于沉积粒子的能量更加可控,能够根据需求在370eV间切换。HJT太阳能电池的TCO薄膜通常是由能量为10-20
108、eV的等离子体粒子在RPD过程中沉积的,而在磁控溅射PVD中可以观察到超过100eV的超高能量粒子,因此RPD技术制备的薄膜对衬底的损伤更小,具有更低的电阻率和更高的透光率。由于高密度的均匀等离子电场,沉积粒子能量可控,也能够产生更加均匀的薄膜,由RPD制备的ITO薄膜HJT电池效率比PVD方法制备的电池可提高0.5%左右,捷佳伟创RPD5500A设备能够在常规HJT的基础上为高效HJT带来保守0.6%以上的效率增益。2021年,隆基绿能一周内以25.82%和26.3%的转换效率连续打破HJT电池世界纪录,也是在捷佳伟创RPD设备助力下达成的(捷佳伟创公众号21年10月推送)。环境要求低,可大
109、面积扩产。环境要求低,可大面积扩产。RPD所需的外加电场和沉积温度都小于磁控溅射PVD,降低了生产条件和成本。通过将等离子枪并排放置,可以便捷的进行大面积衬底的沉积。住友重工制作了并排放置3个等离子枪的RPD镀膜装置,证明了底板宽度为1100mm的ITO大面积镀膜的可行性。镀膜温度150时,膜厚度约150nm,电阻率为1.510-6m以下。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3030/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 图图 38:RPD与磁控溅射与磁控溅射PVD粒子能量对比粒子能量对比 数据来源:新型 TCO 镀膜设备在光伏产业应用展望(精曜科技),广发
110、证券发展研究中心 住友重工持有住友重工持有RPD设备与设备与IWO靶材两项专利技术。靶材两项专利技术。RPD设备和IWO靶材是RPD技术的关键步骤,受制于住友重工,RPD设备成本和靶材原材料成本较高,设备产能也较低。捷佳伟创率先完成国内量产突围。捷佳伟创率先完成国内量产突围。在2018年获得日本住友授权后,捷佳沉心钻研,以量产技术为导向,在原有住友技术上开始二次开发,根据市场需求,开发不同适配机型,助力行业新技术研发与量产推广。目前量产设备RPD5500A已完成量产优化升级,助力客户满产运行,量产效率指标处于行业领先水平(捷佳伟创公众号21年10月推送)。PAR设备进一步助力降本提效。设备进一
111、步助力降本提效。捷佳结合PVD和RPD膜质特性,面向异质结电池工艺开发了新一代量产PAR系列产品,实现PVD、RPD二合一功能。PAR产品正面采用新型RPD,背面采用PVD,完美整合为一台设备与一套自动化,设备入光面TCO采用RPD技术制备,兼具高穿透的光学特性与优异的电性,背面TCO采用PVD制备,考虑电性为主。由于RPD为自下而上镀膜,如果要完成HJT电池两面TCO镀膜,需要翻片自动化设备或两台设备共同完成;二合一机PAR不需要翻片自动化设备,可节省占地面积50%以上,提效与低成本兼具,性价比极高。图图 39:RPD与与PAR装置进行装置进行HJT电池电池TCO镀膜示意图镀膜示意图 数据来
112、源:常规 HJT 迈向高效 HJT 的关键装备 RPD(捷佳伟创),广发证券发展研究中心 国产靶材进步良好,无铟薄膜降本潜力大。国产靶材进步良好,无铟薄膜降本潜力大。多家国产优秀的靶材供应商,如壹纳,研创,众诚达等,已经可以实现进口替代,单片电池的靶材成本已可与PVD持平。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3131/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 在无铟HJT电池方面,根据隆基官网的新闻(22年12月),2021年隆基绿能研发团队利用储量丰富、价格便宜且安全环保的薄膜材料,取代了传统的铟基透明导电膜,实现了超过26%的转换效率,再一次体现了HJT电池
113、工艺在技术改进和降本方面的潜力。高效无铟HJT电池的成功研发,能有效摆脱大规模量产对铟资源的依赖,缓解业界对铟储量不足的担忧,为HJT电池迈向太瓦级规模量产提供了可行的解决方案。(三三)HJT 扩产进行时,扩产进行时,降本提效继续降本提效继续 HJT扩产依旧,进入降本增效关键期扩产依旧,进入降本增效关键期。根据PVInfolink的统计,截止22年底,HJT落地产能达到13GW,订单维度约30GW,主要扩产厂商包括华晟新能源、金刚光伏、东方日升等;在HJT较大的降本增效潜力下,预计行业外、行业内玩家将继续保持投入,23年大规模投入的厂商预计有华晟新能源、三五互联、明阳智能、华润电力、国晟新能源
114、,我们估计订单端的HJT产能落地将至少30GW。表表 9:近年:近年HJT电池扩产规划电池扩产规划情况情况(截至(截至2023年年2月)月)企业企业 投产(在建)产能投产(在建)产能 规划产能规划产能 REC 新加坡 1GW,印度 4.8GW 阿特斯 250MW 爱康科技 820MW 1,2GW 签约,10GW 规划 宝馨科技 600MW 东方日升 250MW;金坛+宁海 7GW 在建 国晟新能源 500MW 规划 5GW 国电投 600MW 5GW 签约(国家电投&钜能电力)+5GW 签约(国家电投&金石能源)海源复材 600MW 华晟 2.5GW 投产+9.6GW 在建 宣城、无锡、大理等
