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1、分析师:陈杭登记编号:S08联系人:胡园园证 券 研 究 报 告2022 年 4月 21 日【方正电子 公司深度报告】拓荆科技(688072)国产薄膜沉积设备产业化先锋布局PECVD+ALD+SACVD投资要点 PECVD+SACVD+ALD,国产薄膜沉积产业化先锋。公司核心团队具备诺发/爱思强/Intel等大厂技术背景,为多项PECVD/ALD/SACVD国家专项牵头人。大基金/中微/国投等资本支持下,公司是国内唯一一家产业化应用PECVD、SACVD设备的厂商,具备不可替代性。 客户覆盖核心晶圆厂,持续受益扩产成就规模化成长。2022年往后看,内资晶圆厂12吋潜在扩产
2、产能至少155万片/月,支撑3-4年高景气扩产周期。公司客户中芯国际/长存/华虹/晶合/粤芯/长鑫,覆盖下游核心晶圆厂,未来将持续受益下游扩产实现高速规模化成长。 贸易争端威胁供应链安全,国产替代势在必行。全球半导体设备市场呈现日、欧、美供应商垄断态势,中国大陆半导体设备综合自给率很低。大国博弈背景下,保证产业供应链安全迫在眉睫;国产化下国内设备厂商厚积薄发,高速放量。、集微咨询、拓荆科技招股书、方正证券研究所整理2 盈利预测:我们预计公司2022-2024年营业收入分别为12.4/18.9/26.3亿元,归母净利润分别为1.3/2.3/3.7亿元,首次覆盖,给予“推荐”评级。 风险提示:(1
3、)下游晶圆厂扩产不及预期;(2)产业研发与产业化应用不及时;(3)上游供应紧张影响出货。单位单位/ /百万百万202120212022E2022E2023E2023E2024E2024E营业总收入758 1239 1894 2625 (+/-)(%)73.99 63.43 52.91 38.59 归母净利润68 129 230 371 (+/-)(%)696.10 87.75 78.93 61.35 EPS(元)0.72 1.02 1.82 2.93 ROE(%)5.74 3.73 6.25 9.17 P/E0.00 99.93 55.85 34.61 P/B0.00 3.73 3.49 3.
4、17 盈利预测盈利预测zW8VmUhYlYmUgWpYjZaQ8Q8OpNrRnPsQkPrRrNlOoMmQ7NqQyRuOmRtMNZmPsP目录3拓荆科技:国产薄膜沉积设备先锋1财务分析:营收高速增长,合同负债创新高2产品实力:技术铸就极强不可替代性3市场需求:沉积需求叠加,国产替代高景气4盈利预测5拓荆科技:国产薄膜沉积产业化先锋4ALDSACVDPF-300TPF-200TPECVD等离子增强化学气相沉积 拓荆科技成立于2010年,主营半导体薄膜沉积设备,PECVD、ALD、SACVD三个产品系列已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开 10nm 及以下制程
5、产品验证测试;且公司是目前国内唯一一家产业化应用PECVD、SACVD设备的厂商。原子层沉积次常压化学气相沉积PE-ALDThermalALDSA-300TSA-200T2018. 1012英寸ALD通过客户14nm产业化验证2018.12首台14nm硬掩膜ACHM 机台出厂到客户端2020. 09认定为“辽宁省企业技术中心”2020.12“十三五”国家重大专项通过验收2020.12客户端总流片量超过1500万片2019. 09SACVD研制成功并出厂到客户端2019.10获批设立“辽宁省博士创新实践基地”2019.12泛半导体应用TLITE研制成功2019.12获评国家知识产权示范企业发展历
6、程:PECVDALDSACVD2010.04沈阳拓荆科技有限公司成立2011.10推出12英寸多反应腔PF-300T设备2013.04首台12寸PF-300销售2013.12PF-300T通过中芯国际产品线测试2014.12获批组建“辽宁省薄膜设备工程研究中心”2015.09获国家集成电路产业投资基金战略投资2015.12获批“十三五”国家重大专项2017.12首台量产型HTM PECVD 出厂到客户端2016.4“十一五”国家重大专项通过验收2016.12拓荆新厂投入使用2012.12推出12英寸多反应腔PF-300T4设备2022继续引领国内半导体薄膜沉积设备和技术的发展5股权结构:无控股
