LPCVD两种工艺路径的主要特点 原图定位 多技术路线并进,LPCVD 为主流。目前 TOPCon 主流技术路径有三条,分别是LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺(方法一)、 LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺(方法二),以及 PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺(方法三)。从目前工艺选择来看,以 LPCVD 为主,工艺成熟且已实现规模化量产,并且设备国产化完善,但绕镀、成膜速度慢等仍为目前该工艺的主要矛盾。PECVD沉积速度快,但由此衍生的气体爆膜现象会降低整体良率,方法较为激进,选择厂商亦较少,长期稳定性仍有待观察。