1、2020 年深度行业分析研究报告目录1、受益 5G 和云计算，通信 PCB&CCL 需求持续爆发 .- 4 -1.1、进入 5G 基站建设高峰期，通信板率先放量.- 4 -1.2、云计算和数据中心高速化驱动，高多层板和 CCL 需求旺盛.- 5 -1.3、高频高速 PCB&CCL 技术壁垒高，行业龙头充分受益 .- 10 -2、半导体：国产替代加速，核心供应链自主可控势在必行.- 13 -2.1、设计：多个细分领域实现突破，但整体尚有差距.- 13 -2.2、制造：中芯国际实现 14nm 工艺突破，长鑫长存存储双子星闪耀.- 15 -2.3封测：国产化进展最快，已经跻身国际第一梯队.- 16

2、-2.4、设备、材料：下游晶圆厂扩产提速，叠加国产化进程加速，催生设备材料 业绩快速提升 .- 17 -3、消费电子：看好 5G 换机周期，穿戴设备空间巨大.- 19 -3.1、欧美解禁后行业复苏在即，看好 5G 换机周期.- 19 -3.2、新蓝牙协议下 TWS 加速渗透，万物互联时代智能穿戴空间巨大 .- 24 -4、中长期看好面板、LED 等板块优质标的.- 29 -4.1、面板：国内厂商将主导 LCD 市场，在 OLED 领域奋起直追.- 29 -4.2、LED：Mini/Micro LED 添增长 .- 32 -4.3、被动元件：行业景气复苏，MLCC 国产替代空间巨大 .- 35

3、-图 1、5G 基站价值量测算 .- 4 -图 2、5G 基站建设节奏（单位：万）.- 5 -图 3、5G 基站侧拉动 PCB 规模（单位：亿元） .- 5 -图 4、5G 基站建设拉动的高频 CCL 市场规模（亿元）.- 5 -图 5、5G 基站建设带动的高速 CCL 市场规模（亿元）.- 5 -图 6、北美五大云巨头厂商资本开支情况（单位：亿美元）.- 6 -图 7、全球服务器出货量 19Q4 恢复正增长.- 7 -图 8、英特尔 19Q4、20Q1 数据中心业务超预期.- 7 -图 9、PCIe 接口的主板 .- 8 -图 10、PCIe 标准快速发展 .- 8 -图 11、服务器市场高

4、速 PCB 市场规模预测（单位：亿元） .- 8 -图 12、服务器市场高速 CCL 市场规模预测（单位：亿元）.- 9 -图 13、数据中心光模块出货量和交换机芯片推出关系.- 9 -图 14、高速交换机、路由器对应 CCL 板材升级.- 10 -图 15、高频板生产与 FR4 的特殊之处及品质控制.- 11 -图 16、高速板关键生产工序控制 . - 11 -图 17、高频和高速 CCL 对 Df 指标有要求 .- 12 -图 18、全球高频、高速 CCL 市场格局.- 12 -图 19、国内半导体产业链在各个环节实现突破.- 13 - 图 20、全球 IC 设计产值分析 .- 14 -

5、图 21、国产厂商在 IC 设计各环节实现不同程度突破.- 14 -图 22、中芯国际在先进代工领域正逐渐突破.- 15 -图 23、长江存储在 3D NAND 正实现快速突破 .- 16 -图 24、合肥长鑫在 DRAM 正实现快速突破 .- 16 -图 25、国内三家封测厂商挤进全球前十 .- 17 -图 26、国内三家封测厂商产品布局较为完善.- 17 -图 27、国内晶圆厂存储厂资本开支进入爆发期.- 18 -图 28、国内半导体设备在各个环节不同程度突破.- 18 -图 29、国内半导体材料在各个环节不同程度突破.- 19 -图 30、2019 VS 2020 新机型国内销售渗透率