7、股东和实际控制人宿迁浑璞苏州聚源中微公司沈阳风投中科仪润扬嘉禾姜谦及其一致行动人沈阳创投中车国华国家集成电路基金盐城燕舞共青城盛夏国投上海嘉兴君励26.48%15.19%18.23%6.57%11.20% 7.39%3.13%1.71%1.58% 0.82%3.16%1.90%1.58%1.04%拓荆科技拓荆北京武汉分公司拓荆上海拓荆键科北京分公司上海分公司 公司单个股东持有或控制的股份数量均未超过公司总股本的30%,无法形成控股,单个股东亦不能决定董事会多数席位,使得公司无控股股东及实际控制人。100%100%655%姜谦及其一致行动人:姜谦、吕光泉、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张先智、张孝
8、勇等8名直接持有公司股份的自然人,以及芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙等11个公司员工持股平台。董高监姓名职务提名人吕光泉董事长芯鑫龙、芯鑫全姜 谦董事芯鑫和、芯鑫成杨征帆董事国家集成电路基金杨 柳董事国家集成电路基金齐 雷董事国投上海尹志尧董事中微公司吴汉明独立董事芯鑫盛黄宏彬独立董事芯鑫旺赵国庆独立董事芯鑫阳姓名职务提名人/选举机构监事会叶五毛监事会主席职工代表大会郭 郢监事国家集成电路基金曹 阳监事国投上海许荣伟监事嘉兴君励、盐城燕舞苑 雪监事沈阳创投刘忠武职工代表监事职工代表大会姓名职务高级管理人员田晓明总经理张孝勇副总经理
9、周 坚副总经理刘 静副总经理、财务负责人孙丽杰副总经理赵 曦董事会秘书1965年出生,美国国籍,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。7客户:晶圆厂客户占比高图表:拓荆科技前五大客户营业收入占比由于集成电路制造行业因资本投入大、技术难度高,国内外主要集成电路制造商均呈现经营规模大但数量少的行业特征,导致拓荆科技下游客户所处行业的集中度较高。2021年1-9月2020年2019年2
10、018年中芯国际29%中芯国际46%中芯国际27%万国半导41%北京屹唐28%长江存储19%北京晶瑞23%长江存储23%长江存储17%华虹集团11%北京燕东17%华虹集团22%华虹集团10%晶合集成4%华虹集团12%中芯国际15%睿力集成9%广州粤芯4%长江存储6%合计(%)92%84%84%100%合计(万元)33646 35923 20814 6630 8目录拓荆科技:国产薄膜沉积设备先锋1财务分析:营收高速增长,合同负债创新高2产品实力:技术铸就极强不可替代性3市场需求:沉积需求叠加,国产替代高景气4盈利预测5营收:PECVD设备高速放量图表:2018-2021拓荆科技营收情况 公司20
11、20年营收4.4亿元,同比+73%;2021年营收7.6亿元,同比+74%;公司进入稳定的高速增长期。2022年Q1,实现营收近1亿元,同比+86%,继续维持高增长。 PECVD:公司营收增长最强引擎,2021年营收贡献89%。 SACVD:2020年实现首台销售收入867万元,客户为北京燕东;2021年进一步放量实现收入4116万元。 ALD:2018年实现单台销售收入1460万元,客户为ICRD;2021年销售收入2862万元。单位:台2018年2019年2020年2021年1-9月PECVD产量9225049销量4193123ALD产量0011销量1000SACVD产量0133销量001
12、018年2019年2020年2021年亿元其他业务收入SACVD 设备ALD 设备PECVD 设备10毛利率:PECVD稳步提升至43%图表:2018-2021年拓荆科技毛利率拆解-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%20021PECVDSACVD设备ALD设备其他业务公司产品根据客户差异化需求进行定制化生产,不同客户对零部件的性能和型号,以及是否需要公司提供附属设备等额外模块的需求存在差异,导致公司产品的售价和成本存在波动。PECVD:2018-2021年毛利率从29%稳步改善至43%,达到行业水平,盈利拐点已至。分产品看,除
13、2018年PF-200T为首台优惠售价毛利率较低外,其余各期PF-300T和PF-200T毛利率无明显差异。SACVD:2020年首台销售接受客户较低报价,形成亏损;2021年销售设备用于2.5D、3D封装领域,形成较高毛利率63%。ALD:2018年单台销售毛利率46%;2020年为2018年销售ALD反应腔升级,形成较高毛利率87%;2021年再次形成设备销售,毛利率重回正常,近44%。11费用:营收规模化,管理/销售费用率稳步下降图表:拓荆科技2018-2021年期间费用率拆分 销售费用:主要费用来自职工薪酬和产品质保金,2019年来占比超70%;随着2019年来公司营收规模高速增长,销
