HBM数据传输线路的数量大幅提升 原图定位 HBM 相对传统内存 数据传输线路的数量大幅提升。存储器带宽 指单位时间内可以传输的数据量,要想增加带宽,最简单的方法是增加数据传输线路的数量。在典型的 DRAM 中,每个芯片有八个 DQ 引脚 2,也就是数据输入/输出引脚。在组成 DIMM3 模块单元之后,共有 64 个 DQ 引脚。然而,随着系统对 DRAM 和处理速度等方面的要求有所提高,数据传输量也在增加。因此,DQ 引脚的数量(D 站的出入口数量)已无法保证数据能够顺利通过。HBM 由于采用了系统级封装(SIP)4 和硅通孔(TSV)技术,拥有高达 1024 个 DQ 引脚,但其外形尺寸(指物理面积)却比标准 DRAM 小 10 倍以上。由于传统 DRAM 需要大量空间与 CPU 和 GPU 等处理器通信,而且它们需要通过引线键合 5 或 PCB 迹线 6 进行连接,因此 DRAM 不可能对海量数据进行并行处理。相比之下,HBM 产 品可以在极短距离内进行通信,增加了 DQ 路 径,显著加快了信号在堆叠 DRAM 之间的传输速度,实现了低功耗、高速的数据传输。