6、.- 19 - 图 31、5G 手机出货量情况 .- 20 - 图 32、5G 手机各季度销售预测（按地区 VS 按品牌）.- 21 - 图 33、全球手机销量各地区份额占比 .- 21 -图 34、全球手机销售额各地区份额占比 .- 21 -图 35、疫情后国内手机销量快速反弹 .- 22 -图 36、全球手机季度环比销量 .- 24 -图 37、三种 TWS 传输方案.- 25 - 图 38、2019 年 TWS 销量（单位：百万个） .- 25 - 图 39、Apple Watch 销量 .- 27 -图 40、苹果产品 Roadmap .- 27 -图 41、1Q20 全球 LCD 面

7、板出货量及占比（单位：千片）.- 30 -图 42、大尺寸液晶面板产能面积结构（依面板厂区分）.- 30 - 图 43、2017-2019 年面板供应商在 AMOLED 手机面板市场中占比情况 .- 31 - 图 44、Mini LED 的市场空间预估.- 34 - 图 45、2024 年 Mini LED 产品在应用端渗透率预测.- 34 - 图 46、LED 对比 MicroLED 灯珠密度 .- 34 -图 47、MicroLED 结构对比 OLED 更为简洁 .- 34 -图 48、巨量转移技术（Mass Transfer）.- 35 -图 49、国巨月度营收（单位：亿新台币） .-

8、36 -图 50、华新科月度营收（单位：亿新台币）.- 36 -图 51、网络通信和车用提供被动元件市场规模增长动力.- 36 -图 52、MLCC 的多层化、高容值趋势 .- 37 -图 53、全球 MLCC 格局 .- 37 -表 1、欧美国家陆续放松管制，复工复产 .- 22 -表 2、Apple Watch 3、4、5 代对比.- 26 -表 3、穿戴式装置供应链企业一览 .- 28 - 表 4、2019-2021 年中国大陆高世代液晶面板投产情况 .- 29 - 表 5、全球已建及在建 AMOLED 生产线 .- 32 -表 6、Mini LED 与 OLED 技术性能对比 .- 3

9、3 -报告正文1、受益 5G 和云计算，通信 PCB&CCL 需求持续爆发1.1、进入 5G 基站建设高峰期，通信板率先放量5G 基站主要在 AAU、CU+DU 两部分使用大量 PCB，AAU 部分：1）天线底板，面积 0.3 平米，高频板，价值量在 1000 元以上。2）TRX 收发板，面积不到 0.3 平米，10 层左右常规板，价值量 700 元以上。3）功放板，面积 0.027 平米，4 块，高频板，价值量 300 元左右。DU+CU 部分，主要是控制板、基带处理板和接口板等几块主板，每块面积 0.15 平米，20 层以上的高速板，价值量在 2500 元以上。另外，天线阵子、电源模块 等

10、也有 PCB 的使用。图 1、5G 基站价值量测算资料来源：产业调研，经济与金融研究院测算根据我们测算 5G 基站单站 PCB 价值量在 9000 元以上，4G 基站单站价值量不到 4000 元，5G 基站 PCB 价值量仍是 4G 的 2-3 倍。今年国内 5G 基站建设加速，我 们预估建设量在 70 万站以上，全球预计在 130 万左右。预计整个 5G 建设周期全 球 5G 基站累计建设数目在 700 万以上，整个建设周期带动 PCB 规模累计达 600 亿元以上，2020-2022 年将是 5G 基站建设高峰期，每年基站侧 PCB 需求量都在 120 亿元以上。图 2、5G 基站建设节奏

11、（单位：万）图 3、5G 基站侧拉动 PCB 规模（单位：亿元）数据来源：产业调研，经济与金融研究院预测数据来源：产业调研，经济与金融研究院预测同时，我们测算单基站高频 CCL 价值量 1450 元左右，高速 CCL 价值量 800 元以 上，预计整个 5G 基站建设周期将带动高频、高速 CCL 市场规模累计在 100 亿、 70 亿元左右（AAU 的 TRX 板方案设计有变化，保守预计一部分在高速 CCL 内）。图 4、5G 基站建设拉动的高频 CCL 市场规模（亿元）图 5、5G 基站建设带动的高速 CCL 市场规模（亿元）数据来源：产业调研，经济与金融研究院预测数据来源：产业调研，经济与

