3DNAND中高深宽比通孔刻蚀面临的问题和挑战 原图定位 以上最困难最关键的即为高深宽比通孔刻蚀,离子和中性反应物被遮蔽,深宽比相关传导以及离子角分布是导致关键尺寸变化、刻蚀不完全、弯曲和扭曲等缺陷的重要因素。刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上加工 40:1 到 60:1 甚至 100:1 的极深孔或极深的沟槽。从 64 层到 196 层,刻蚀设备在总设备投资中的价值占比从 22%上升至 25%。国内中微公司布局极高深宽比刻蚀并逐步突破,目前可以实现 60:1。