不同代际HBM的Bump间距与互联技术 原图定位 (热压合)技术,其中海力士采用的是 TCB 的分支 TCB-NCF。 HBM2/2E/3/3E,Bump pitch 进展到 25/22μm 水平,三星继续采用 TCB技术,而海力士独家采用 MR-MUF(大规模回流焊-注塑底填充技术)。 HBM4,Bump pitch 进展到 20μm 以下,三星和海力士共同寻求混合键合技术——该技术相比 TCB、MR-MUF 技术最大特点在于,其为直接键合,即直接实现上下 die 之间的电气连接,中间不需要再使用凸点。 三星、海力士之外的另一巨头美光,此前坚持 HMC(混合存储立方体技术),于 2022 年底转向 HBM,并于 2023 年推出 HBM3 Gen2,技术方式与三星相同,使用 TCB。