全球3DNAND主要领先企业技术路线 原图定位

3D NAND 是 NAND Flash主流，存储密度持续提升。存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升 3D NAND Flash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NAND Flash 分为 SLC（Single-level Cell）、MLC（Multi-level Cell）、TLC（Triple-level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）。SLC 为每个存储单元存储的数据只有 1 位，MLC、TLC 和 QLC 每个存储单元存储的数据分别为 2/3/4 位，存储密度梯度提升。传统 NAND Flash 为平面闪存（2D NAND），3D NAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子 2013 年率先开发出可以商业化应用的24层 3D NAND，2020年 3D NAND高端先进制程进入 176层阶段，2022 年美光宣布 232层 3D NAND 实现量产。