14、售费用率趋于稳定并逐步下降,2021年约为12.8%。 管理费用:超一半费用来自职工薪酬,同样随着2019年公司营收步入新台阶,管理费用率稳步下降,2021年约为5.9%。38%0%20%40%60%80%100%120%140%160%20021销售费用率管理费用率研发费用率 研发费用:主要费用来自直接材料投入、职工薪酬和专业机构服务费,2020年分别占比31%、30%、26%。2018年高研发投入主要系当年公司根据业务需要生产了多台研发测试用机用于PECVD持续改进所致。持续加强竞争力需要,2021年公司研发费用率达到38%。 专业机构服务费:主要为公司委托外部机构对
15、公司研发的新工艺进行技术参数测试而支出的测试服务费用,主要供应商为ICRD和北方集成电路技术创新中心(北京)。12利润:期待扣非后利润扭亏为盈 半导体行业技术含量高,研发投入大,且产品验证周期长。公司处于早期高速开拓阶段,需持续加强研发投入;2021年公司研发投入全部费用化,研发费用率近38%,导致整体费用成本较高,2021年全年扣非后归母净利润-0.82亿元,尚未实现盈利。 2021年公司归母净利润0.68亿元,扭亏为盈;主要系归属于母公司股东的非经常性损益近1.5亿元,主要来自计入当期损益的政府补助1.56亿元。 内资晶圆厂扩产浪潮下,公司薄膜沉积设备,尤其PECVD在国产化进程中占据及其
16、重要的位置,公司营收将持续高增,且公司2021年PECVD毛利率已爬升至近43%,后续扣非后归母净利润扭亏为盈可期。图表:公司2018-2021年业绩情况0.68-0.82-2.00-1.50-1.00-0.500.000.501.0020021归属母公司股东的净利润扣非后归属母公司股东的净利润0.47 0.43 0.51 1.56 0.000.200.400.600.801.001.201.401.601.8020021计入当期损益的政府补助图表:公司2018-2021年计入当期损益政府补助亿元亿元13存货/合同负债创新高,公司在手订单充沛报告期内
17、,公司合同负债和预收账款金额持续高速增长,同时存货持续高速增长。2022年一季度公司合同负债和预收账款合计7.9亿元,较2021年末增加61%;存货13亿元,较2021年末增加36%;公司在手订单充沛,并积极备货以应对强客户需求。图表:公司2018-2021年合同负债和预收账款、存货情况0.47 0.56 1.34 4.88 7.80 3.22 3.50 5.12 9.53 12.94 024680022Q1合同负债+预收账款(亿元)存货(亿元)14目录拓荆科技:国产薄膜沉积设备先锋1产品矩阵:PECVD + ALD + SACVD技术壁垒:人才 +
18、 资金 + 技术财务分析:营收高速增长,合同负债创新高2产品实力:技术铸就极强不可替代性3市场需求:沉积需求叠加,国产替代高景气4盈利预测515拓荆科技:PECVD + SACVD + ALDPECVD设备33%溅射PVD19%电镀ECD4%ALD设备11%管式CVD12%非管式LPCVD11%其他设备(包括SACVD设备)6%MOCVD4%图表:市场中各类薄膜沉积设备占比图拓荆科技半导体薄膜沉积设备布局:PECVD设备、ALD设备及 SACVD设备Gartner,方正证券研究所整理16产品应用:逻辑 + 3D NAND+ DRAM图表:拓荆科技设备产品在不同芯片产品中的应用图示PECVD:公
19、司已研发并生产16种不同工艺型号的 PECVD 设备,应用于逻辑芯片制造、DRAM制造、FLASH制造、先进封装、LED器件制造等领域。ALD:在先进制程集成电路制造工序中应用广泛。公司已量产PE-ALD,正在研发Thermal -ALD设备,应用于逻辑芯片制造、先进封装、CMOS器件等领域。SACVD:研发生产了多种不同工艺的SACVD设备,应用于逻辑芯片、DRAM制造等领域。17PECVD:PF-300T & PF-200T 公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商,已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM及64/128层FLASH制造工艺需求。公司于201
