表6中环股份区熔法单晶硅产品分类 原图定位 公司为国内区熔法 8 英寸硅片龙头,主要应用于高功率的功率器件。公司是国内首先实现 6 英寸、8 英寸区熔硅片量产的硅片制造商,6 英寸、8 英寸皆已稳定供货给客户。第一、区熔法优势(FZ 法):区熔法可以拉出高纯度硅棒。区熔法制备晶体时不使用坩埚,避免了来自坩埚的污染,因此,区熔法可以用来制备纯度很高的晶体。另外区熔法还有提纯作用,结晶的头部集中了杂质而尾部杂质量少。因此经过一次区熔后,只需要把硅棒中杂质集中区截掉,就能够获得纯度很高的晶体;主流尺寸为 8 英寸、6 英寸硅片;目前 15%的硅片由区熔法制成;第二、区熔法应用领域:包括整流器、探测器件、IGBT 等高功率器件。第三、区熔法的缺点:FZ 硅片的机械性质较 CZ 硅片差,因而限制其在集成电路 IC 制程上的应用;此外,目前商业化的 FZ法已经可以生产 8 英寸单晶棒,但是再往 12 英寸发展相当困难,因此在先进制程的12 英寸特色工艺上,包括功率器件、射频芯片、模拟芯片等器件,依旧采用直拉法的 12 英寸大硅片。但是,有鉴于区熔法硅片具备高纯度的特性,仍然维持在功率器件市场的重要角色。第四、区熔法工艺流程:首先在真空或惰性气体环境下的炉室中,利用高频线圈在电磁场中产热;使籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触区熔化;然后移动硅棒或线圈使熔区朝晶体生长方向不断移动,向下拉出单晶颈、单晶锥和单晶棒。