115、规划约 12GW 华润电力 1800MW 规划 8GW 淮宁新能 1000MW 降基乐叶 1400MW 金刚玻璃 1.2GW 投产,酒泉 4.8GW 在建 晋能科技 200MW 1GW 规划 晶澳 500MW 规划 2GW 钧石能源 700MW 10GW 签约 明阳智能 1200GW 规划 5GW 润海 3000MW 润阳 规划 5GW 三五互联 1200MW+2000MW 规划 8GW 通威股份 金堂 1GW,合肥 200MW 中建材中建材 2000MW 神科太阳能 2GW 签约 开盛新能源 500MW 设备定标 嘉寓股份 2GW 通过环评 斯坦得 1GW 签约 识别风险,发现价值 请务必阅
116、读末页的免责声明 3232/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 腾晖光伏 1GW 5GW 电池+5GW 组件 晶飞光伏 200MW 规划+5GW 规划+1GW 开工 联合可再生能源 100MW 苏州潞能 1GW 开工 海泰新能源 5GW 签约 山媒国际 10GW 环评通过(一期 3GW 在建)晋锐能源 5GW 开工 比太科技 5GW 洽谈+1GW 备案+2GW 签约 彩虹集团 2GW 签约 厦门神科 2GW 签约 唐正能源 500MW 签约 国立科技 3GW MeyerBurger 2.4GW 1GW 计划 宝峰时尚 500MW 山东水发集团 1GW 正业科技 8G
117、W 签约 上澎 35MW 奥维通信 5GW 签约 VSUN 2GW 数据来源:全球光伏公众号,广发证券发展研究中心 注:不完全统计。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3333/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 四四、钙钛矿钙钛矿产品线:产品线:具备整线能力的龙头厂商具备整线能力的龙头厂商 钙钛矿产业化进展加速,国内企业争相布局。钙钛矿产业化进展加速,国内企业争相布局。根据各家官网以及公众号的披露,纤纳光电已实现首批组件发货,这也是全球首款钙钛矿量产商用组件;仁烁光能建设的全球首条全钙钛矿叠层光伏组件研发线正式投产;协鑫100MW钙钛矿生产线开始试生产;
118、无限光能启动10MW级中试线建设,预计2024年建成100MW级商业化量产线;极电光能150MW钙钛矿光伏生产线正式投产运行;脉络能源在广东佛山建成并运行一条中试线,正在进行100MW大面积钙钛矿光伏组件生产线设计,并计划在年底完成生产线建设;万度光电总投资高达60亿元的钙钛矿太阳能电池项目已正式落地。该项目共分为两期,第一期建设一条200MW级可印刷介观钙钛矿太阳能电池大试线,顺利量产后,计划扩充至10GW。表表 10:部分企业钙钛矿电池产业化进展(截至:部分企业钙钛矿电池产业化进展(截至2023年年2月)月)企业名称企业名称 产业化进展产业化进展 仁烁光能 2023年2月16日,仁烁光能建
119、设的全球首条全钙钛矿叠层光伏组件研发线正式投产,组件尺寸30*40c,目前10MW研发中试线已全线跑通。纤纳光电 2022年7月28日,首批组件发货,此次发货数量为5000片,用于省内工商业分布式钙钛矿电站,是全球首款钙钛矿量产商用组件。万度光电 2021年6月,其总投资高达60亿元的钙钛矿太阳能电池项目正式落地。该项目共分为两期,第一期建设一条 200MW 级可印刷介观钙钛矿太阳能电池大试线,顺利量产后,万度光能计划扩充至10GW。协鑫光电 2021年,昆山协鑫100MW钙钛矿生产线开始试生产,1m2m组件已经下线测试,光电转换效率提高至18%。无限光能 2022年6月完成数千万元天使轮融资
120、,融资将主要用于大尺寸钙钛矿太阳能电池组件试验线的建设、扩充研发及量产技术团队。将启动10MW级中试线建设,进一步优化工艺参数,建立标准化操作流程,培养工艺技术人员,预备2024年建成100MW级商业化量产线。极电光能 2022年12月8日,极电光能150MW钙钛矿光伏生产线正式投产运行,根据计划,该产线将陆续向市场推出发电石材、透明发电幕墙、光伏屋瓦等全系列高性能钙钛矿BIPV产品和钙钛矿标准光伏组件产品,达产后年产值可达3亿元。脉络能源 2022年11月完成数千万元的天使轮融资,在广东佛山建成并运行一条中试线。公司正在进行100MW大面积钙钛矿光伏组件生产线设计,并计划在年底完成生产线建设
121、。数据来源:各公司公众号,广发证券发展研究中心 2022年6月10日捷佳伟创在投资者互动平台表示,RPD设备即将发货到客户端钙钛矿中试线上。公司钙钛矿整线设备的研发正按照计划推进。RPD设备制备薄膜,对钙钛矿层轰击较小,预计该设备将用于第二电荷传输层的制备。提前布局钙钛矿设备,厚积薄发谋发展。提前布局钙钛矿设备,厚积薄发谋发展。根据捷佳伟创公众号22年7月10日的推送,公司的“立式反应式等离子体镀膜设备”(RPD)通过厂内验收,该设备是用于钙钛矿太阳能电池生产的关键量产设备,即将发运给客户投入生产;根据捷佳伟创公众号23年2月22日的推送,公司在大尺寸钙钛矿、全钙钛矿叠层、HJT/TOPCon