20、8年向某国际领先晶圆厂发货一台PECVD设备用于其先进逻辑芯片制造研发产线,2020年该厂向公司增订一台PECVD设备用于其上述先进制程试产线。产业化应用PF-300T应用于28nm以上逻辑芯片及FLASH、DRAM存储芯片制造,TSV封装和OLED制造领域。PF-300T eX应用于14nm-28nm 逻辑芯片及FLASH、DRAM存储芯片制造。可以沉积SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、Lok、Lok、ACHM、ADC 等介质材料薄膜。PF-200T 应用于90nm以上集成电路前道工艺及3D TSV先进封装环节。可沉积SiO2、SiN、SiON、TEOS等介质材料薄膜。
21、可与12吋PECVD兼容。产业化验证NF-300H 用于32-128层3D NAND FLASH芯片、19nm以下DRAM芯片制造。突破存储芯片制造颗粒度、均匀性、应力及产能四大关键技术挑战。可沉积NO stack、Thick TEOS等介质材料薄膜TFLITE 用于LED芯片制造。可沉积SiO2、SiN材料薄膜研发中PF-300T pX用于10nm以下逻辑芯片制造。可沉积通用/先进介质薄膜18PECVD应用:16种不同工艺型号的PECVD设备设备类型应用领域工艺领域产业应用情况SiO 2 工艺 PECVD 逻辑芯片制造前/后段介质层(Inter Layer Dielectric,Inter
22、Metal Dielectric)130-28nm逻辑产业化应用;14nm及10nm以下逻辑产业化验证中后段钝化层(Passivation Layer)后段刻蚀硬掩模工艺(Etch hardmask)SiN工艺 PECVD逻辑芯片制造、DRAM制造、FLASH制造后段刻蚀阻挡层工艺(Etch Stop Layer)130-28nm逻辑、64层FLASH产业化应用;14nm逻辑、128层FLASH、19/17DRAM产业化验证中后段介质层(Inter Metal Dielectric)后段钝化层(Passivation Layer)先进封装后段封装领域介质层及钝化层2.5D、3D封装产业化应用S
23、iON工艺 PECVD逻辑芯片制造、DRAM制造、FLASH制造前后段介电抗反射涂层 (DARC,Dielectric anti-reflective coating layer)130-28nm逻辑、64层FLASH产业化应用;14nm逻辑、128层FLASH、19/17nm DRAM产业化验证中BPSG工 艺PECVD 逻辑芯片制造前/后段介质层 (Inter Layer Dielectric,Inter Metal Dielectric)130-28nm逻辑产业化应用后段钝化层(Passivation Layer)TEOS工 艺PECVD逻辑芯片制造、DRAM制造、FLASH制造前/后段
24、介质层 (Inter Layer Dielectric,Inter Metal Dielectric)130-28nm逻辑、64层FLASH产业化应用;14nm逻辑、128层FLASH、19/17nm DRAM产业化验证中后段钝化层(Passivation Layer)后段刻蚀硬掩模工艺(Etch hardmask)先进封装后段封装领域介质层及钝化层2.5D、3D封装产业化应用SiOC工艺 PECVD 逻辑芯片制造前后段介电抗反射涂层(NFDARC,Nitrogen free dielectricanti-reflective coating layer)65-28nm产业化应用FSG工艺 P
25、ECVD逻辑芯片制造后段低介电常数介质层(Inter Metal Dielectric)130-65nm产业化应用HSN工艺 PECVD逻辑芯片制造前段应力记忆层(Stress Memorization Technique Layer)40-28nm产业化应用PSG工艺 PECVD逻辑芯片制造后段钝化层(Passivation Layer)130-28nm产业化应用Lok I工艺 PECVD逻辑芯片制造后段层间介质层(BEOL IMD)40nm产业化应用LokII工艺 PECVD逻辑芯片制造后段层间介质层(BEOL IMD)28nm产业化验证中ACHM工 艺PECVD逻辑芯片制造前段刻蚀硬掩模