12、金融研究院预测同时，今年 SA 独立组网开始规模建设，拉动传输网 OTN 设备、高阶交换机、路 由器需求，需要使用大量的高速单板和背板，也将大幅拉动高多层 PCB 和高速 CCL 的需求。1.2、云计算和数据中心高速化驱动，高多层板和 CCL 需求旺盛数据中心对于通信 PCB 和 CCL 的拉动力度也非常大，而且更为持续。根据北美五大云巨头（谷歌、Facebook、微软、苹果、亚马逊）的资本开支，2018 年五个 厂商资本开支 780 亿美元左右，同比增长超过 50%，19 年 Q1 短暂回落、Q2 跌幅 收窄，Q3 恢复增长，虽然 Q4 同比仍有回落，但是谷歌、微软、Facebook 等对

13、2020 年 Capex 展望均较为乐观。我们认为云计算、存储需求的增长是不可逆的，未来 云相关资本开支有望持续增长。图 6、北美五大云巨头厂商资本开支情况（单位：亿美元）资料来源：Wind，经济与金融研究院整理服务器作为数据中心资本开支最大的部分，与之密切关联。根据 IDC 数据，2018 年全球 X86 服务器出货量 1175 万台，同比增长 15.4%，成为过去几年增长最快的 一年。19 年受资本开支回落影响，前三季度服务器出货量同比有所下滑，但 Q4 出货量 388 万台，同比增长 11.7%，恢复正增长。我们判断，随着数据中心资本 开支恢复增长，服务器、交换机、路由器、存储器等 IC

14、T 设备出货量也将恢复并 保持增长态势，拉动高多层 PCB 和 CCL 的需求。图 7、全球服务器出货量 19Q4 恢复正增长资料来源：IDC，经济与金融研究院整理从英特尔的数据中心业务情况来看，当芯片工艺升级时，收入同比会出现快速增 长。我们判断，随着今年下半年英特尔 10nm 服务器 CPU 芯片的推出，14nm 后 累积了 4 年的需求有望集中释放。另外，19Q4、20Q1 英特尔数据中心业务超预 期也代表了服务器需求的回暖。图 8、英特尔 19Q4、20Q1 数据中心业务超预期资料来源：Wind，经济与金融研究院整理同时，今年 Intel 的服务器平台要从 Purely 升级至 Whi

15、tely，AMD 则在去年发布了ROME 平台，新平台的数据插槽接口标准 PCIe 升级至 4.0，支持单通道传输速率从 8GT/s 提升至 16GT/s。相应地，服务器 PCB 的板材和层数都将出现较大变化， 板材将从 Mid Loss 升级至 Low Loss 等级，层数从 10 层左右升级至 14 层以上， 从而带动 PCB 和 CCL 价值量大幅提升，我们预计 PCB 价值量提升 30%以上。图 9、PCIe 接口的主板图 10、PCIe 标准快速发展数据来源：ZOL 主板，经济与金融研究院整理数据来源：ITEQ，经济与金融研究院整理目前，再下一代 Eagle Stream 平台已经在

16、打样中，价值量将进一步提升，我们测 算，随着 Whitely 平台快速渗透，以及 Eagle Sraeam 平台的推出，服务器 PCB 市 场规模将保持快速增长，3-4 年后市场规模有望增长至 450 亿以上。图 11、服务器市场高速 PCB 市场规模预测（单位：亿元）资料来源：IDC，经济与金融研究院整理同时我们测算，新一代 CPU 替换完毕后（2025 年左右），服务器市场将带动每年160 亿元以上的高速 CCL 增量，成为高速 CCL 最主要的增长动力。图 12、服务器市场高速 CCL 市场规模预测（单位：亿元）资料来源：IDC，经济与金融研究院整理另外，高速化在交换机、路由器和光模块的