122、叠层钙钛矿领域的设备销售持续放量,设备种类涵盖RPD、PVD、PAR、CVD、蒸发镀膜及精密狭缝涂布、晶硅叠层印刷等,已向十多家光伏头部企业和行业新兴企业及研究机构提供钙钛矿装备及服务,订单金额超过2亿元人民币。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3434/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 表表 11:近年捷佳伟创钙钛矿进展:近年捷佳伟创钙钛矿进展 时间时间 进展进展 2023.2.22 从 2022 年下半年至今,捷佳伟创依托全面强大的真空镀膜技术与多年沉淀的精密设备设计能力,已向十多家光伏头部企业和行业新兴企业及研究机构提供钙钛矿装备及服务,订单金额
123、超过 2 亿元人民币。公司在大尺寸钙钛矿、全钙钛矿叠层、HJT/TOPCon 叠层钙钛矿领域的设备销售持续放量,设备种类涵盖 RPD、PVD、PAR、CVD、蒸发镀膜及精密狭缝涂布、晶硅叠层印刷等。2022.10.16 在获得某央企研究院的钙钛矿低温低损薄膜真空沉积设备订单,以及某国家科学院的反应式等离子镀膜设备订单后,捷佳伟创自主研发的钙钛矿共蒸法真空镀膜设备也顺利的再次取得订单,公司成功中标了某全球头部光伏企业的钙钛矿电池蒸镀设备项目 2022.7.27 RPD 镀膜设备再次中标某领先公司的钙钛矿电池量产线镀膜设备订单,是捷佳伟创面向钙钛矿电池持续研发的系列核心装备之一。2022.7.10
124、 钙钛矿太阳能电池生产的关键量产设备“立式反应式等离子体镀膜设备”(RPD)通过厂内验收,将发运给客户投入生产。填补了国产设备在这一领域中的空白,为新时代的光伏技术提供了更可靠的装备保证。数据来源:捷佳伟创公众号,广发证券发展研究中心 图图 40:公司钙钛矿关键量产设备“立式反应式等离子体镀膜设备”(:公司钙钛矿关键量产设备“立式反应式等离子体镀膜设备”(RPD)数据来源:捷佳伟创公众号,广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3535/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 五五、半导体产品线:清洗设备渐有收获,、半导体产品线:清洗设备渐有
125、收获,有望成为新成有望成为新成长曲线长曲线 半导体清洗设备市场前景好,规模增速快。半导体清洗设备市场前景好,规模增速快。根据Gartner的数据,2018年全球半导体清洗设备市场规模为34.17亿美元,2019年和2020年受全球半导体行业景气度下行的影响,有所下降,分别为30.49亿美元和25.39亿美元,预计2021年随着全球半导体行业复苏,全球半导体清洗设备市场将呈逐年增长的趋势,2024年预计全球半导体清洗设备行业将达到31.93亿美元。图图 41:全球半导体清洗设备市场规模:全球半导体清洗设备市场规模(亿美元)(亿美元)数据来源:Gartner,盛美上海招股书,广发证券发展研究中心
126、半导体清洗设备市场集中度高,国外厂商占据主导地位。半导体清洗设备市场集中度高,国外厂商占据主导地位。在全球清洗设备市场,日本公司占据主导地位,DNS占据40%以上的市场份额,TEL、SEMES、拉姆研究等也在行业占据了较高的市场份额,市场集中度较高。国内市场中,DNS和TEL仍然占据较大市场份额,盛美、北方华创则分别占据了10%和5%左右的市场份额,一定程度上打破了进口垄断,开启国产替代。图图 42:2020年全球半导体清洗设备市场份额年全球半导体清洗设备市场份额 图图 43:2020年中国半导体清洗设备市场份额年中国半导体清洗设备市场份额 数据来源:Gartner,广发证券发展研究中心 数据
127、来源:MIR Databank,广发证券发展研究中心 加大集成电路湿法设备研发力度,实现从光伏到半导体领域的突破。加大集成电路湿法设备研发力度,实现从光伏到半导体领域的突破。公司的子公司捷佳创精密机械于2019年成立了半导体湿法工艺研究室,2020年投资成立创微微电子,专门从事集成电路湿法清洗工艺设备的研发、生产和销售,主要产品有4到12吋批式及单晶圆刻蚀清洗湿法工艺设备,应用范围涵盖了MicroLED、第三代化合物、-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%05540200212022E2023E2024E全球半导体清洗设备市场规模YOY(
128、右轴)迪恩士(DNS),45.1%东京电子(TEL),25.3%韩国SEMES,14.8%拉姆研究,12.5盛美等其他,2.3%DNS,40.8%TEL,19.4%盛美,10.9%拉姆研究,9.5%北方华创,5.7%其他,13.7%识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3636/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 微机电、后端封装及集成电路IDM和代工大厂所需的湿法工艺需求,满足近90%湿法工艺步骤,包含有光刻胶去除、氧化膜刻蚀、金属膜刻蚀、氮化硅刻蚀、炉管前清洗等。于2021年先后成功交付Cassette和Cassette less类型集成电路全自动槽式湿
