2DNAND与3DNAND结构 原图定位 NAND 堆叠层数增加拉动前驱体用量成倍提升,ALD 沉积适用于 3D NAND 的三维结构,拉动 High-k 前驱体需求。3D NAND 类似于盖楼房,在 2D NAND 的基础上进行堆叠,从而在面积不变的情况下成倍提升存储容量。由于每一层 NAND 都要进行薄膜沉积,因此对于前驱体的需求将同步成倍增长。3D NAND 储存设备中的三维结构需要高度的工艺可变性控制,ALD 非常适用在储存器孔的侧壁上形成介电薄膜。金属 ALD 也用于替换栅极方案中的字线填充,这需要横向沉积来完全填充狭窄的水平特征。