26、工艺(FEOL etch hardmask)28nm产业化验证中DRAM制造前段刻蚀硬掩模工艺(FEOL etch hardmask)19/17 nm产业化验证中FLASH制造后段刻蚀硬掩模工艺(BEOL etch hardmask)64层产业化应用;128层产业化验证中ADC I工 艺PECVD 逻辑芯片制造后段刻蚀阻挡层/扩散阻挡层(etch stop layer/barrier layer)40-28nm产业化验证中Thick TEOS工 艺3D NAND PECVDDRAM制造RDL DRAM后段介质层19/17nm产业化验证中先进封装2.5D interposer Cap layer
27、后段介质层2.5D封装产业化验证中NO stack 工艺 3DFLASH制造Flash memory前段介质层128层产业化验证中NAND PECVDTFLITELED器件制造前段介质膜钝化保护层工艺(Dielectric / Passivation)4/6英寸产业化应用Patterned Sapphire Substrate掩模光学反射层工艺(Hard Mask/Optical film)19SACVD:SA-300T & SA-200TSACVD:在次常压环境下,通过对反应腔内气体压力和温度的精确控制,将气相化学反应材料在晶圆表面沉积薄膜。SACVD 设备的高压环境可以减小气相化学反应材料
28、的分子自由程,通过臭氧在高温下产生高活性的氧自由基,增加分子之间的碰撞,实现优越的填孔(Gap fill)能力,是集成电路制造的重要设备之一。SA-300T 用于40-28nm制程STI、ILD工艺的晶圆制造SA-200T 用于90nm以上制程STI、ILD工艺的晶圆制造可以沉积BPSG、SAF等介质材料薄膜产业化应用公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路SACVD设备厂商。公司的SACVD设备可沉积BPSG、SAF材料薄膜,适配12吋 40/28nm 以及8吋 90nm 以上逻辑芯片制造工艺需求。PECVD原理图SACVD原理图20ALD:PEALD & Thermal ALDALD:将反应
29、材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在基片表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,即制造工艺中关键尺寸的精度控制,在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM 和 3D NAND制造中,ALD 是必不可少的核心设备之一。ALD设备主要分为 PE-ALD 和 Thermal ALD。PE-ALD:目前已适配 55-14nm逻辑芯片制造工艺需求。Thermal ALD:在 PE-ALD 设备成功量产基础上,为满足 28nm 以下芯片制造所需的Al2O3、AlN 等金属化合物薄膜的工艺需要,公司正在研发设备。
30、PEALDFT-300T 用于逻辑芯片28-14nmSADP、STI Liner工艺,55-40nm BSI工艺的晶圆制造、2.5D、3D TSV先进封装具有优异的薄膜均匀性和保形性,特别适合高深宽比晶圆孔洞的薄膜沉积。可以沉积SiO2和SiN介质材料薄膜产业化应用Thermal-ALD FT-300T 用于逻辑芯片28nm以下制程具有优异的薄膜均匀性和纯度,薄膜内杂质含量少,刻蚀性能优越,同时也适合高深宽比晶圆孔洞的薄膜沉积。可以沉积Al2O3、AlN等多种金属化合物薄膜材料研发中TFLITE 用于LED芯片制造。可沉积SiO2、SiN材料薄膜ALD FT-300T 产业化验证用于128层以
31、上3D NAND FLASH存储芯片、19/17 nm DRAM存储芯片可以沉积SiO2和SiN介质材料21产业化应用:ALD & SACVD设备类型应用领域工艺领域产业应用情况ALD设备SiO2 工艺PE-ALD设备逻辑芯片制造SADP工艺 和 STI liner工艺28-14纳米产业化应用先进封装TSV工艺2.5D、3D封装CMOS器件BSI工艺-SACVD设备BPSG工艺SACVD设备逻辑芯片制造金属前绝缘层130-90nm产业化应用DRAM制造刻蚀调节层19/17纳米产业化验证中SAF工艺 SACVD设备逻辑芯片制造金属前绝缘层和浅槽隔离65-28nm,及130nm以上产业化验证中SA