129、法清洗设备,2022年8吋Cassette-less清洗设备顺利交付至上海积塔半导体有限公司并开始验证阶段,还中标后续10余台清洗设备重复订单,制程涵盖8吋至12吋,还成功导入青岛芯恩、成都德州仪器等芯片头部企业,实现了公司从光伏装备设计及制造往泛半导体及半导体行业的拓展。表表 12:半导体清洗设备行业各公司产品应用和主要客户情况:半导体清洗设备行业各公司产品应用和主要客户情况 行业公司行业公司 主要产品主要产品 应用领域应用领域 主要客户主要客户 日本迪恩士(DNS)前道领域用单片式物理清洗设备、单片式化学清洗设备及槽式化学清洗设备 产品系列较为完整,可用于集成电路制造领域 7nm 及以上工
130、艺节点的单片式物理清洗、单片化学清洗及槽式化学清洗(含高温化学品工艺)等领域 全球各大半导体厂商 日本东京电子(TEL)前道领域用单片式物理清洗设备、单片式化学清洗设备及槽式化学清洗设备 产品系列较为完整,可用于集成电路制造领域 14nm 及以上工艺节点的单片式物理清洗、单片化学清洗及槽式化学清洗(含高温化学品工艺)等领域 全球各大半导体厂商 盛美半导体 前道领域用单片式化学清洗设备后道领域用涂胶显影设备及单片式湿法设备(单片式物理清洗设备、湿法刻蚀设备、去胶设备)产品可用于集成电路制造领域 40nm 及以上工艺节点的单片式化学清洗领域(不含高温化学工艺)海力士、中芯国际、华虹集团、合肥长鑫等
131、国内外一流的客户 北方华创 前道领域用单片式化学清洗设备后道领域用单片式化学清洗设备及槽式清洗设备 产品可用于集成电路制造领域 28nm 及以上工艺节点的单片式化学清洗(不含高温化学工艺)、集成电路后道先进封装、MEMS 等领域 完成对 Akrion 的收购。该公司在半导体湿法清洗技术领域拥有多年的技术积累和客户基础,全球范围内有千余台设备应用在各类用户生产现场,每年活跃客户数量数十家 芯源微 前道 SCRUBBER 清洗机、单片式化学清洗设备 目前产品用于集成电路制造领域 0.13um及以上工艺节点的单片式物理清洗领域,以及后道先进封装 Bumping 工艺、MEMS、LED、OLED 等领
132、域 在中芯国际、上海华力、厦门士兰集科等多个客户处通过工艺验证,并获得国内多家 Fab 厂商的批量重复订单 至纯科技 湿法槽式清洗设备及湿法单片式清洗设备 提供 8-12 吋晶圆制造 28nm 节点全部湿法工艺、覆盖 90-7nm 不同制的去胶清洗、离子注入后清洗、有机物清洗、金属清洗等 已切入中芯国际、华虹集团、长鑫存储、华为、华润、燕东、台湾力晶等下游领先企业 捷佳伟创 槽式和单片式晶圆湿法清洗设备 自主开发了 6 吋、8 吋、12 吋湿法刻蚀清洗设备,包括有篮和无篮的槽式设备及单片设备,涵盖多种前道湿法工艺 已成功导入青岛芯恩、成都德州仪器、上海积塔等国内头部芯片企业并获得重复性订单 数
133、据来源:芯源微招股书,盛美上海招股书,至纯科技 2022 年半年报,捷佳伟创公众号,广发证券发展研究中心 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3737/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 六六、盈利预测和投资建议、盈利预测和投资建议 捷佳伟创专注于晶体硅太阳能电池生产设备的技术与工艺研发,借高性价比优势迅速占领市场,并得到了用户的充分肯定和国内外同行的认可,在PERC、TOPCon、HJT等技术路线上进行了全面布局,并且推出了具有优势的差异化设备产品。近年以TOPCon、HJT、XBC为代表的高效电池新技术不断成熟,行业已经迎来新一轮的扩产高峰,而公司作为
134、光伏设备领域的领先公司将明显受益。结合前文所述的行业发展情况以及对公司的新签订单以及在手订单情况,预计公司近年将维持高速增长。对公司的具体预测如下:(1)工艺设备:)工艺设备:包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要设备,结合光伏行业发展的情况以及公司在光伏设备行业的较强竞争力,预测该业务2022至2024年的增速为17%/80%/80%,随着新技术、新产品的占比不断上升,预计未来3年毛利率有所上升,2022至2024年毛利率分别为25.5%/27.0%/26.5%。(2)自动化配套设备:)自动化配套设备:与
135、晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要设备相配套的自动化设备,预测该业务2022至2024年的增速为17%/80%/80%,随着产品的成熟、规模上升以及原材料价格的下降,预计22年将有所回升,之后保持稳定,故预计2022至2024年毛利率分别为20.0%/20.0%/20.0%。(3)配件:)配件:主要为和主要设备想配套的一些零部件,预测该业务2022至2024年的增速为10%/50%/50%,同期毛利率分别为40.0%40.0%/40.0%。表表 13:公司分业务收入和毛利预测:公司分业务收入和毛利预测 单位:百万元单位:百万元 2020 2021 2022E 2023E 2024E 营业收入
