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SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅的 4-5 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍。核心优势体现在:1) 耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;2) 耐高频特性:SiC 器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是 Si 的 3-10 倍),适用于更高频率和更快的开关速度;3) 耐高温特性:SiC 相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。