TOPCon掺杂多晶硅(n+-Poly-Si)层的主要制作方法对比 原图定位 后者主要优势在于:1)镀膜速度快效率高,2)绕镀易处理,3)设备成本更低(目前低约 2-3 千万),4)同时具有与前后道多个工序集成的潜力,也可以和ALD 结合形成 PEALD 工艺;劣势在于 1)膜层质量稍低,2)沉积时会引入大量氢,退火时可能出现脱膜,3)沉积时容易产生粉尘,目前这些问题也已逐渐被攻克。