17、趋势也十分明显，由于对传输速率的 要求越来越高，每两年网络设备的带宽密度翻倍，高速交换机、路由器、光模块 占比持续提升。18 年年底，全球最大的交换机厂商思科推出了 400G 交换机，博 通于 19 年年底推出新款交换机芯片 Tomahawk4，具备 25.6Tbps 交换能力，我们 预计今年 400 光模块、交换机有望迎来放量。图 13、数据中心光模块出货量和交换机芯片推出关系资料来源：Lightcounting，经济与金融研究院整理从 10G 到 40G，再到 100G、400G，端口速率的快速提升，带动 PCB 板和高速CCL 的价值量大幅增加：1）40G、100G 一般使用松下 M4、

18、M6 高速板材，400G需要使用松下 M7 等级，我们预估未来（2025 年左右）交换机、路由器相关高速 CCL 年增量有望超过 35 亿元；2）400G 使用的 PCB 层数要更高，根据产业调研， 400G 交换机 PCB 在 36 层及以上，100G 的不超过 30 层。同时，制造壁垒也会提 升，一般网络设备中高速交换机的 PCB 难度要高于服务器。图 14、高速交换机、路由器对应 CCL 板材升级资料来源：ITEQ，经济与金融研究院整理1.3、高频高速 PCB&CCL 技术壁垒高，行业龙头充分受益 高频板和高速多层板的制造难度要大于普通的 PCB，有较高的技术壁垒。高频 PCB 的主要难

19、点在于高频板材的加工，体现在四个方面： 1）沉铜：高频板因其材料的特性，孔壁不易上铜，沉铜工序特别难以控制，经常 出现沉不上铜、沉铜空洞等不良问题。 2）图转、蚀刻、线宽的线路缺口、沙孔的控制。3）绿油工序：绿油附着力、绿油起泡的控制。4）高频材料材质较软，各工序严格控制板面刮伤、凹点凹痕等不良。图 15、高频板生产与 FR4 的特殊之处及品质控制资料来源：电子万花筒，经济与金融研究院整理高速多层板具有板件更厚、层数更多、线路和过孔更密集、单元尺寸更大、介质 层更薄等特性，制造工艺难度非常大，基站 BBU 的通信板一般在 20 层以上，5G 的 OTN 传输网单板在 20 层以上、背板在 40

20、 层以上。高速多层板的生产，对于内 层空间、层间对准度、阻抗控制以及可靠性要求更为严格。图 16、高速板关键生产工序控制资料来源：PCB 产业创新联盟，经济与金融研究院整理高速和高频 CCL 的生产，对介质损耗因子 Df、介电常数 Dk 等指标有严格的要求， 技术壁垒高。Df、Dk 主要取决于原材料的选择，配方，以及工艺控制，需要供应 商长期的研发投入和技术储备，对原材料的特性有深刻的理解，工艺流程中积累 丰富的 know-how，这也是高速和高频 CCL 的核心技术壁垒。图 17、高频和高速 CCL 对 Df 指标有要求资料来源：覆铜板资讯，经济与金融研究院整理因此这两个细分行业的集中度也非

21、常高。高频 CCL 主要被美国企业垄断，2018 年罗杰斯、泰康尼、依索拉三家占比 70%左右。高速 CCL 主要由日本的松下，中 国台湾的联茂、台燿，和美国的依索拉供应，2018 年四家占比在 65%左右。图 18、全球高频、高速 CCL 市场格局资料来源：覆铜板资讯，经济与金融研究院整理目前在高频高速 PCB 领域，以深南电路、沪电股份、生益电子为代表的龙头厂商 继续保持领先的技术水平，高频和高速 CCL 方面，国产 CCL 龙头生益科技取得 较大突破，份额持续提升，有望充分受益 5G 基站和数据中心建设。2、半导体：国产替代加速，核心供应链自主可控势在必行随着下游终端厂商对于半导体的国产

