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1、定增接连落地稳步推进扩产能,扩大竞争优势。2020 年公司资本开支迅速增长,达到6.683 亿元,同增 290.5%,主要系公司发力高端设备,扩产项目持续推进所致。2019 年公司定增募集资金 20 亿元加码高端装备研发及高精密电子元器件扩产,其中 17.8 亿元投向“高端集成电路装备研发及产业化项目”,目标所指先进工艺关键集成电路装备的研发和产业化,2020 年,高精密电子元器件产业化基地扩产项目厂房建设完成,并交付使用。高端集成电路装备研发及产业化项目各项工作有序进行,集成电路装备创新中心楼主体结构完成封顶,将于 2021 年竣工并交付使用。2021 年,公司计划通过非公开发行方式再募资
2、85 亿元投入“半导体装备产业化基地扩产项目(四期)”、“高端半导体装备研发项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目(三期)”的建设,进一步提升现有高端集成电路设备的产业化能力,巩固主营业务的竞争优势,非公开发行项目已获得中国证监会受理。刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀:用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使
3、用,在 3um 以后由于线宽控制、刻蚀方向性的局限,主要用干法刻蚀。目前,湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀:常用等离子体刻蚀,也称等离子体刻蚀,即把衬底暴露于气态中产生的等离子,与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。刻蚀主要参数:刻蚀速率、均匀性、选择比(对不同材料的刻蚀速率比)、刻蚀坡面(各向异性、各向同性)应用最广泛的刻蚀设备是 ICP 与 CCP,技术发展方向是原子层刻蚀(ALE)。电容性等离子体刻蚀 CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及 3D 闪存芯片工艺(
4、氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀 ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(StrainedSi)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。ALE:技术发展方向,能精确刻蚀到原子层(约 0.4nm),具有超高刻蚀选择率。应用广泛。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是 EUV,波长为 13.5nm,要实现 7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。