32、 TEOS工艺SACVD设备逻辑芯片制造SAB CAP SMT CAP40-28nm,130nm以上产业化验证中图表:公司ALD及SACVD的产业化应用情况22国产设备厂商沉积设备布局对比 北方华创:布局PVD、APCVD、APCVD以及用于功率等的PECVD、ALD,其中PVD设备独领风骚; 沈阳拓荆:布局PECVD、SACVD以及ALD,产品已广泛应用于国内14nm以上晶圆制造产线。 中微公司:2022年新的针对Mini LED市场的MOCVD将实现0-1放量,W LPCVD研发也取得突出进展; 盛美上海:前道大马士革ECD设备已实现批量订单;SiN LPCVD客户端进行量产认证,未来有望
33、放量赋能。MOCVDLPCVDPrismo D-BlUE 蓝光LEDPrismo A7 GaN LEDPrismo HiT3 深紫外 LEDPrismo UniMax Mini LEDW/WN/TiNALDLPCVDECDUltra ECP map 55nm以下大马士革铜Ultra FnSiN 炉管PECVDALDSACVDPF-300T12吋PF-200T8吋SA-300T12吋SA-200T8吋PE-ALDThermal ALD炉管PVDeVictor GX20 金属/化合物8吋Polaris G620 金属/化合物12吋exiTexiTin H63055-28nm TiNeVictor
34、AX30 Al padCVDLPCVDPECVDSES630A 6/8吋硅外延EPEE550 LED/功率/MEMSEPEE i800 LEDAPCVDTHEORIS 302 / FLOURIS 201 炉管 SiN/多晶硅HORIS L6371 SixNy/SiO2/Poly-SiALDPE-ALDThermal ALD图表:国产厂商沉积设备布局23目录拓荆科技:国产薄膜沉积设备先锋1产品矩阵:PECVD + ALD + SACVD技术壁垒:人才 + 资金 + 实力财务分析:营收高速增长,合同负债创新高2产品实力:技术铸就极强不可替代性3市场需求:沉积需求叠加,国产替代高景气4盈利预测524
35、核心技术人员:国际大厂背景+牵头多项国家专项履历研发贡献姜 谦1952年出生,美国国籍,美国布兰迪斯大学博士。1982年1月至2005年10月,先后任职于麻省理工学院、英特尔公司、美国诺发,历任研究员、研发副总裁等职;2006年4月至2010年3月,任欣欣科技(沈阳)有限公司执行董事。2010年4月至今就职于公司,曾任总经理、董事长,现任公司董事。成功领导研发团队完成“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”研发;参与“1x nm 3D NAND PECVD研发及产业化”国家重大科技专项及多项产品研发。吕光泉1965年出生,美国国籍,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至
36、2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。成功领导研发团队完成“1x nm 3D NAND PECVD研发及产业化”国家重大科技专项;领导团队研发“国家科技重大专项课题A(ALD相关)”、“国家集成电路装备项目A(介质薄膜先进工艺相关)”等国家重大科技项目/课题;成功领导完成ALD、SACVD设备研发并产业化应用。田晓明1956年出生,美国国籍,美国东北大学电子工程学硕士,新加坡南洋理工大学工商管理硕士。1982年2月至2018
37、年2月,先后任职或就读于江西景光电子有限公司、美国东北大学、美国Codi Semiconductor, Inc.、泛林半导体、尼康精机(上海)有限公司,历任设计工程师、资深副总裁等职。2018年2月至今就职于公司,现任公司总经理。参与领导“国家科技重大专项课题A(ALD相关)”、“国家科技重大专项课题B(先进工艺PECVD相关)”、“国家集成电路装备项目A(介质薄膜先进工艺相关)”等国家重大科技项目/课题研发,参与领导 SACVD设备并产业化应用。张孝勇1971年出生,美国国籍,美国马里兰大学化学工程博士。2000年9月至2011年2月,就职于美国诺发,在PECVD及ALD产品部历任工艺开发工
38、程师、资深工艺开发工程师、超低介电质工艺开发经理、资深重要客户经理。2011年3月至今就职于公司,现任公司副总经理。参与公司12英寸PECVD设备生产型号PF-300T的研发及产业化应用,负责“国家科技重大专项课题A(ALD相关)”及公司先进工艺PECVD设备研发。25姓名履历研发贡献周 坚1963年出生,美国国籍,美国德克萨斯A&M大学电气工程硕士。1984年8月至2018年10月,先后任职或就读于江西邮电科研所、美国德克萨斯A&M大学、Nonometrics Inc.、Mattson Technology, Inc.、Nonometrics Inc.、Ecovoltz Inc.、睿励科学仪