22、化需求日益强烈，国内厂商经过前期的不断 技术积累，在各个细分领域分别实现了不同程度的突破。图 19、国内半导体产业链在各个环节实现突破Fabless模式海外： 高通 博通 赛灵思 亚德诺设计中国大陆：海思紫光国微圣邦卓胜微海外： 台积电 联电 格罗方德 三星制造中国大陆：中芯国际华虹半导体华力微积塔半导体海外： 日月光 矽品 安靠封测中国大陆： 长电科技 华天科技通富微电海外：ARMIP核中国大陆：EDAImagination Synopsys海外：Cadence Mentor Synopsys中国大陆：华大九天海外：设备中国大陆：应用材料东京电子 泛林半导体 爱德万中微公司北方华创 上海微电

23、子 长川科技材料海外：中国大陆：胜高上海硅产业信越中环股份住友化学卡伯特江丰电子安集科技IDM模式设计 +制造 +封测海外： 英特尔、三星、德州仪器、美光资料来源：经济与金融研究院整理中国大陆：长江存储、合肥长鑫2.1、设计：多个细分领域实现突破，但整体尚有差距国内 IC 设计公司规模不断提升，2018 年国内 IC 设计公司有 11 家厂商挤进全球 前 50 名，其中海思以 75.73 亿美金首次挤进全球前 5，国内整体 IC 设计销售额超 过 2500 亿元，相较于 2017 年有近 20%的增长。图 20、全球 IC 设计产值分析2018年全球IC设 计公司收入排名公司收入（百万美金）1

24、博通217542高通164503英伟达117164联发科78945海思75736AMD64757Marvell29318Xilinx29049Novatek181810Realtek1519Others-28400资料来源：DIGITIMES Research、经济与金融研究院整理总体来看，国内的 IC 设计公司在各个细分领域都实现了不同程度的突破，细分来 看，在消费级 SOC 芯片领域，海思、展讯实现了完全替代，在模拟芯片领域，矽 力杰、圣邦股份、3peak 等公司业绩实现快速的成长，可以做到部分替代，在射 频芯片领域，海思、卓胜微等公司的产品也实现了较大程度的突破，在 CIS 领域， 豪威

25、科技更是在高端产品范围可以和索尼、三星的产品媲美，此外在 FPGA、MCU、 功率半导体、MEMS 等领域也实现了不同程度的突破。图 21、国产厂商在 IC 设计各环节实现不同程度突破细分领域全球市场空间（亿美金）全球主要玩家国内厂家国产化程度CPU600Intel、AMD飞腾、龙芯、中科曙光0%GPU80-100英伟达、AMD景嘉微0%消费级SoC80-100高通、联发科海思、展讯、全志科 技、瑞芯微30%FPGA50赛灵思、Intel紫光同创、安路信息高云、 1%MCU190意法、NXP、瑞萨兆易创新、中颖电子 北京君正、 3%模拟芯片600TI、ADI、美信、安 森美、MPS矽力杰、圣邦

26、股份、3peak、杰华特2%射频芯片100Skyworks、Qorvo、 博通海思、卓胜微、三安 光电、汉天下5%CIS150Sony、三星、豪威豪威、思比科15%功率半导体200英飞凌、NXP、安森美、罗姆士兰微、华微电子、扬杰科技、捷捷微电2%MEMS150意法、博世士兰微、耐威科技3%数据来源：各公司官网，经济与金融研究院整理但总体来看，在 IC 设计环节国产化的比例还普遍比较偏低，与国际巨头的差距还 较为明显，我们认为随着国产化进程进一步加速，国内厂商在各个细分领域有望 逐渐缩小差距，国产化比例得到进一步提升。2.2、制造：中芯国际实现 14nm 工艺突破，长鑫长存存储双子星闪耀国内晶

