射频半导体工艺的演进大幅提升了毫米波雷达的普及率 原图定位 回顾毫米波雷达发展历史,半导体工艺的进步引领了产品形态的迭代,带来产品渗透率的持续提升。毫米波雷达在汽车的应用可以追溯到 80 年代初期,彼时诸多探索性的研究已经展开,1999年,奔驰 S级轿车上第一次出现了基于毫米波雷达的自适应巡航功能,毫米波雷达上车的帷幕正式拉开。但在当时的雷达主要以砷化镓工艺为主,雷达中需要部署多个射频芯片,同时由于工作在 24Ghz频段,雷达的天线体积庞大,整体产品笨重且昂贵,并未广泛推广。2000 年以来锗硅(SiGe)工艺的发展,大幅提升了毫米波雷达芯片的性能,锗硅拥有噪声低、动态范围大、制程成熟等特点,让毫米波雷达的射频芯片成本大幅降低,推动了毫米波雷达渗透率的快速提升。2016年德州仪器推出了基于 RFCMOS工艺的高集成度 77Ghz毫米波雷达芯片,所有的射频元件可以集成在单颗 MMIC芯片上行,让毫米波雷达的成本相比前一代锗硅工艺产品进一步下探,其余芯片玩家纷纷跟进 ,至今各大厂商新产品几乎全部基于 RFCMOS 工艺开发,毫米波雷达行业进一步降本,这也让成本相对较高的 4D 毫米波雷达上车普及成为可能。射频半导体技术的发展,让毫米波雷达日益走向“平民化”,是毫米波雷达普及的基础。