136、营业收入 4,044 5,047 5,894 10,554 18,916 YOY 60.0%24.8%16.8%79.1%79.2%营业成本营业成本 2,976 3,806 4,408 7,770 14,016 毛利率毛利率 26.4%24.6%25.2%26.4%25.9%归母净利润归母净利润 523 717 1,053 1,762 3,184 YOY 36.9%37.2%46.8%67.4%80.7%净利率净利率 12.7%14.1%17.8%16.7%16.8%工艺设备工艺设备 营业收入营业收入 3,425.42 4,200.12 4,914.14 8,845.45 15,921.80
137、YOY 59%23%17%80%80%营业成本营业成本 2540.17 3098.74 3661.03 6457.18 11702.52 毛利毛利 885.25 1,101.38 1253.10 2388.27 4219.28 毛利率毛利率 25.8%26.2%25.5%27.0%26.5%占收入比重占收入比重 85%83%83%84%84%自动化配套设备自动化配套设备 营业收入营业收入 471.29 682.17 798.14 1,436.65 2,585.97 YOY 66%45%17%80%80%识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3838/4242 Table_PageTex
138、t 捷佳伟创|公司深度研究 营业成本营业成本 368.36 618.16 638.51 1149.32 2068.78 毛利毛利 102.94 64.01 159.63 287.33 517.19 毛利率毛利率 22%9%20%20%20%占收入比重占收入比重 12%14%14%14%14%配件配件 营业收入营业收入 147.53 164.92 181.41 272.12 408.18 YOY 58%12%10%50%50%营业成本营业成本 67.03 88.87 108.85 163.27 244.91 毛利毛利 80.51 76.05 72.57 108.85 163.27 毛利率毛利率
139、55%46%40%40%40%占收入比重占收入比重 4%3%3%3%2%数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 捷佳伟创深耕光伏行业,在PERC、TOPCon、HJT等技术路线上进行了全面布局,并且推出了具有优势的差异化设备产品,在光伏电池片设备领域具有较强的竞争力,因此我们选择了专用设备行业的龙头公司先导智能以及光伏设备行业中的龙头公司迈为股份、晶盛机电、帝尔激光作为可比,具体如下:(1)迈为股份:)迈为股份:丝网印刷龙头,市占率高,新进入电池片设备领域,在异质结电池技术领域处于领先地位。(2)晶盛机电:)晶盛机电:主营业务为光伏设备和半导体设备领域,在单晶炉领域市占率领先,新开拓碳化硅业
140、务,未来有望完成设备厂商向制造厂商的转变。(3)奥特维:)奥特维:组件设备龙头公司,在国内外具备较强的竞争力,在串焊机领域市占率领先,在单晶炉、退火炉、键合机等领域逐步有突破,已经成为平台化公司。(4)帝尔激光:)帝尔激光:光伏领域的激光设备龙头,在激光SE、激光刻槽、激光转印、光注入设备等领域处于领先地位,是为数不多的存在单位价值量升高逻辑的公司。我们预计捷佳伟创2022-2024年EPS为3.02/5.06/9.14元/股,参考可比公司的估值水平,考虑下游扩产的确定性较高以及公司在核心设备的突破,公司将迎来收入快速增长的阶段,故我们给予23年30倍的PE估值,对应合理价值151.83元/股
141、,继续维持“买入”评级。表表 14:捷佳伟创捷佳伟创可比公司可比公司PE估值情况(市值统计截止估值情况(市值统计截止2023.4.6收盘)收盘)公司名称 公司代码 业务类型 市值(亿元)归母净利润(百万元)PE 估值水平 2021A 2022E 2023E 2021A 2022E 2023E 迈为股份 300751.SZ 光伏设备 522.15 643 868 1182 108.01 60.16 44.17 晶盛机电 300316.SZ 光伏设备、半导体设备 906.94 1712 2742 4001 52.23 33.08 22.67 奥特维 688516.SH 光伏设备 273.41 37
142、1 678 908 65.40 40.33 30.11 帝尔激光 300776.SZ 光伏设备 186.70 381 508 740 71.37 36.75 25.23 平均平均 74.25 42.58 30.55 数据来源:Wind,广发证券发展研究中心 注:盈利预测均来自广发证券。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3939/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 七七、风险提示、风险提示(一)(一)产生坏账产生坏账的风险的风险 新的TOPCon扩产周期中,二三线厂商以及跨界玩家显著增多,与行业内龙头相比,二三线尤其是众多跨界玩家的技术、运营、销售、资金等
