3种TSV通孔生成各环节方式优劣势对比 原图定位 晶圆正面)的方式由于在刻蚀的时候除了刻蚀硅之外,还需刻蚀整个电介质层,以及会阻塞布线通道,因此较少被使用。Backside Via-Last 从晶圆背面进行通孔,可以简化工艺流程,背面后通孔工艺被广泛用于图像传感器和 MEMS 器件。