图49.Mobileye的SOC性能和单位功率性能 原图定位 进行先进制程流片。各家新一代 SOC 中每瓦的峰值处理能力在逐步提高:英伟达的 Drive Orin 能够达到 3.6TOPS/watt 的性能,较其老一代 Xavier的 1.1TOPS/watt 有显著改进。Mobileye 的 EyeQ4 也可以从 0.83TOPS/watt上升到 1.6TOPS/watt,并且在即将推出的 Ultra 版本中可能会超过1.76TOPS/watt。特斯拉已经在 2019 年的 HW3.0 中实现了 2.0TOPS/watt,并预计在下一代 HW4.0 平台中会有更实质性的改进。持续提高 AI 芯片性能的方法有:a.持续优化 SOC 架构。如引入更强大的 ASIC 芯片——神经网络加速器(NNAs)、NPU 或 DLAs;b.采用更先进的芯片制造技术可以有效降低整体功耗。根据 IBS 的估计,开发一块芯片的成本,包括 IP 许可、EDA(电子设计自动化)软件、研发、tape out(最终设计过程)、包装和测试费用,对于 16nm 技术节点,总计流片费用为 1.06 亿美元;对于 7nm 技术节点,总计流片费用为 2.98 亿美元;而对于 5nm 技术节点,流片费用为 5.42 亿美元。因此是否有足够的资金进行先进制程流片以及能否拿到先进制程的产能也是最终能否大规模量产的关键因素。