143、方面均不占优势,如果新扩产能的盈利不及预期,则可能产生坏账,对公司的报表产生拖累。(二二)技术进步不确定技术进步不确定的风险的风险 目前,行业内存在TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿等多种技术路线,在TOPCon内部又存在PE-Ploy、LPCVD、POPAID等多种技术路线,在HJT内部存在PECVD、立式/卧式CAT-CVD、PVD、RPD等多种技术路线,由于公司在不同技术路线、不同设备领域的竞争力有所不同,因此技术进步会对公司的竞争力产生一定的影响。(三三)行业竞争加剧的风险)行业竞争加剧的风险 之前的光伏设备市场规模较小,具体到每个细分领域也就十几亿到几十亿的规模,对行业外厂商的吸引
144、力并不大。随着设备规模的逐步扩大,行业内已有的设备厂商开始逐步向设备的上下游环节扩张,同时也可能吸引更多的设备厂商进入,尤其是半导体设备厂商,随着厂商的增多和竞争的逐渐加剧,对设备厂商的利润和市占率可能构成负面影响。(四四)下游需求波动的风险)下游需求波动的风险 新能源行业退补之后,政策对行业的影响与之前相比大为减小,政策风险明显减小。但是下游光伏电站属于资本性投入,受宏观经济、利率环境等因素影响,如果面临非常不利的宏观经济环境,可能会对下游的需求造成比较大的负面影响。(五五)贸易摩擦的风险)贸易摩擦的风险 随着我国新能源行业逐渐摆脱对补贴的依赖以及我国企业在海外的布局,个别国家可能会出于保护
145、本国企业而推出较为不利的贸易政策。识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 4040/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 资产负债表资产负债表 单位:百万元单位:百万元 现金流量表现金流量表 单位:百万元单位:百万元 至至 12 月月 31 日日 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 至至 12 月月 31 日日 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 流动资产流动资产 8,693 11,652 14,308 21,505 35,951 经营活动现金流经营活动现金流 334 1,349 843 720 1,374 货币资
146、金 1,548 3,991 4,778 5,389 6,640 净利润 512 714 1,051 1,759 3,178 应收及预付 2,565 2,906 3,566 6,226 11,301 折旧摊销 32 42 46 53 61 存货 3,823 4,033 5,167 8,671 16,035 营运资金变动-391 451-276-1,123-1,896 其他流动资产 758 723 796 1,220 1,974 其它 180 142 22 31 32 非流动资产非流动资产 591 1,131 1,205 1,293 1,392 投资活动现金流投资活动现金流-78-571-91-1
147、08-122 长期股权投资 85 77 77 77 77 资本支出-167-239-121-140-159 固定资产 251 330 349 373 399 投资变动 86-348 0 0 0 在建工程 39 47 57 67 77 其他 4 15 29 32 38 无形资产 29 155 200 254 317 筹资活动现金流筹资活动现金流 122 2,241 36-2-2 其他长期资产 186 522 522 522 522 银行借款 241 14 37 0 0 资产总计资产总计 9,283 12,783 15,513 22,798 37,343 股权融资 31 2,521 0 0 0 流
148、动负债流动负债 6,208 6,538 8,217 13,744 25,111 其他-149-294-1-2-2 短期借款 194 13 50 50 50 现金净增加额现金净增加额 362 3,008 788 610 1,251 应付及预收 2,066 2,250 2,834 4,794 8,829 期初现金余额期初现金余额 501 864 3,991 4,778 5,389 其他流动负债 3,948 4,275 5,334 8,899 16,232 期末现金余额期末现金余额 864 3,872 4,778 5,389 6,640 非流动负债非流动负债 41 41 41 41 41 长期借款
149、0 0 0 0 0 应付债券 0 0 0 0 0 其他非流动负债 41 41 41 41 41 负债合计负债合计 6,248 6,579 8,258 13,785 25,152 股本 321 348 348 348 348 资本公积 1,188 3,663 3,663 3,663 3,663 主要财务比率主要财务比率 留存收益 1,553 2,207 3,260 5,023 8,207 至至 12 月月 31 日日 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 归属母公司股东权益 3,036 6,202 7,256 9,018 12,202 成长能力成长能力 少数股东权益-1 1
