存储芯片及其他各类型ALD应用环节数量 原图定位 ALD膜厚精度控制和高台阶覆盖率的特性适合在 45nm以下节点以及复杂的 3D结构等领域应用,尤其是相较于逻辑,ALD 在存储领域具备更大的市场空间,同等制程下 ALD 存储芯片领域的需求更大。在逻辑芯片领域,28nm 下 ALD 的应用环节数量约2-3 道,每道工序需要 1-2 台 ALD 设备,则总计需要约 2-6 台 ALD 设备,在存储领域,24nm 下 DRAM 的 ALD 应用环节数量约为 8-9 道,每道工序需要 2-3 台 ALD 设备,则总计需要约 16-27 台 ALD 设备。故我们认为 ALD 在多层高深宽比结构、晶体管缩小及结构立体化等方面具有明显的技术优势,因存储强调高深宽比、薄膜沉积难度大,工艺应用多且对产能要求高,未来 ALD 存储领域的空间将会更大。