超大规模集成电路技术研究组合共同研究所部分人员合影 原图定位 (2)20 世纪 70 年代,自主发展期。在政府引导下日本成立了 VLSI 联合研发体,汇聚全国人才,产官学合作共同研发,项目实施 4 年期间共获得 1000 多项专利,后期技术研发已快于美国,在此阶段日本半导体设备国产化进程同时加快。1976 年日本通商产业省从所属电子技术综合研究所遴选出具备对 IC 从设计、生产到测试全过程的综合知识和协调能力的半导体专家,由他们牵头组织日本最大的五家计算机企业富士通、NEC、日立、东芝和三菱电机组成了“超大规模集成电路技术研究组合” ,其最主要目标是开发为制造最先进的 VLSI 存储芯片、特别是 64K 和 256K 动态随机存取存储器(DRAM)所必需的基础技术。1K的 DRAM和 4K的 DRAM是美国最先于 1970 年和 1972 年研制出来的,16K 的 DRAM 是美、日同在 1976 年研制出来的,64K 的 DRAM(包含约 15 万个元件,已属 VLSI 超大规模集成电路产品)是日、美分别在 1977 年和 1979 年研制出来的(市场占有率最大的厂商是日立,意味着日本比美国早两年进入了 VLSI 时代),256K 的 DRAM是日、美分别在 1980 年和 1982 年研制出来的(日本又比美国早了两年,市场占有率最大的厂商是 NEC),1000K(即 256K 的约四倍或 100 万位)的 DRAM 则是由日本半导体企业在 1984 年率先研制成功(市场占有率最大的厂商是东芝)。在 1976 年到 1979 年为期四年计划中,研究开发费用总额为 737 亿日元,政府补助金 291 亿日元,占总额的 39.5%。