150、-1-4-11 营业收入增长 60.0%24.8%16.8%79.1%79.2%负债和股东权益负债和股东权益 9,283 12,783 15,513 22,798 37,343 营业利润增长 35.8%40.7%46.3%67.3%80.6%归母净利润增长 36.9%37.2%46.8%67.4%80.7%获利能力获利能力 利润表利润表 单位单位:百万元百万元 毛利率 26.4%24.6%25.2%26.4%25.9%至至 12 月月 31 日日 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 净利率 12.7%14.1%17.8%16.7%16.8%营业收入营业收入 4,044
151、5,047 5,894 10,554 18,916 ROE 17.2%11.6%14.5%19.5%26.1%营业成本 2,976 3,806 4,408 7,770 14,016 ROIC 18.7%11.4%10.8%17.5%23.3%营业税金及附加 22 21 27 47 85 偿债能力偿债能力 销售费用 81 71 136 211 359 资产负债率 67.3%51.5%53.2%60.5%67.4%管理费用 86 102 106 158 246 净负债比率 205.9%106.1%113.8%152.9%206.3%研发费用 191 238 324 559 965 流动比率 1.4
152、0 1.78 1.74 1.56 1.43 财务费用 52-7-264-74-88 速动比率 0.71 1.08 1.03 0.85 0.71 资产减值损失-33-64-50-62-69 营运能力营运能力 公允价值变动收益 0 2 0 0 0 总资产周转率 0.44 0.39 0.38 0.46 0.51 投资净收益-42-13 29 32 38 应收账款周转率 4.04 3.81 3.92 3.87 3.90 营业利润营业利润 581 817 1,195 2,000 3,612 存货周转率 1.06 1.25 1.14 1.22 1.18 营业外收支 2-1-1-1-1 每股指标(元)每股指
153、标(元)利润总额利润总额 583 816 1,194 1,999 3,611 每股收益 1.63 2.06 3.02 5.06 9.14 所得税 71 103 143 240 433 每股经营现金流 1.04 3.87 2.42 2.07 3.95 净利润净利润 512 714 1,051 1,759 3,178 每股净资产 9.45 17.81 20.84 25.90 35.04 少数股东损益-11-4-2-4-6 估值比率估值比率 归属母公司净利润归属母公司净利润 523 717 1,053 1,762 3,184 P/E 89.42 55.49 39.04 23.33 12.91 EBI
154、TDA 722 851 939 1,861 3,305 P/B 15.40 6.42 5.67 4.56 3.37 EPS(元)1.63 2.06 3.02 5.06 9.14 EV/EBITDA 62.93 42.08 38.77 19.23 10.45 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 4141/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 广发机械行业研究小组广发机械行业研究小组 代 川:首席分析师,中山大学数量经济学硕士,2015 年加入广发证券发展研究中心。孙 柏 阳:联席首席分析师,南京大学金融工程硕士,2018 年加入广发证券发展研究中心。朱 宇 航
155、:资深分析师,上海交通大学机械电子工程硕士,2020 年加入广发证券发展研究中心。范 方 舟:高级分析师,中国人民大学国际商务硕士,2021 年加入广发证券发展研究中心。汪 家 豪:高级分析师,美国约翰霍普金斯大学金融学硕士,2022 年加入广发证券发展研究中心。王 宁:高级研究员,北京大学金融硕士,2021 年加入广发证券发展研究中心。石 城 :高级研究员,上海交通大学船舶与海洋工程硕士,2022 年加入广发证券发展研究中心。蒲 明 琪:研究员,纽约大学计量金融硕士,2022 年加入广发证券发展研究中心。姚 佳:研究员,北京大学环境科学硕士,2022 年加入广发证券发展研究中心。广发证券广发
156、证券行业投资评级说明行业投资评级说明 买入:预期未来12 个月内,股价表现强于大盘10%以上。持有:预期未来12 个月内,股价相对大盘的变动幅度介于-10%+10%。卖出:预期未来12 个月内,股价表现弱于大盘10%以上。广发证券广发证券公司投资评级说明公司投资评级说明 买入:预期未来12 个月内,股价表现强于大盘15%以上。增持:预期未来12 个月内,股价表现强于大盘5%-15%。持有:预期未来12 个月内,股价相对大盘的变动幅度介于-5%+5%。卖出:预期未来12 个月内,股价表现弱于大盘5%以上。联系我们联系我们 广州市 深圳市 北京市 上海市 香港 地址 广州市天河区马场路26 号广发