39、器(上海)有限公司,历任工程师、软件部总监等职。2018年11月至今就职于公司,现任公司副总经理。负责领导公司半导体设备软件开发及优化,设备电气、系统平台的设计及优化。叶五毛1961年出生,美国国籍,加州大学伯克利分校博士;1990年9月至2013年9月,先后任职于Nashua Computer Products、Western Digital, Santa Clara, CA、美国诺发、NegevTech, Inc.、Hitachi High-Technologies America、Honeywell International,先后任工艺工程师、产品经理等职。2017年8月至今就职于公司
40、,现任资深技术总监;2021年1月至今,任公司监事会主席。负责公司HTM PECVD工艺技术开发及优化改进,完成12英寸ACHM工艺PECVD设备研发及产业化应用。宁建平1983年出生,中国国籍,无境外永久居留权,贵州大学硕士,大连理工大学博士在读。2010年7月开始任职于公司及子公司拓荆键科,历任产品部部长、研发部总监等职,现任公司产品部总监。作为研发骨干参与多项国家重大科技专项的研发,负责“国家科技重大专项课题B(先进工艺PECVD相关)”及先进制程PECVD设备的研发及产业化。核心技术人员:国际大厂背景+牵头多项国家专项26研发投入:收入比38%,技术人员占比近44%2.88152%29
41、%28%38%0%20%40%60%80%100%120%140%160%0.00.51.01.52.02.53.03.520021研发费用研发费用率图表:公司2018-2021年研发投入情况类别人数(人)占总人数比例技术研发人员18944.06%技术支持人员12930.07%行政管理人员368.39%财务人员102.33%生产人员419.56%采购人员143.26%销售人员102.33%合计429100.00%图表:公司人员构成 行业高技术壁垒要求公司持续保持高研发投入,2021年研发投入2.88亿元,占营收比重近38%,对公司资金投入以及技术提出极大要求。 截至202
42、1年9月30日,公司技术研发人员占比近44%,体现公司高技术研发属性,奠定公司技术实力基石。27研发实力:承担多项国家/升级重大专项项目名称部门项目类别实施周期预算(万元)进展情况90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用科技部国家科技重大专项2008.12至2016.635763完成验收1x nm 3D NAND PECVD研发及产业化科技部国家科技重大专项2016.1至2020.1252291完成验收1x nm 3D NAND PECVD研发及产业化辽宁省科技厅辽宁省科技重大专项2019.1至2020.67013已通过验收答辩国家科技重大专项课题A(ALD相关)科技部国家科技重大
43、专项课题2020.1至2021.1210016正在实施国家科技重大专项课题B(先进工艺PECVD相关)科技部国家科技重大专项课题2020.1至2021.1218013正在实施国家集成电路装备项目A(介质薄膜先进工艺相关)-国家集成电路装备项目B-图表:公司承担的重大科研项目28研发实力:核心技术均已达国际先进水平图表:公司技术实力与产品关键指标图表:公司核心技术情况 公司在PECVD、ALD及SACVD设备领域已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备,满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求;产品关键性能指标均达到国际同类设备水平。 公司自主研发形成的核心技术,已达到国际先进水平。核心技术
44、名称专利及其他保护措施技术水平应用和贡献情况PECVDALDSACVD先进薄膜工艺设备设计技术已授权发明专利1项 申请中发明专利2项国际先进已量产已量产已量产反应模块架构布局技术已授权发明专利5项 申请中发明专利2项国际先进已量产已量产已量产半导体制造系统高产能平台技术已授权发明专利11项 申请中发明专利1项国际先进已量产已量产已量产等离子体稳定控制技术已授权发明专利2项 申请中发明专利5项国际先进已量产已量产-反应腔腔内关键件设计技术已授权发明专利19项 申请中发明专利8项国际先进已量产已量产已量产半导体沉积设备气体输运控制系统已授权发明专利2项 申请中发明专利7项国际先进已量产已量产已量产