27、圆厂、存储厂在各自领域实现了快速的突破。中芯国际在 14nm 先进代工领域实现量产，预计今年年底产能达到 15k/月，同时 N+1、N+2 更高阶的产品也在同步研发中，有望在将来进一步缩小和国际巨头台 积电、三星、Intel 等的技术差距。同时中芯国际进一步提升资本开支至 42 亿美金， 相较于之前规划大幅上修近 35%，体现了公司对于先进工艺产品竞争力的信心。图 22、中芯国际在先进代工领域正逐渐突破200022台积电10nm7nm&7nm+5nm3nmIntel14nm10nm7nm三星14nm10nm7nm5nm格罗方德14nm12nm-联电2

28、8nm14nm-中芯国际28nm14nmN+1数据来源：各公司官网，经济与金融研究院整理长存长鑫存储双子星闪耀，进展超预期。长江存储的 64L 3D NAND 产品已经实 现规模化量产，同时 128L 的新一代产品也在研发中，有望在明年年初实现量产。 合肥长鑫的 1xnm ddr4 DRAM 产品已经实现规模化量产，同时也在研发新一代 1ynm ddr4 的产品。长存长鑫的产品在存储器领域实现了零的突破，并且正在逐 渐与国际巨头缩小技术差距，具有很强的战略意义。图 23、长江存储在 3D NAND 正实现快速突破2001920202021三星64L96L128L192L东

29、芝48L96L128L美光32L64L96L128L海力士48L96L192L长江存储-64L128L数据来源：各公司官网，经济与金融研究院整理图 24、合肥长鑫在 DRAM 正实现快速突破2001920202021三星20nm1xnm1ynm1znm1anm海力士20nm1xnm1ynm1znm美光20nm1xnm1ynm1znm南亚科30nm20nm1xnm合肥长鑫-1xnm1ynm数据来源：各公司官网，经济与金融研究院整理2.3 封测：国产化进展最快，已经跻身国际第一梯队封测环节是半导体细分领域国产化进展最快的，国内的几家封测厂商长电科技、 华天科技、通富微电等巨头

30、都已经挤进全球前十名，其中长电科技通过收购星科 金鹏，规模进一步提升，目前已经做到全球第三名，同时在封测产品的布局上也 进一步完善，在低端、中端、高端等封装领域都有突破。图 25、国内三家封测厂商挤进全球前十欣邦2%京元电其他19%日月光19%子 联合2%科技3%安靠16%华天科技4%力成科技8%矽品精密10%长电科技13%通富微电4%数据来源：各公司官网，经济与金融研究院整理图 26、国内三家封测厂商产品布局较为完善全球排名低端封装中端封装高端封装日月光 安靠DIP XSOP XQFP/QFN XLGA XBGAFCFCBGABumpingFCCSPWLCSPTSV（2.5D）TSV（3D）

31、O XFan-out长电科技O矽品XXXX天水华天OXO通富微电XXX数据来源：各公司官网，经济与金融研究院整理我们认为，封测行业是国内竞争力最强的细分环节，随着国产化进程的不断推进， 封测领域有望持续受益。2.4、设备、材料：下游晶圆厂扩产提速，叠加国产化进程加速，催生 设备材料业绩快速提升随着中芯国际、长江存储、合肥长鑫等晶圆厂存储厂在各自领域实现了关键性的 突破，产能扩张将一步提速，资本开支有望达到历史高峰，对于上游设备、材料 的需求将持续拉升。另外在贸易战的大背景下，国内晶圆厂对于设备、材料等核 心供应链的自主可控的需求越来越强烈，也会进一步促进设备、材料的国产化进 展。图 27、国内晶圆厂存储厂资本开支进入爆发期6寸 8寸 12寸 爆发期 1000亿/年 成长期 500-1000亿/年 萌芽期 初创期 稳定期 20亿/年 20-200亿/年 200-500亿/年1,6001,400