作为 Perc 的进阶版,TOPCon 电池高效率的实现得益于 N 型衬底、全背面高效钝化以及隧穿结对于载流子的有效分离。电池背面由一层隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅共同形成钝化接触结构,消除不饱和键,降低界面缺陷态密度。与此同时,隧穿结可以实现载流子的选择性收集:空穴在到达宽禁带的氧化硅时会被“弹回”晶体硅,而电子会通过隧穿方式达到重掺杂的多晶硅。以上特性均有利于提升电池开路电压 Voc、填充因子 FF,并降低电池寿命敏感度。
作为 Perc 的进阶版,TOPCon 电池高效率的实现得益于 N 型衬底、全背面高效钝化以及隧穿结对于载流子的有效分离。电池背面由一层隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅共同形成钝化接触结构,消除不饱和键,降低界面缺陷态密度。与此同时,隧穿结可以实现载流子的选择性收集:空穴在到达宽禁带的氧化硅时会被“弹回”晶体硅,而电子会通过隧穿方式达到重掺杂的多晶硅。以上特性均有利于提升电池开路电压 Voc、填充因子 FF,并降低电池寿命敏感度。