45、气体高速转换系统设计技术已授权发明专利3项国际先进已量产已量产-反应腔温度控制技术已授权发明专利10项 申请中发明专利7项国际先进已量产已量产已量产产品关键性能参数水平评价设备产能(WPH)达到国际同类设备水平机台稳定运行时间(Uptime) 达到国际同类设备水平平均故障间隔时间(MTBF) 达到国际同类设备水平平均破片率(MWBB)达到国际同类设备水平平均修复时间(MTTR)达到国际同类设备水平薄膜片内均匀性达到国际同类设备水平薄膜片间均匀性达到国际同类设备水平薄膜颗粒控制达到国际同类设备水平金属污染控制达到国际同类设备水平29在研项目(PECVD):更先进制程+HDPCVD项目名称研究目标
46、相应人员所处阶段及进展情况与行业技术水平的比较项目预算(万元)40nm以上低介电常数薄膜和硬掩膜等先进薄膜系列产品本项目主要研发目标应用于40nm以上制程的Lok、Lok、ACHM、ADC材料工艺型号PECVD机台设备。吕光泉、张孝勇、叶五毛、杨艳产业化验证达到国际同类设备水平153828nm-14nm通用介质薄膜系列产品本项目主要目标为对原有工艺和设备升级,研制适用于28nm-14nm工艺节点生产线的SiO2、SiN、TEOS、DARC、HTN、a-Si材料工艺型号PECVD设备。姜谦、田晓明、周坚、宁建平、于棚、王卓产业化验证达到国际同类设备水平713010nm以下通用介质薄膜系列产品本项
47、目主要目标为研制适用于10nm以下制程生产线的多种材料工艺型号PECVD设备。田晓明、周坚、叶五毛、于棚、姜崴设计阶段达到国际同类设备水平659328nm以下低介电常数薄膜和硬掩膜等先进薄膜系列产品本项目主要目标:1)筛选合适的化学前驱体,应用先进的液态源传输系统,以及定制化的反应腔室设计及关键部件设计,有效提升设备稳定性和工艺表现,使低介电常数薄膜均匀性、折射率、介电常数等关键性能指标均满足客户要求;2)设计特殊的腔室,大幅提升薄膜性能、设备稳定性和颗粒表现,使硬掩膜产品薄膜均匀性、折射率、消光系数、刻蚀选择性等关键性能指标满足客户要求。吕光泉、田晓明、张孝勇、叶五毛、周坚、宁建平、谭华强、
48、王卓、蔡新晨设计阶段达到国际同类设备水平36014多站式后段功能薄膜工艺系列产品开发外径应用于先进封装领域的低温氧化硅介质薄膜,打入国际先进客户的生产线。姜谦、吕光泉、张孝勇、戚艳丽产业化验证达到国际同类设备水平994TF-Lite开发应用于沉积LED绝缘层和保护层的4/6英寸SiO2 PECVD设备叶五毛、吴凤丽产业化验证达到国际同类设备水平29112英寸 HDPCVD介质薄膜先进工艺研发开发12英寸高密度等离子体PECVD设备张孝勇、 谈太德设计阶段达到国际同类设备水平380630在研项目:Thermal ALD & SACVD深沟槽填充项目名称研究目标相应人员所处阶段及进展与行业技术水平
49、的比较项目预算(万元)ALDALD HTM SiO2 薄膜沉积设备及工艺研发开发能够满足128层3D NAND存储芯片制造工艺要求的高质量SiO2材料工艺型号ALD设备张孝勇周坚李晶设计阶段达到国际同类设备水平1001628nm以下Thermal ALD AlOx设备及工艺开发开发能够满足28nm制程及以下的Thermal ALD AlOx 工艺技术及成套设备,并与集成电路生产商进行合作,完成该设备的测试、验证和量产姜谦吕光泉张孝勇张阁设计阶段达到国际同类设备水平3860SACVD深沟槽填充薄膜工艺产品本项目主要目标为研制应用于28nm及以下技术节点的薄膜沉积设备,实现深宽比大于5:1的浅槽隔
50、离、金属前介质层等沟槽填充的薄膜工艺。张孝勇周坚叶五毛宁建平柳雪设计阶段达到国际同类设备水平114031目录拓荆科技:国产薄膜沉积设备先锋1财务分析:营收高速增长,合同负债创新高2产品实力:技术铸就极强不可替代性3市场需求:沉积需求叠加,国产替代高景气4盈利预测5沉积需求:3D化+微缩化,催生沉积高需求行业需求:聚焦成熟制程的国产替代32晶圆制造工艺循环图沉积:在晶圆上沉积金属/介质薄膜1. 硅片切片沙子被提纯成高纯度纯硅;熔化冷却后硅锭;然后将其切片、清洗、抛光成晶圆。2. 沉积在晶圆上沉积(半)导体或隔离材料的薄膜。、方正证券研究所整理33 在硅片衬底上沉积薄膜有多种技术,按工艺主要分为化