ALD在3DNAND制造中的主要用处 原图定位 (1)3D NAND 复杂结构需要制造高的深宽比,其叠层沉积和字线填充对沉积工艺提出了极高要求,ALD 由于膜厚精度控制和良好的台阶覆盖能力,比 CVD 和 PVD 更具优势。①薄膜沉积:3D NAND 制造流程开始于交替薄膜沉积,精确控制每层薄膜厚度的均一性至关重要,ALD 可有效减小应力、降低晶圆翘曲;②字线填充:字线钨提供了层内各个存储单元之间所需的关键传导链接,需要以最小的应力实现在复杂、狭窄、横向结构的存储堆叠单元里的无空隙填充;③孔道深宽比:3D NAND 层数增加、孔道的深宽比也不断加大,需要在深宽比 100:1 的孔道中纵横向沉积高 k 材料,若台阶的深宽比过高,PVD 和 CVD 可能会造成顶部开口堵塞。