全球存储主要厂商3DNAND路线 原图定位 NAND 通过 3D 堆叠层数的迭代路径,实现摩尔定律的延续。2D NAND 制程达到 15nm 时,由于存储单元只能在一个平面上布置,随着存储容量的增加,Cell存储单元之间距离变近,Vt 窗口的 Margin 变得更小、更容易发生偏移,NAND以及 WL(Word Line)与 WL 之间有了严重的耦合效应,最终导致 NAND 的可靠性和寿命降低。但三维空间能用用更低的工艺(>20nm)在解决耦合效应问题的同时,在不牺牲数据完整性的情况下,从 Z 维度继续增加 NAND 的密度和 Die的容量,实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本,从而延续摩尔定律。通过 3D 堆叠,NAND 的层数不断增多,以存储大厂美光为例,2022 年 5 月,美光发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND 芯片,这是美光的第 6 代芯片,第 5 代芯片只有 176 层。层数的增多能有效实现单位面积密度的增加和单位成本的降低。全球主要的存储厂商通过添加越来越多的存储单元层来改善 NAND 的密度和成本结构,根据 Tech Insights,三星、海力士、镁光-英特尔、东芝、闪迪垄断了全球 99%的 3D NAND 市场份额,我国国内厂商长江存储也成为全球第五家有能力生产 3D NAND 的厂家。不同厂商工艺结构各异,三星 /海力士采用 CTF(电荷俘获);美光和英特尔曾在 IM Flash Technologies 合作开发和生产 3D NAND,目前采用 FG(多晶硅浮栅)的方式;东芝(铠侠)/闪迪采用 P-BiCS;长江存储采用 Xtacking 等。