157、证券大厦47 楼 深圳市福田区益田路6001 号太平金融大厦 31 层 北京市西城区月坛北街 2 号月坛大厦 18层 上海市浦东新区南泉北路 429 号泰康保险大厦 37 楼 香港德辅道中 189 号李宝椿大厦 29 及 30楼 邮政编码 510627 518026 100045 200120-客服邮箱 法律主体法律主体声明声明 本报告由广发证券股份有限公司或其关联机构制作,广发证券股份有限公司及其关联机构以下统称为“广发证券”。本报告的分销依据不同国家、地区的法律、法规和监管要求由广发证券于该国家或地区的具有相关合法合规经营资质的子公司/经营机构完成。广发证券股份有限公司具备中国证监会批复的
158、证券投资咨询业务资格,接受中国证监会监管,负责本报告于中国(港澳台地区除外)的分销。广发证券(香港)经纪有限公司具备香港证监会批复的就证券提供意见(4 号牌照)的牌照,接受香港证监会监管,负责本报告于中国香港地区的分销。本报告署名研究人员所持中国证券业协会注册分析师资质信息和香港证监会批复的牌照信息已于署名研究人员姓名处披露。重要重要声明声明 投资对不依据内 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 4242/4242 Table_PageText 捷佳伟创|公司深度研究 广发证券股份有限公司及其关联机构可能与本报告中提及的公司寻求或正在建立业务关系,因此,投资者应当考虑广发证券股份有限公
159、司及其关联机构因可能存在的潜在利益冲突而对本报告的独立性产生影响。投资者不应仅依据本报告内容作出任何投资决策。投资者应自主作出投资决策并自行承担投资风险,任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或者口头承诺均为无效。本报告署名研究人员、联系人(以下均简称“研究人员”)针对本报告中相关公司或证券的研究分析内容,在此声明:(1)本报告的全部分析结论、研究观点均精确反映研究人员于本报告发出当日的关于相关公司或证券的所有个人观点,并不代表广发证券的立场;(2)研究人员的部分或全部的报酬无论在过去、现在还是将来均不会与本报告所述特定分析结论、研究观点具有直接或间接的联系。研究人员制作本报告的
160、报酬标准依据研究质量、客户评价、工作量等多种因素确定,其影响因素亦包括广发证券的整体经营收入,该等经营收入部分来源于广发证券的投资银行类业务。本报告仅面向经广发证券授权使用的客户/特定合作机构发送,不对外公开发布,只有接收人才可以使用,且对于接收人而言具有保密义务。广发证券并不因相关人员通过其他途径收到或阅读本报告而视其为广发证券的客户。在特定国家或地区传播或者发布本报告可能违反当地法律,广发证券并未采取任何行动以允许于该等国家或地区传播或者分销本报告。本报告所提及证券可能不被允许在某些国家或地区内出售。请注意,投资涉及风险,证券价格可能会波动,因此投资回报可能会有所变化,过去的业绩并不保证未
161、来的表现。本报告的内容、观点或建议并未考虑任何个别客户的具体投资目标、财务状况和特殊需求,不应被视为对特定客户关于特定证券或金融工具的投资建议。本报告发送给某客户是基于该客户被认为有能力独立评估投资风险、独立行使投资决策并独立承担相应风险。本报告所载资料的来源及观点的出处皆被广发证券认为可靠,但广发证券不对其准确性、完整性做出任何保证。报告内容仅供参考,报告中的信息或所表达观点不构成所涉证券买卖的出价或询价。广发证券不对因使用本报告的内容而引致的损失承担任何责任,除非法律法规有明确规定。客户不应以本报告取代其独立判断或仅根据本报告做出决策,如有需要,应先咨询专业意见。广发证券可发出其它与本报告
162、所载信息不一致及有不同结论的报告。本报告反映研究人员的不同观点、见解及分析方法,并不代表广发证券的立场。广发证券的销售人员、交易员或其他专业人士可能以书面或口头形式,向其客户或自营交易部门提供与本报告观点相反的市场评论或交易策略,广发证券的自营交易部门亦可能会有与本报告观点不一致,甚至相反的投资策略。报告所载资料、意见及推测仅反映研究人员于发出本报告当日的判断,可随时更改且无需另行通告。广发证券或其证券研究报告业务的相关董事、高级职员、分析师和员工可能拥有本报告所提及证券的权益。在阅读本报告时,收件人应了解相关的权益披露(若有)。本研究报告可能包括和/或描述/呈列期货合约价格的事实历史信息(“信息”)。请注意此信息仅供用作组成我们的研究方法/分析中的部分论点/依据/证据,以支持我们对所述相关行业/公司的观点的结论。在任何情况下,它并不(明示或暗示)与香港证监会第5 类受规管活动(就期货合约提供意见)有关联或构成此活动。权益披露权益披露(1)广发证券(香港)跟本研究报告所述公司在过去12 个月内并没有任何投资银行业务的关系。版权声明版权声明 未经广发证券事先书面许可,任何机构或个人不得以任何形式翻版、复制、刊登、转载和引用,否则由此造成的一切不良后果及法律责任由私自翻版、复制、刊登、转载和引用者承担。系因此者应当考虑存潜利益冲突而独性产生影响仅容